胡正明

1947年7月，胡正明出生於中國北京，祖籍江蘇省金壇市城西馬乾村。

胡正明為台灣大學電機工程學士、柏克萊加大電機及計算機碩士、博士，曾任美國麻省理工學院電機及計算機系教授，並有多項學術榮譽：為美國國家工程院院士、柏克萊加州大學校長講座教授、TSMC傑出講座教授、台灣交通大學名譽教授、IEEE Fellow、北京清華大學名譽教授、中華民國國科會第一屆傑出講座、柏克萊加州大學傑出教學獎等。

柏克萊加大華裔教授 以他領導的柏克萊加大電機系研究小組開發出了目前世界上體積最小，但是通過電流卻最大的半導體晶體管。這種新型的晶體管可以使1個電腦晶元的容量比從前提高400倍。

曾任台積電技術長的胡正明，被稱為“台灣第一技術長”。這位“美國國家工程院院士”以“科學家”之姿，以最直接的方式貢獻台灣半導體界，期間，並創下新竹科學園區有史以來，第一位獲數理組院士的半導體業人士。

二00四年，胡正明重返伯克利加大，結束他在台積電的一千個日子，回到學術界，現仍為台積電顧問。任教職之外，胡正明的產業經驗不僅在台積電，也曾創辦Celestry Design Technologies, Inc、並曾任國家半導體公司非揮發性記憶體研發經理，除了學術、產業的傑出表現之外，還當過舊金山東灣中文學校董事長。他在學術領域屢創高峰，在電晶體尺寸及性能研發上屢次創新世界紀錄，也為積體電路設計訂定出第一個國際標準電晶體模型。他擁有美國專利逾百項，期刊及會議文獻發表約八百件。

2001年至2004年還曾擔任台積電首席技術官。他是鰭式場效晶體管 (FinFET) 的發明者，解決了晶體做薄后的漏電問題，並向上發展，使晶片內構從水平變成垂直，從而打破了原來英特爾對全世界宣布的將來半導體的限制。

● 科研綜述

胡正明的主要科技成就為：領導研究出BSIM，從實際MOSFET晶體管的複雜物理推演出數學模型，該數學模型於1997年被國際上38家大公司參與的晶體管模型理事會選為設計晶元的第一個且唯一的國際標準；發明了在國際上極受注目的FinFET等多種新結構器件；對微電子器件可靠性物理研究貢獻突出：首先提出熱電子失效的物理機制，開發出用碰撞電離電流快速預測器件壽命的方法，並且提出薄氧化層失效的物理機制和用高電壓快速預測薄氧化層壽命的方法。首創了在器件可靠性物理的基礎上的IC可靠性的計算機數值模擬工具。1999年開發出了鰭式場效應晶體管（FinFET） 。

● 學術交流

胡正明從1981年以來與電子科技大學、中國科學院微電子所、北京大學、清華大學、復旦大學、浙江大學等校進行合作研究並作學術講座，協助推動在中國召開國際會議。

● 教育思想

胡正明認為創新人才的培育，更精確地說，應該是培養能夠解決問題的人才，要成為“解決問題者”所需具備的特質包括：喜歡解決問題、願意學取新知、願意努力工作，以及對自己有信心等，這些都是讓自己成為“解決問題者”的關鍵因素。如此才能成就一項項的創新，無論是發明前所未有的事物，或是解決一件過去難以突破的難題。他強調，年輕人最重要的就是要有自信，“別人真心稱讚你時，你要欣然接受；別人的讚美似乎不太誠懇時，你也要強迫自己相信，總而言之，你要利用每一次的機會增強自信，甚至，當沒有別人讚賞你時，你也要肯定自己。 ”事實上，在不同場合中，胡正明皆多次提到肯定自己的重要性，“要對自己有信心，如此才有能量一步一步解決更困難的問題。 ”

● 研究生獎學金

1990年胡正明在北京大學與清華大學設置五名研究生獎學金，並鼓勵中國留學生回國發展半導體工業。

● 胡氏獎助基金

1997年4月，胡正明與父親胡素鴻先生、弟弟胡正大博士在金壇市第一中學設立胡氏獎助基金，用以獎勵每屆高中畢業生中品學兼優、家境較差而有志升大學者。

胡正明是微電子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要開拓者，對半導體器件的開發及未來的微型化做出了重大貢獻。（中國科學院評）

胡正明在學術界和產業界都繳出亮眼成績，是因為勇於探索未知，讓他能夠跨越學術、產業間的藩籬，優遊在這兩個領域之中；並常保好奇之心，所以從未停止學習，更難得的是胡正明始終保有謙和的初心，這使他能廣為接納新知識、新技術。（台灣清華大學原校長劉炯朗評）