光電三極體
用於開關控制電路的半導體
光電三極體也是一種晶體管，它有三個電極。當光照強弱變化時，電極之間的電阻會隨之變化。光電三極體的時間響應常和PN結的結構及偏置電路等參數有關。光電三極體是在光電二極體的基礎上發展起來的光電器件，它本身具有放大功能。由於空穴的積累而引起發射區勢壘的降低，其結果相當於在發射區兩端加上一個正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當於三極體共發射極電路中的電流增益)的電子注入，這就是硅光電三極體的工作原理。光電三極體主要應用於開關控制電路及邏輯電路。光電三極體在偏置電壓為零時，無論光照度有多強，集電極電流都為零。光電三極體的伏安特性曲線向上偏斜，間距增大。
· 光電晶體管和普通晶體管類似，也有電流放大作用。只是它的集電極電流不只是受基極電路的電流控制，也可以受光的控制。
· 光電晶體管的外形，有光窗、集電極引出線、發射極引出線和基極引出線（有的沒有）。
· 國產器件稱為3DU系列。
· 光電晶體管的靈敏度比光電二極體高，輸出電流也比光電二極體大，多為毫安級。
· 但它的光電特性不如光電二極體好，在較強的光照下，光電流與照度不成線性關係。
· 正常運用時，集電極加正電壓。因此，集電結為反偏置，發射結為正偏置，集電結為光電結。
· 當光照到集電結上時，集電結即產生光電流Ip向基區注入，同時在集電極電路即產生了一個被放大的電流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β為電流放大倍數。
因此，光電晶體管的電流放大作用與普通晶體管在上偏流電路中接一個光電二極體的作用是完全相同的。
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光電三極體是在光電二極體的基礎上發展起來的光電器件，它本身具有放大功能。常見的光電三極體外形如圖l所示，文字元號表示為VT或V。
目前的光電三極體是採用硅材料製作而成的。這是由於硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度係數。硅光電三極體是用N型硅單晶做成N—P—N結構的。管芯基區面積做得較大，發射區面積卻做得較小，入射光線主要被基區吸收。與光電二極體一樣，入射光在基區中激發出電子與空穴。在基區漂移場的作用下，電子被拉向集電區，而空穴被積聚在靠近發射區的一邊。
光電三極體
光電三極體主要應用於開關控制電路及邏輯電路。
光電三極體
(1)電阻測量法(指針式萬用表1kΩ擋)。黑表筆接c極，紅表筆接e極，無光照時指針微動(接近∞)，隨著光照的增強電阻變小，光線較強時其阻值可降到幾kΩ～1kΩ以下。再將黑表筆接e極，紅表筆接c極，有無光照指針均為∞(或微動)，這管子就是好的
。
(2)測電流法。工作電壓5V，電流表串接在電路中，c極接正，e極接負，。無光照時小於0?3μA；光照增加時電流增加，可達2～5mA。
若用數字式萬用表20kΩ擋測試，紅表筆接c極，黑表筆接e極，完全黑暗時顯示1，光線增強時阻值隨之降低，最小可達1kΩ左右。
光電三極體在偏置電壓為零時，無論光照度有多強，集電極電流都為零。偏置電壓要保證光電三極體的發射結處於正向偏置，而集電結處於反向偏置。隨著偏置電壓的增高伏安特性曲線趨於平坦。
光電三極體的伏安特性曲線向上偏斜，間距增大。這是因為光電三極體除具有光電靈敏度外，還具有電流增益β，並且，β值隨光電流的增大而增大。
光電三極體的時間響應常和PN結的結構及偏置電路等參數有關。
光電三極體的時間響應由以下四部分組成：
① 光生載流子對發射結電容Cbe和集電結電容Cbc的充放電時間；② 光生載流子渡越基區所需要的時間；
③ 光生載流子被收集到集電極的時間；
④輸出電路的等效負載電阻RL和等效電容Cce所構成的RC時間；
總時間常數為上述四項和。比光電二極體的時間響應長。
硅光電二極體和硅光電三極體的暗電流Id和光電流IL均隨溫度而變化，由於硅光電三極體具有電流放大作用，所以硅光電三極體的暗電流Id和亮電流IL受溫度的影響要比硅光電二極體大得多。
光電二極體和光電三極體具有相同的光譜響應。
它的響應範圍為0.4~1.1μm，峰值波長為0.85μm。
由外觀上, 可以區分為罐封閉型和樹脂封入型, 而各型又可分別分為附有透鏡之型式 及單純附有窗口之型式。就半導體晶方 言之，材料有硅(Si)和鍺(Ge),大部份為硅。在晶方構造方面，可分為普通晶體管型和達林頓 晶體管型。再從用途加以分類時，可以分為以交換動作為目的之光敏三極體和需要直線性之光敏三極體，但光敏三極體的主流為交換組件，需要直線性時，通常使用光二極體.
在實際選用光敏三極體時，應注意按參數要求選擇管型。如要求靈敏度高，可選用達林頓型光敏三極體；如要求響應時間快，對溫度敏感性小，就不選用光敏三極體而選用光敏二極體。探測暗光一定要選擇暗電流小的管子，同時可考慮有基極引出線的光敏三極體，通過偏置取得合 適的工作點，提高光電流的放大係數。例如，探測10-3勒克斯的弱光，光敏三極體的暗電流必須小於0.1nA.
基本信息
- 外文名
- phototriode
- 學科
- 電子技術
- 屬於
- 半導體
- 特點
- 電流受外部光照控制