本徵半導體

本徵半導體（intrinsic semiconductor)完全不含雜質且無晶格缺陷的純凈半導體稱為本徵半導體。實際半導體不能絕對地純凈，本徵半導體一般是指導電主要由材料的本徵激發決定的純凈半導體

在絕對零度溫度下，半導體的價帶（valence band）是滿帶（見能帶理論）

，受到光電注入或熱激發后，價帶中的部分電子會越過禁帶（forbidden band/band gap）進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶（conduction band），價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴（hole），導帶中的電子和價帶中的空穴合稱為電子－空穴對。上述產生的電子和空穴均能自由移動，成為自由載流子（free carrier），它們在外電場作用下產生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。在本徵半導體中，這兩種載流子的濃度是相等的。隨著溫度的升高，其濃度基本上是按指數規律增長的。

導帶中的電子會落入空穴，使電子－空穴對消失，稱為複合（recombination）。複合時產生的能量以電磁輻射（發射光子photon）或晶格熱振動（發射聲子phonon）的形式釋放。在一定溫度下，電子－空穴對的產生和複合同時存在並達到動態平衡，此時本徵半導體具有一定的載流子濃度，從而具有一定的電導率。加熱或光照會使半導體發生熱激發或光激發，從而產生更多的電子－空穴對，這時載流子濃度增加，電導率增加。半導體熱敏電阻和光敏電阻等半導體器件就是根據此原理製成的。常溫下本徵半導體的電導率較小，載流子濃度對溫度變化敏感，所以很難對半導體特性進行控制，因此實際應用不多。

本徵半導體特點：電子濃度=空穴濃度（摻雜的半導體，在一定條件下（例如高溫下）也可以具有本徵半導體特點。）

缺點：載流子少，導電性差，溫度穩定性差！

半導體分為三種：n型，p型，和本徵半導體

待完善