集成光電子學國家重點實驗室

集成光電子學國家重點實驗室 由清華大學、吉林大學、中國科學院半導體研究所聯合組建，實驗室於1987年由國家計委批准籌建，1990年底建成，1991年1月通過國家有關部門的驗收后正式對外開放。通過二十年來的建設和發展，實驗室設備條件初具規模，各種材料生長和表徵設備基本上能夠滿足實驗室科研工作的要求，實驗室已成為集成光電子材料、器件及其在光纖通信網路中應用技術等領域的國內主要研究基地。集成光電子學國家重點聯合實驗室半導體所實驗區重點研究基於半導體光電子材料和微納光電子材料的各種新型光電子器件以及光子集成器件，研究上述器件在光纖通信系統與網路、光信息處理與顯示、光感測技術、太陽能及固態照明、以及關係國家安全領域中的應用技術及其系統技術。

第一屆實驗室主任為清華大學張克潛教授，中國工程院院士、吉林大學高鼎三教授為學術委員會主任；第二屆實驗室主任為吉林大學劉式墉教授，學術委員會主任是中國科學院院士、中科院半導體所王啟明研究員。中國科學院半導體研究所黃永箴研究員為現任主任（2013年6月-今），吉林大學電子科學與工程學院院長孫洪波教授為現任學術委員會主任（2013年6月-今）。實驗室學術委員會由國內物理、光電子領域的15名著名專家、學者組成。實驗室現有固定人員44人，其中研究人員38人（高級32人、中級6人）佔86%，技術人員4人，管理人員2人。

半導體光電子學是基於在半導體內操縱和控制光子運動的一門新的科學與技術，是研究半導體中光吸收及輻射發射，是國家信息基礎設施建設的關鍵課題。因此，實驗室的研究方向是以新一代光通訊、光信息處理等領域中的關鍵光電子器件（特別是以量子結構為基礎的器件）及其集成研究為重點，同時密切注視光電子新材料、新器件、新應用技術的開拓。根據研究方向，實驗室的研究內容包括半導體量子阱材料物理的研究和重要光電子器件物理、設計與工藝；光波導器件設計與工藝實現；光電子器件應用及其系統技術的研究；光電子新材料、新器件、新應用技術的研究。主要開展以下工作：Ⅲ-V族半導體光波導開關陣列；硅基光電子器件研究；GaN材料的研究；高功率超輻射集成光源；有機/聚合物電發光器件；光纖光柵研究；5GHz半導體超短光脈衝激光器及光孤子研究；光ATM交換系統技術；程式控制/手動單模可調諧外腔半導體激光器及其產品開發。目標是把實驗室建設成我國光電子學領域的主要研究基地和人才培養基地。

實驗室由清華大學、吉林大學、中科院半導體研究所聯合建立，有雄厚的技術力量和先進的實驗設備。實驗室有分子束外延設備、有機金屬氣相沉積設備、液相外延等供光電器件和集成光電器件用異質結材料、量子阱超薄層材料生長的設備，有精密光刻機、反應離子刻蝕機、真空鍍膜機等光電器件製造的工藝設備，有單色儀、半導體激光器常規參數測試系統、半導體激光器熱阻測量儀、超短脈衝測試系統、採樣示波器等器件特性測試設備，還有電化學C-V、低溫光熒光測試系統等可對晶體材料的生長質量、特性進行分析的設備。從材料製備、器件工藝到器件與材料特性分析的這一整套設備與儀器為半導體光電器件及其集成技術的研究提供了相當良好的技術支撐條件。還有準分子激光器可進行光纖光柵製造、微細加工等工藝。有標量網路分析儀、微波頻譜分析儀等可為新一代超高速、大容量、多功能光通信單元技術研究提供支撐條件。

實驗室現為物理電子學與光電子學、半導體物理與半導體器件物理、半導體物理與微電子學的碩士點、博士點和博士后流動站。有博士導師13名（最年輕的博士導師只有36歲），1996年在讀碩士生47名、博士研究生49名，並有5名博士后研究人員在站工作，已形成了一定規模的光電子學領域研究人才培養基地。

實驗室貫徹"開放、流動、聯合、競爭"的方針，與美國、俄羅斯、英國、日本、香港、台灣等國家和地區的高校、科研機構在新型光電子器件等方面有著廣泛的合作研究。