PIN光電二極體

在上述的光電二極體的PN結中間摻入一層濃度很低的I型半導體，就可以增大耗盡區的寬度，達到減小擴散運動的影響，提高響應速度的目的。由於這一摻入層的摻雜濃度低，近乎本徵（Intrinsic）半導體，故稱I層，因此這種結構成為PIN光電二極體。I層較厚，幾乎佔據了整個耗盡區。絕大部分的入射光在I層內被吸收併產生大量的電子-空穴對。在I層兩側是摻雜濃度很高的P型和N型半導體，P層和N層很薄，吸收入射光的比例很小。因而光產生電流中漂移分量佔了主導地位，這就大大加快了響應速度。

在P型半導體和N型半導體之間夾著一層本徵半導體。因為本徵層相對於P區和N區是高阻區這樣，PN結的內電場就基本上全集中於I層中。

本徵層的引入，明顯增大了p+區的耗盡層的厚度，這有利於縮短載流子的擴散過程。耗盡層的加寬，也可以明顯減少結電容，從而使電路常數減小。同時耗盡加寬還有利於對長波區的吸收。性能良好的PIN光電二極體，擴散和漂移時間一般在10-10s數量級，頻率響應在千兆赫茲。實際應用中決定光電二極體的頻率響應的主要因素是電路的時間常數。合理選擇負載電阻是一個很重要的問題。

1、光電二極體和它的負載電阻RC的時間常數。

2、載流子在度越區的耗盡時間。

3、耗盡區外產生的載流子由於擴散而產生的時間延遲。

頻帶寬（可達10GHz）

靈敏度高

線性輸出範圍寬

雜訊低