金屬氧化物半導體集成電路

jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chénɡ diàn lù

簡稱“mos集成電路”。由金屬、氧化物和半導體場效應管組成的集成電路。工藝簡單、輸入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作頻率低。主要用於數字電路。分p溝道mos集成電路和n溝道mos集成電路兩種。將兩者互補構成互補型集成電路(cmos)。應用廣泛。一種ＣＭＯＳ結構的超大規模集成電路，可不受配線電容、門輸入電容的影響而高速工作。把電流輸出型門用作發送側門１１，且只在信號的躍遷期間使電容器５４充放電，其電流經電流密勒電路５５、５６放大后流過導通電路１５。接收側門３１是低輸入阻抗電流輸入型門。該門３１的結構為：將ＣＭＯＳ反相器３５的輸入輸出端短路連接，其兩個電源連接端分別通過p溝道ＭＯＳＦＥＴ電流密勒電路３７、３９和n溝道ＭＯＳＦＥＴ電流密勒電路３８、４１而連接在正和負的電源端子１６及１７上，兩個電流密勒電路的輸出側連接在導電通路１５上。

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