馬曉華

1996年畢業於西安電子科技大學技術物理學院微電子專業；

1996年－2001年在航天067基地16研究所從事MEMS研究工作；

2007年博士畢業於西安電子科技大學微電子學院微電子學與固態電子學專業。

中國電子學會可靠性分會委員、陝西省宇航學會電子與控制專業副主任委員、西安電子科技大學第八屆校學術委員會委員、國防科技工業抗輻照應用技術創新中心理事、北京大學微納電子與集成系統協同創新中心副主任。

器件設計、90nm～65nmCMOS器件的可靠性研究、RF器件的可靠性問題研究。

長期從事寬禁帶半導體材料、高效率固態微波功率器件及系統應用研究，作為項目主要負責人之一，研製的GaN微波功率器件效率從2011年的73%刷新到2015年的85%，該指標目前一直處於世界領先水平。先後主持“核高基”科技重大專項、“863計劃”、自然科學基金重點項目等國家級項目20餘項。研究成果獲國家科技進步二等獎1項，獲省部級一等獎5項；近年來，在國際高水平學術期刊發表SCI檢索論文120餘篇，指導博士/碩士研究生82人，並奪得學校“優秀教師”和“師德標兵”稱號，帶領的團隊獲學校“三好三有”團隊。

在成果創新和應用方面，目前獲授權國家發明專利40餘項，在寬禁帶半導體微波功率器件方面的專利申請數量全球排名第三。其中15項專利獲得專利技術轉讓，直接轉讓經費400多萬元。獲授權發明專利項，其中已轉化12項。由於在研發和成果轉換方面取得的突出成績，馬曉華教授獲得2017年陝西省科技創新領軍人才稱號。

近10餘年來，他一直工作在寬禁帶半導體材料教育部重點實驗室，為實驗室科研平台的規劃、建設和發展作出了突出的貢獻。負責建成了具有國際水平的化合物半導體材料生長和表徵、器件和電路研發的國內高校一流研究平台。

馬曉華教授在學術領域和科研合作方面也相當活躍，多次受邀在國際學術會議作報告，長期擔任重大項目的評審專家。在國內高等院校、研究所具有廣泛的科研合作關係，與中國航天、中國電科、科學院、華為公司等國內著名研發單位有良好的技術合作，在國內外同行中具有很好的學術與科研影響力。其科研工作長期面向國防和國家工程領域，著力於基礎研究，兼顧前沿探索和國家重大需求，能夠較好地貫徹學校“大平台、大團隊、大項目、大成果”的建設目標，在科學研究、人才培養、成果轉化等方面已有令人矚目的成績。

● 微波器件與電路 /2018-2019 /秋學期 /32課時 /2.0學分 /Z09MI1206

● 新生研討課 /2018-2019 /春學期 /16課時 /1.0學分 /TS006014

● 集成電路新技術講座 /2018-2019 /春學期 /16課時 /1.0學分 /MI3017

● 微電子新技術講座 /2018-2019 /春學期 /16課時 /1.0學分 /MI3010

● 半導體器件工藝 /2017-2018 /春學期 /32課時 /2.0學分 /Z07MA1208

● 微波器件與電路 /2017-2018 /秋學期 /32課時 /2.0學分 /Z09MI1206

● [1]A high efficiency C-band internally-matched harmonic tuning GaN power amplifier.SOLID-STATE ELECTRONICS.2016,123 :96-100

● [2]A Scalable Active Compensatory Sub-Circuit for Accurate GaN HEMT Large Signal Models.IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS.2016,26 (6):431-433

● [3]Effect of alloying temperature on the capacitance-voltage and current-voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures.PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE.2015,212 (12):2928-2935

● [4]Impact of fluorine plasma treatment on AlGaN/GaN high electronic mobility transistors by simulated and experimental results.MICROELECTRONIC ENGINEERING.2016,154 :22-25

● [5]Analysis of the Breakdown Characterization Method in GaN-Based HEMTs.IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS.2016,31 (2):1517-1527

● [6]Analysis of the Breakdown Characterization Method in GaN-Based HEMTs.IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS.2016,31 (2):1517-1527

● [7]Recessed-gate quasi-enhancement-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors with oxygen plasma treatment.CHINESE PHYSICS B.2016,25 (11)

● [8]Influence of surface states on deep level transient spectroscopy in AlGaN/GaN heterostructure.CHINESE PHYSICS B.2016,25 (6)

● [9]Using in-process measurements of open-gate structures to evaluate threshold voltage of normally-off GaN-based high electron mobility transistors.APPLIED PHYSICS LETTERS.2015,107 (16)

● [10]AlGaN/GaN high electron mobility transistor with Al2O3+BCB passivation.CHINESE PHYSICS B.2015,24 (11)

● [11]Breakdown mechanisms in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with different GaN channel thickness values.CHINESE PHYSICS B.2015,24 (2)

● [12]Contact-Size-Dependent Cutoff Frequency of Bottom-Contact Organic Thin Film Transistors.CHINESE PHYSICS LETTERS.2015,32 (10)

● [13]A C-band 55% PAE high gain two-stage power amplifier based on AlGaN/GaN HEMT.CHINESE PHYSICS B.2015,24 (10)

● [14]On-wafer de-embedding techniques from 0.1 to 110 GHz.Journal of Semiconductors.2015,36 (5)

● 陝西省科技進步一等獎（2012年）

● 教育部科技進步一等獎（2007年）

2020年12月15日，西安電子科技大學微電子學院副院長馬曉華教授受邀來深港微電子學院學術交流，帶來題為“ （超）寬禁帶半導體材料、器件和晶元研究進展”的精彩報告。講座由學院院長於洪宇教授主持，學院部分師生代表參加講座。

2020年11月7日下午14點至16點，長江學者、西安電子科技大學馬曉華教授應理學院邀請，在金花校區科二樓803會議室，為理學院教師做了題為“電子信息技術的創新與發展”的專題報告。報告會由我院副院長成鵬飛教授主持，我校科技處處長朱耀麟教授及相關工作人員出席，理學院30餘名教師聆聽了本次報告。