半導體物理與器件

《半導體物理與器件》具體內容包括：半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件製備技術、Ga在SiO（2）/Si結構下的開管摻雜共6章。每章后附有內容小結、思考題和習題。書後有附錄，附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號表，附錄B是常用物理常數表，附錄c是鍺、硅、砷化鎵主要物理性質表，附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖表和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組合使用。

《半導體物理與器件》可作為半導體、微電子技術、應用物理等電子信息類專業本科生的必修教材，也可作為電子學相關專業本科生、研究生選修課教材，以及供信息技術領域人員參考。《半導體物理與器件》配有免費的教學課件，歡迎選用《半導體物理與器件》作為教材的老師索取。

前言

第1章半導體材料的基本性質

第2章PN結機理與特性

第3章雙極型晶體管

第4章MOS場效應晶體管

第5章半導體器件製備技術

第6章Ga在SiO2/Si結構下的開管摻雜

參考文獻

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