半導體樣品電阻率ρ的變化（Dρ）與應變e成比例，則電阻率的相對變化與應力成正比：
Dρ/ρ = ps
式中p是常數，稱為壓阻係數（單位是m2/N或者1/Pa）；壓阻係數即表徵了壓阻效應的大小。壓阻係數與摻雜類型（n型，還是p型）、摻雜濃度、溫度和晶向有關
壓阻係數被定義為單位應力作用下電阻率的相對變化。
壓阻效應有各向異性特徵，沿不同的方向施加應力和沿不同方向通過電流，其電阻率變化會不相同。譬如：在室溫下測定N型硅時，沿（100）方向加應力，並沿此方向通電流的壓阻係數；而沿（100）方向施加應力，再沿（010）方向通電流時，其壓阻係數。此外，不同
半導體材料的壓阻係數也不同，如在與上述N型硅相同條件下測出N型鍺的壓阻係數分別為；。