TSV

TSV(Through Silicon Vias)

矽片通道

通過硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合，目前被認為是半導體行業最先進的技術之一。矽片通孔（TSV）是三維疊層硅器件技術的最新進展。

TSV是一種重要的開發技術，其利用短的垂直電連接或通過硅晶片的“通孔”，以建立從晶元的有效側到背面的電連接。TSV提供最短的互連路徑，為最終的3D集成創造了一條途徑。

TSV技術比引線鍵合和倒裝晶元堆疊提供更大的空間效率和更高的互連密度。當結合微凸塊接合和先進的倒裝晶元技術時，TSV技術能夠在更小的外形尺寸下實現更高水平的功能集成和性能。

半導體器件不斷響應“更快，更便宜，更小”的需求。隨著消費電子產品越來越複雜和更緊湊，預計設備將在更小的維度上以更高的速度提供更多的功能。過去，這些要求通過摩爾定律和現在的“更多摩爾”驅動的電路及其部件的小型化已經在很大程度上得到滿足。然而，近年來，以導線鍵合和倒裝晶元堆疊形式的3D集成已經進入了主流半導體製造，以解決物理擴展的局限性，同時提供更好的性能和功能。

“矽片通道”（TSV）正在成為3D集成的一種方法，為設計人員提供了比引線鍵合和倒裝晶元堆疊更自由，更高的密度和空間利用率。

在TSV中，兩個或多個垂直堆疊的晶元通過穿過堆疊的垂直互連（即跨越兩個或更多個相鄰晶元之間的介面）並且用作集成電路的組件而被連接。

堆疊和矽片通道連接（類似或不同）裸片：可以創建高性能器件。

雖然可以使用常規引線鍵合技術組合兩個管芯，但是耦合損耗將降低數據交換的速度，從而降低性能。

TSV解決了引線接合的數據交換問題，並提供了其他一些有吸引力的優點，包括管芯之間更短的互連，減少水平布線引起的損耗，並消除緩衝區浪費的空間和功耗（通過冗長的電路推動信號的中繼器）。

TSV還可以減少電路中的電氣寄生耦合現象，提高設備切換速度。此外，TSV可以提供比引線鍵合更高的輸入/輸出密度。

在建築環境學的研究中，由於無法測量熱感覺，只能採用問卷的方式了解受試者對環境的熱感覺，即要求受試者按某種等級標度（主要為Bedford標度和ASHRAE標度）來描述其熱感。

心理學研究表明一般人可以不混淆地區分感覺量級不超過七個，因此對熱感覺的評價指標往往採用七個等級（見下表），在進行熱感覺實驗的時候，設置一些投票的方式來讓受試者說出自己的熱感覺，這種投票的方式叫做熱感覺投票 TSV，其內容是一個與ASHRAE熱感覺標度一致的七級分度指標，分級往往為-3~+3。

Bedford和ASHRAE的七點標度

英特爾公司首席技術官賈斯廷·拉特納表示，TSV技術是英特爾公司的工程師首先為未來的80核處理器產品開發的。這項技術的實質，是每一個處理內核通過一個TSV通道直接連接一顆256KB的內存晶元（充當了緩存），隨著緩存數量的增加，這些緩存將可以替代另外的內存晶元。

拉特納指出，雖然TSV技術是面向80核處理器開發的，不過這種技術可以應用到其他處理器產品中。這樣導致的一種結果是，未來英特爾公司的處理器將直接內置足夠多的內存晶元，電腦廠商或者攢機用戶都無需再單獨購買內存條。

在 Excel 中打開 TSV 或 CSV 文件

1. 在 Excel文件菜單上, 單擊打開。

2. 單擊以選中 TSV(為用製表符tab分隔的文件) 或 CSV (為用逗號，分隔的文件)文件。

3. 如果文件是逗號分隔, 單擊下一步，然後繼續執行步驟 4。如果文件是製表符分隔, 單擊完成，然後引用到下文 " 要保存將文件從 Excel 中 TSV 格式 " 部分。

4.分隔符區域, 中單擊以選擇逗號，單擊以清除所有其他選定分隔符, 然後單擊下一步和完成。

TSV在半導體微電子領域，代表硅穿孔Through Si via。在3D IC封裝及MEMS封裝過程中，由於要使用到多層晶元互聯，因此需要打穿整個晶元的孔來實現電學連接。比較流行的兩種方法為先通孔(via first)與后通孔(via last)。