半導體材料

書 名: 半導體材料

作　者：楊樹人 王兢

出版社：科學出版社

出版時間： 2008年01月

ISBN: 9787030128171

開本： 16開

定價: 26.00 元

《半導體材料(第2版)》是為大學本科與半導體相關的專業編寫的教材。《半導體材料(第2版)》介紹主要半導體材料硅、砷化鎵等製備的基本原理，工藝和特性的控制等。全書分11章：第1章為硅和鍺的化學製備；第2章為區熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體；第9章為Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體；第10章為氧化物半導體材料；第11章為其他半導體材料。

《半導體材料(第2版)》也可以作為從事與半導體相關研究工作的科研人員和相關專業研究生的參考書。

再版前言

前言

緒論

第1章 硅和鍺的化學製備

1-1 硅和鍺的物理化學性質

1-2 高純硅的製備

1-3 鍺的富集與提純

第2章 區熔提純

2-1 分凝現象與分凝係數

2-2 區熔原理

2-3 鍺的區熔提純

第3章 晶體生長

3-1 晶體生長理論基礎

3-2 熔體的晶體生長

3-3 硅、鍺單晶生長

第4章 硅、鍺晶體中的雜質和缺陷

4-1 硅、鍺晶體中雜質的性質

4-2 硅、鍺晶體的摻雜

4-3 硅、鍺單晶的位錯

4-4 硅單晶中的微缺陷

第5章 硅外延生長

5-1 外延生長概述

5-2 硅的氣相外延生長

5-3 硅外延層電阻率的控制

5-4 硅外延層的缺陷

5-5 硅的異質外延

第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體

6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的特性

6-2 砷化鎵單晶的生長方法

6-3 砷化鎵單晶中雜質的控制

6-4 砷化鎵單晶的完整性

6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的製備

第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的外延生長

7-1 氣相外延生長（VPE）

7-2 金屬有機物氣相外延生長（MOVPE）

7-3 液相外延生長（LPE）

7-4 分子束外延生長（MBE）

7-5 化學束外延生長（CBE）

7-6 其他外延生長技術

第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導體

8-1 異質結與晶格失配

8-2 GaAlAs外延生長

8-3 InGaN外延生長

8-4 InGaAsP外延生長

8-5 超晶格與量子阱

8-6 應變超晶格

8-7 能帶工程

第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體

9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的製備

9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的點缺陷與自補償現象

9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料

9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料

第10章 氧化物半導體材料

10-1 氧化物半導體材料的製備

10-2 氧化物半導體材料的電學性質

10-3 氧化物半導體材料的應用

第11章 其他半導體材料

11-1 窄帶隙半導體

11-2 黃銅礦型半導體

11-3 納米晶材料

11-4 非晶態半導體材料

11-5 有機半導體材料

參徠考文獻