袁國亮

袁國亮，男，1975年8月出生，南京理工大學材料科學與工程學院教授、博士、博士生導師。

畢業於南京大學材料學專業，獲得博士學位。

1、鐵電、壓電、磁電、寬禁帶半導體等電學多功能材料，比如BiFeO3等； 2、光電功能材料(比如VO2)。

2010年開始任南京理工大學材料科學與工程學院教授，主持國家自然科學基金面上項目一項（對鐵電極化和半導體性能相互耦合的材料-鐵電半導體的研究），應邀參加2010年中國物理年會電介質物理分會並做邀請報告，應邀參加中國2011年材料年會（成立20周年慶典）多鐵性材料分會並做分會主持人之一。長期研究鐵電、多鐵、壓電鈣鈦礦氧化物的陶瓷和薄膜，在鈣鈦礦氧化物材料的製備、表徵和分析等方面積累了豐富的經驗。當前SCI文章43篇，被引用總計600餘次，其中他引450餘次，是美國應用物理學會Applied Physics Letter (APL)、Journal of Applied Physics (JAP)等雜誌的審稿人。

第一，率先報道Bi1-xAxFeO3 (A=Nd、Sm、La)陶瓷在室溫以上同時具有鐵電、壓電、弱鐵磁及磁電耦合效應。我們發展了一種專門針對這類材料的陶瓷製備方法，成功製備具有良好絕緣性和飽和鐵電回線的Bi1-xAxFeO3陶瓷(A=La、Nd、Sm)陶瓷，在世界上最先報道多鐵性Bi1-xAxFeO3(A=Nd、Sm)陶瓷材料的鐵電-順電相變、高溫壓電、磁電耦合等性能。我們的工作受到國際同行的關注，10餘篇APL、JAP等文章在2007年以來被引用/他引超過450/400次。

第二，申請人澄清了鐵電薄膜中氧空位的產生、擴散和聚集機制，以及其對鐵電疲勞、半導體性能的貢獻。發現缺陷和電荷的產生和聚集是鐵電薄膜鐵電疲勞的主要原因。申請人通過AFM、XRD、正電子湮滅、光譜、電學性質、磁學性質等，綜合研究BiFeO3薄膜中氧空位的產生、遷徙和聚集，發現SrTiO3單晶基片和生長溫度、氣壓一樣，可以調控氧空位的濃度和分佈。

1. 對鐵電極化和半導體性能相互耦合的材料-鐵電半導體的研究 自然科學基金面上項目（51072081）第一 2011.01-2013.12

2. 寬頻隙半導體材料製備及光電性能研究 南京理工大學自主研究重點課題(ZDJH07) 第一 2010.01-2012.12

3. BiFeO3鐵電磁體絕緣材料和BiFeO3-δ鐵電半導體材料的研究和應用 南京理工大學卓越計劃 第一 2010.01-2013.12

4. BiFeO3系列材料中氧空位的調製和應用 南京理工大學校基金AB96382 第一 2010.12-2011.12

5. BiFeO3系列材料中氧空位的調製和應用 南京大學固體微結構國家實驗室開放課題 第一 2010.04-2011.12

6. 可見光響應鉍基化合物半導體納米材料的控制合成和性能研究 國家自然科學基金青年基金項目（21001064）第二 2011.01-2013.12