鰭式場效應晶體管

發明人

該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明（Chenming Hu）教授。胡正明教授在台灣大學獲電子工程學士學位，在伯克利大學獲得電子工程與計算機科學碩士和博士學位。現為美國工程院院士。他研究的BSIM模型已成為晶體管模型的唯一國際標準，培養了100多名學生，許多學生已經成為這個領域的大牛，曾獲Berkeley的最高教學獎。

工作原理

FinFEt被稱為鰭式場效應晶體管，是一種新的互補式金屬氧化物半導體晶體管。該項技術的發明人是加州大學伯克利分校的胡正明教授。

如右圖所示，FinFet與平面型MOSFET結構的主要區別在於其溝道由絕緣襯底上凸起的高而薄的鰭構成，源漏兩極分別在其兩端，三柵極緊貼其側壁和頂部，用於輔助電流控制，這種鰭形結構增大了柵圍繞溝道的面，加強了柵對溝道的控制，從而可以有效緩解平面器件中出現的短溝道效應，大幅改善電路控制並減少漏電流，也可以大幅縮短晶體管的柵長，也正由於該特性，Finfet無須高摻雜溝道，因此能夠有效降低雜質離子散射效應，提高溝道載流子遷移率。

結構

如右圖所示，FinFET的主要特點是，溝道區域是一個被柵極包裹的鰭狀半導體。沿源漏方向的鰭的長度，為溝道長度。柵極包裹的結構增強了柵的控制能力，對溝道提供了更好的電學控制，從而降低了漏電流，抑制短溝道效應。然而FinFET有很多種，不同的FinFET有不同的電學特性。下面根據襯底類型、溝道的方向、柵的數量、柵的結構，分別給予介紹。SOI FinFET 和體FinFET。根據FinFET襯底，FinFET可以分成兩種。一種是SOI FinFET，一種是體FinFET。體FinFET形成在體硅襯底上。由於製作的工藝不同，相比於SOI襯底，體硅襯底具有低缺陷密度，低成本的優點。此外，由於SOI襯底中埋氧層的熱傳導率較低，體硅襯底的散熱性能也要優於SOI襯底。

體FinFET，SOI FinFET具有近似的寄生電阻、寄生電容，從而在電路水平上可以提供相似的功率性能。但是 SOI 襯底的輕鰭摻雜FinFET，相比於體FinFET，表現出較低的節電容，更高的遷移率和電壓增益的電學性能。

這種結構的特點有以下幾點：

● ● 用來抑制短溝道效應的超薄Si鰭； 

● ● 兩個柵極是自對準的，同時和源漏也是對準的； 

● ● 在源漏區生長多晶硅，可以減少寄生電阻； 

● ● 短的（50nm）Si鰭是一個準平面結構； 

● ● 柵極后製作工藝，和低溫、高K柵介質相相容。

優勢

FinFET器件相比傳統的平面晶體管來說有明顯優勢。首先，FinFet溝道一般是輕摻雜甚至不摻雜的，它避免了離散的摻雜原子的散射作用，同重摻雜的平面器件相比，載流子遷移率將會大大提高。另外，與傳統的平面CMOS相比，FinFET器件在抑制亞閾值電流和柵極漏電流方面有著絕對的優勢。FinFET的雙柵或半環柵等體鰭形結構增加了柵極對溝道的控制面積，使得柵控能力大大增強，從而可以有效抑制短溝效應，減小亞閾值漏電流。由於短溝效應的抑制和柵控能力的增強，finFET器件可以使用比傳統更厚的柵氧化物，這樣FinFET器件的柵漏電流也會減小。顯然，FinFET優於PDSOI。並且，由於FinFET在工藝上與CMOS技術相似，技術上比較容易實現。所以目前已被很多大公司用在小尺寸1C的製造中。

在2011年初，英特爾推出了商業化的 FinFEt，使用在其22nm節點的工藝上。台積電等主要半導體代工企業也已經開始計劃推出自己的 FinFEt。從2012年起， FinFet已經開始向20mm節點和14nm節點推進。

未來的發展重點：在鍺硅中實施P型摻雜以改善器件性能，優化鍺上硅鈍化層厚度，改善溝道柵纏繞效應。該項研究驗證了採用鰭式場效應晶體管結構的鍺―鍺硅異構量子阱器件，不僅能提供應變能力，而且能增強溝道控制力。

採用鰭替代工藝實現了將II-V族材料應用於CMOS器件結構中。這一研究成果使此次將鍺通過鰭替代工藝構成CMOS器件的溝道成為可能。這是實現單片異質集成，發展CMOS器件和片上系統的關鍵技術。

比利時微電子研究中心的下一代鰭式場效應晶體管研究是其核心CMOS項目的一部分。

具有實用性的應變鍺量子阱溝道P型金屬氧化物半導體（MoS）鰭式場效應晶體管表明，鰭式場效應晶體管和三柵結構具備應用於7mm和5nm CMos器件的可能性。

自CMOS器件發展到90m技術以來，在器件中嵌入鍺硅源極和漏極已經是一種產生應變硅增強P型MOS器件的普遍方法。器件尺寸的減少，使源極和漏極中實現應變的空間極為有限。採用薄型結構的鰭式場效應晶體管已經難以進一步微細化。將高應變材料直接應用於溝道將是CMOS器件繼續微細化的可行途徑。

比利時微電子研究中心在弛豫的鍺硅緩衝層上生長出高應變鍺溝道，已證明這種方法能夠提高溝道電子遷移率，具有良好的按比例縮小溝道尺寸潛力。採用鰭式替代工藝製造應變鍺溝道器件，對於在常規硅襯底上實現與其他器件的集成非常有用。建立在鍺硅溝道緩衝層上的應變鍺P溝道鰭式場效應晶體管的跨導峰值，在0.5V源漏電壓下為1.3ms/μm，具有低至60mm柵長的良好短溝道控制能力。該器件亞閾值斜率跨導高於已宣布的弛豫鍺鰭式場效應晶體管。