G.652
G.652
G.652光纖是目前已廣泛使用的單模光纖，稱為1310nm性能最佳的單模光纖，又稱為色散未移位的光纖。按纖芯折射率剖面，又可分為匹配包層光纖和下陷包層光纖兩類，兩者的性能十分相近，前者製造簡單，但在1550nm波長區的宏彎損耗和微彎損耗稍大；而後者連接損耗稍大。
目錄
主要指標:
1、衰減：ITU-T G.652建議規定光纖在1310nm窗口和1550nm窗口的衰減常數應分別小於0.5dB/km和0.4dB/km。1310窗口目前一般在0.3~0.4dB/km，典型值0.35dB/km；1550窗口目前一般在0.17~0.25dB/km，典型值0.20dB/km。
2、色散：零色散波長的允許範圍是1300~1324nm。在1550nm窗口的色散係數是正的。在波長1550nm處，色散係數D的典型值是17ps/(nm·km)，最大值一般不超過20ps/(nm·km)。
3、PMD：ITU-T建議規定，G.652光纖的PMD係數小於0.5ps/(km)^1/2，即400km光纖的PMD是10ps。但是，早期鋪設的光纖由於受當時的工藝條件限制，PMD係數有可能較大。
4、模場直徑：1310nm處的模場直徑是8.6~9.5μm，最大偏差不能超過±10%。在1550nm處，ITU-T建議沒有規定模場直徑，但一般大於10.3μm。
主要特性：
| G.652單模光纖特性 | ||
| 光學特性 | ||
| 典型衰減，@1310nm | ≤0.34dB/km | |
| 典型衰減，@1550nm | ≤0.20dB/km | |
| 零色散波長 | 1300-1324nm | |
| 零色散斜率 | ≤0.092ps/（nm·km） | |
| 模場直徑（MFD）@1310nm | 9.2±0.4μm | |
| 偏振模色散（PMD） | 單根光纖最大值 | ≤0.2ps/√km |
| 鏈路最大值 | ≤0.12ps/√km | |
| 截止波長λcc | ≤1260nm | |
| 有效群折射率（Neff）@1310nm | 1.4675 | |
| 有效群折射率（Neff）@1550nm | 1.4680 | |
| 宏彎損耗（60mm直徑，100圈）@1550nm | ≤0.1dB | |
| 背向散射特性（在1310nm和1550nm處） | ||
| 衰減局部不連續點 | ≤0.05dB | |
| 衰減均勻性 | ≤0.05dB | |
| 背向散射衰減係數差異（雙向測量） | ≤0.05dB/km | |
| 幾何特性 | ||
| 包層直徑 | 125±1μm | |
| 包層不圓度 | ≤1% | |
| 芯層/包層同心度誤差 | ≤0.5μm | |
| 塗覆層直徑(未著色) | 245±5μm | |
| 包層/塗覆層同心度誤差 | ≤12.0μm | |
| 光纖翹曲半徑 | ≥4m | |
| 交貨長度（公里/盤） | 24.7km；25.2km | |
| 機械性能 | ||
| 篩選應力最小值 | 0.69Gpa(100kpsi) | |
| 塗層剝離力（典型值） | 1.4N | |
| 動態疲勞參數Nd | ≥20 | |
| 環境特性（在1310nm和1550nm） | ||
| 溫度特性（-60°C~+85°C） | ≤0.05dB/km | |
| 熱老化特性（85°C±2°C，30天） | ≤0.05dB/km | |
| 浸水性能（23°C±2°C，30天） | ≤0.05dB/km | |
| 濕熱性能（85°C±2°C，RH85%，30天） | ≤0.05dB/km | |