江潮

現為國家納米科學研究中心研究員。

研究方向

低維半導體納米結構的外延生長製備和物性研究。

自1998年7月至2005年12月先後在日本北海道大學量子集成電子學研究中心和東京大學生產技術研究所從事博士后研究。2005年底回國加入國家納米科學中心任研究員、博士生導師，獲中科院“百人計劃”項目資助。

以往的研究經歷和主要成果包括：化合物半導體分子束外延（MBE）材料生長和相關器件製備。特別是研究了與GaSb基半導體量子點（Quantum Dot）相關的外延生長，物理光學性質和輸運特性。並應用分子束外延的方法實現了非平麵條紋圖形襯底的選擇外延生長原子平滑的高質量脊型量子線及其相關物性的研究。獲中國國家科技進步三等獎一項。曾多次參加國際重要學術會議，近年已在國際科技期刊上發表SCI收錄文章三十餘篇。

擬開展的研究方向

新型化合物半導體納米材料和結構的生長特性研究；

新型納米量子結構及半導體異質結器件研究；

微納米半導體結構是物理表徵；

開展物理、生物和化學之間交叉的新興科學的研究。