cid

感測器

電荷注入檢測器(charge injection device ),屬一種光學感測器,簡稱CID。

基本介紹


一種光學感測器
charge injection device(CID)sensor
CID英文全稱:(charge injection device ),中文全稱:電荷注入檢測器(CID)。
CID檢測器發明於1973年。CID 讀出方法是將電荷在檢測單元內部移動,檢測電壓的變化。
電荷注入檢測器原理,CID陣列上的每個像素可以單獨通過行列電極的電子標定指數來定址。不像CCD(電荷耦合式器件)在讀數的時候會將像素中收集的電荷轉移,電荷不會在CID陣列的點到點轉移。在電荷信息包在獨立所選擇的像素中的電容之間移動的時候,和所存儲的信息電荷成正比的移位電流被讀取。移位電流被放大,轉換成為電壓,作為部分複合視頻信號或者數字信號輸送給外部世界。由於信號電平被測定以後電荷完整無缺地保留在像素中,所以其讀數是非破壞性的。要對新的幀進行幾分而清除陣列,每個像素上的行和列電極就會即可切換到接地釋放,或者“注射”電荷到底層。CID是一種電荷注入器件,一種MOS結構,當柵極上加上電壓時,表面形成少數載流子(電子)的勢阱,入射光子在勢阱鄰近被吸收時,產生的電子被收集在勢阱里。
在CID中,信號電荷不用轉移,是直接注入體內形成電流來讀出的。即每當積分結束時,去掉柵極上的電壓,存貯在勢阱中的電荷少數載流子(電子)被注入到體內,從而在外電路中引起信號電流,這種讀出方式稱為非破壞性讀取(Non-Destructive Read Out),簡稱:NDRO.CID的NDRO特性使它具有優化指定波長處的信噪比(S/N)的功能。
同時CID可定址到任意一個或一組象素,因此可獲得如“相板”一樣的所有元素譜線信息。