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王占國
半導體材料物理學家
王占國，男，1938年12月生，河南省鎮平人，半導體材料及材料物理學家，中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、博士生導師。
王占國1962年畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體所工作。曾任中科院半導體所副所長，國家高技術新材料領域專家委員會委員、常委、功能材料專家組組長。1995年當選為中國科學院院士。
王占國長期從事半導體材料光電性質、半導體深能級和光譜物理研究，砷化鎵材料與器件關係研究，半導體低維結構材料與量子器件研究等工作。
王占國
1962年，畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體所工作。
1980年至1983年，王院士赴瑞典隆德大學固體物理系，從事深能級物理和光譜物理研究。
1986年，任中國科學院半導體所研究員，材料室主任。
1990年，被批准為博士生導師。
1990年至1994年，任中國科學院半導體所副所長。
科研綜述
據2020年6月中國科學院半導體所官網顯示，王占國長期從事半導體材料和材料物理研究。從1980年起，主要從事半導體深能級物理和光譜物理研究，提出了識別兩個深能級共存系統兩者是否是同—缺陷不同能態的新方法，解決了國際上對GaAs中A、B能級和硅中金受主及金施主能級本質的長期爭論。提出混晶半導體中深能級展寬和光譜譜線分裂的物理模型，解釋了它們的物理起因。提出了GaAs電學補償五能級模型和電學補償新判據。協助林蘭英先生，首次在太空從熔體中生產了GaAs產品並對其光電性質作了系統研究。近年來，領導的實驗組又在應變自組裝In(Ga)As/GaAs，In(Ga)As/InAlAs/InP等量子點（線）與量子點（線）超晶格材料和量子級聯激光器和探測器材料生長和大功率量子點激光器、量子級聯激光器和探測器以及太赫茲激光器研製方面獲得突破。最近，又提出了柔性襯底的概念，開拓了大失配材料體系研製的新方向。
科技成果獎勵
| 獲獎項目 | 獲獎年份 | 獲獎級別 |
|---|---|---|
| 自組織生長量子點激光材料和器件研究 | 2001 | 國家自然科學二等獎 |
| - | 1990 | 國家科技進步三等獎 |
| - | 2000 | 中國科學院自然科學一等獎 |
| - | 1989 | 中國科學院科技進步一等獎 |
| - | 1995、1997 | 中國科學院科技進步二等獎 |
| - | 1990 | 中國科學院科技進步三等獎 |
| - | - | 國家重點科技攻關獎 |
承擔項目
| 來源 | 名稱 | 備註 | 時限 |
|---|---|---|---|
| 國家重點基礎研究發展規劃項目 | 信息功能材料相關基礎問題 | 首席科學家 | 2000年10月-2005年9月 |
| 國家重點基礎研究發展規劃項目 | 應變自組織量子點、量子線材料的可控生長和器件應用 | 負責人 | 2006年9月-2011年9月 |
| 國家自然科學基金重大研究計劃重點課題 | 半導體量子點中間帶光伏電池基礎研究 | 學術骨幹 | 2014年9月-2018年9月 |
| 國家自然科學基金重大項目子課題 | 有機/無機複合半導體複合光伏器件結構設計、製備與性質研究 | 負責人 | 2010年1月-2013年12月 |
學術論著
據2020年6月中國科學院半導體所官網顯示，王占國先後與合作者一起在國際學術刊物發表論文200餘篇。
2. 王占國，陳涌海，葉小玲等..納米半導體技術[M].北京：化學工業出版社，2006.
3. 王占國，鄭有炓等。半導體材料研究進展[M].北京：高等教育出版社，2012.
培養理念
王占國在科研方面的體會：一是作為科技工作者要實事求是、堅持真理；二是不盲從權威，敢於挑戰科學難題；三是要有不恥下問、打破砂鍋問到底的精神。
王占國
培養成果
據2020年6月中國科學院半導體所官網顯示，王占國先後培養碩士、博士和博士后百餘名。
1995年當選為中國科學院院士。
2001年獲得何梁何利科學與技術進步獎。
王占國曾任國家高技術新材料領域專家委員會委員、常委、功能材料專家組組長。
據2020年6月西安交通大學官網顯示，王占國任半導體材料科學重點實驗室學委會主任、中國電子學會半導體和集成技術分會主任、中國材料研究學會副理事長、國家自然科學基金重大研究計劃"光電信息功能材料"專家組副組長、北京市人民政府第八屆專家顧問團顧問、天津市人民政府特聘專家和多個國際會議顧問委員會委員以及多所高校特聘和兼職教授。
王院士在半導體材料和材料物理領域取得了傑出的成就。在早期職業生涯中，他致力於人造衛星用硅太陽能電池輻照效應以及和電子材料、器件和組件的靜態、動態和核瞬態輻照效應研究，為中國的兩彈一星事業做出了貢獻。 （《半導體學報》評）
王占國院士為中國半導體材料和材料物理研究方面做出的系統性和創新性的突出貢獻，擁有堅持不懈、銳意進取的科學精神和愛國奉獻、平易近人的優秀品質，為學部發展、國家科學思想庫建設和在青年科技人才培養方面取得了突出成績。 （中國科學院院長、黨組書記白春禮評）
王占國
“近60年來，王占國院士在半導體材料科學研究等方面取得了一系列重大成果，為國家半導體科技事業的發展做出了突出貢獻；王占國院士心繫國家和半導體所的發展，為我國科技事業和半導體所的發展建言獻策；王占國院士以教育為己任，甘為人梯、提攜後進，為國家培養和造就了一大批優秀科技人才。他還回顧了自己1993年作為博士生進入半導體所時，王占國院士對他的深切教誨，指出王占國院士堅持真理的科學精神、報效祖國的愛國情操和淡泊名利的崇高品格為我們樹立了楷模，是我們晚輩後學的寶貴財富。” （中科院副院長、中國科學院大學黨委書記、校長李樹深院士評）
“近60年來，王院士以強烈的事業心、責任感、使命感，為我國半導體材料學科建設和技術創新做出了傑出貢獻，而且毫無保留地將自己的學識、經驗、成果奉獻、傳授給年輕一代，為推進人才培養做出了卓越貢獻。” （中國科學院半導體所副所長祝寧華評）
