電荷密度
電荷密度
在電磁學里，電荷密度是一種度量，描述電荷分佈的密度。電荷密度又可以分類為線電荷密度、面電荷密度、體電荷密度。假設電荷分佈於一條曲線或一根直棒子，則其線電荷密度是每單位長度的電荷密度，單位為庫侖/米 (coulomb/meter) 。假設電荷分佈於一個平面或一個物體的表面，則其面電荷密度是每單位面積的電荷密度，單位為庫侖/米^2。假設電荷分佈於一個三維空間的某區域或物體內部，則其體電荷密度是每單位體積的電荷密度，單位為庫侖/米^3。
封閉系統，荷保持。驗荷守恆。即荷增，另荷必減，且增減量值。若流導，找積，包圍積閉合曲，且假流積流，另流。
荷密波超導凝聚態質集量，凝聚態物理的重要研究課題。層狀二維三角格子結構的二硫屬過渡金屬化合物是一類典型的電荷密度波體系。依照離子堆積的方式和對稱性的差別，該類材料可形成不同的結構，其中受到廣泛關注的是1T和2H結構類型（1和2表示一個單胞含有的過渡金屬層數目，T和H表示結構具有的三角和六角對稱性）。
型二硫屬渡屬化合荷密波超導共存。型二硫族渡屬化合觀察荷密波，普林頓化系研究組Cu插層1T-TiSe2后可以迅速壓制電荷密度波相變溫度，隨後出現超導電性。這是第一次在1T結構體系中實現超導電性。
特別是該體系的電子相圖與銅氧化物高溫超導體的電子態相圖形狀很類似，只是高溫超導體的超導態是從反鐵磁Mott絕緣體摻雜而來，超導和反鐵磁自旋漲落聯繫密切；而這裡超導態是從電荷密度波態摻雜而來，超導和電荷漲落似乎密切相關。這一發現引起了國際同行的廣泛關注。
雖然CuxTiSe2超導體的母體1T-TiSe2是人們早就知道的電荷密度波材料，但關於電荷密度波相變的機制仍然不清楚。電子結構計算表明該材料是一個低載流子濃度的半金屬（semimetal）。ARPES實驗明確表明，Fermi能附近存在空穴和電子型兩個能帶，分別位於布里淵區中心Gamma點和布里淵區邊界L點。但由於有限的能量解析度和矩陣元效應，ARPES實驗不能清楚地給出1T-TiSe2到底是間接能隙很小的半導體還是能帶交疊很小的半金屬。
諾貝爾獎獲得者W.Kohn在1967年提出過一個關於小間接能隙半導體或低載流子濃度半金屬由於激子形成導致電荷密度波相變的機制。但由於缺乏實際的例子，該相變機制未被寫入固體物理教科書乃至關於電子密度波相變的專著中。Kohn指出對於間接能隙很小的半導體或電子空穴能帶交疊很小的半金屬，由於電子和空穴的庫侖相互作用，可能導致形成電子和空穴的束縛態——激子。穩定的激子態只能存在於激子束縛能小於能隙的情形，如果激子束縛能大於間接能隙則會導致晶格結構的失穩，伴隨發生電荷密度波調製，進入一個新的激子穩定相。聯繫電子和空穴能帶的波矢剛好與結構相變后超格子相應的電荷密度波波矢相一致。
但對半導體和半金屬，電子空穴相互作用導致的激子機制並不相同。對半導體情形，存在通常意義的激子能級。但對半金屬而言，電子空穴相互作用則是混合電子和空穴能帶，它們的雜化導致打開能隙，降低體系的能量。這種情形的電荷密度波稱為Overhauser電荷密度波。雖然人們早就意識到1T-TiSe2很像Kohn提出的激子驅動的電荷密度波相變，但由於很多基本問題不清楚而無法得到明確結論，特別是區分1T-TiSe2是半導體還是半金屬對認識其電荷密度波機制至關重要。
樣品沒單位面積上所帶的電量，以μC/m2為單位。LFY-403 摩擦帶電電荷測試儀(法拉第筒法)在試驗室條件下，評定織物以摩擦形式帶電荷后的靜電特性。
(1)、靜電電荷測定範圍：0μC-2μC；
(2)、內筒：直徑400mm～600mm，高度750mm～900mm；
(3)、外筒：直徑500mm～70mm，高度850mm～1000mm；
(4)、聚四氟乙烯絕緣支架；
(5)、試驗用大氣條件：溫度：（20±5）℃；相對濕度：35%±5%。