半導體材料研究進展

本書首先回顧了半導體材料的發展史，簡述了半導體材料的生長機理和現代半導體材料製備與表徵新技術；然後對元素半導體鍺、硅單晶材料以及硅基異質結構材料的製備、物性及其在微電子、光伏電池和光電集成方面的應用做了概述；接著介紹以GaAs、InP為代表的Ⅲ-V族化食物單晶襯底材料、趣晶格量子阱、量子線和量子點材料及應用，寬禁帶GaN基Ⅲ族氮化物異質結構材料和SiC單aaa、外延材料及其相關器件應用；進而重點描述近年來得到迅速發展的以Zn0為代表的II-VI族半導體材料的研究現狀與發展趨勢；最後分別介紹HgCdTe等半導體紅外探測材料和金剛石與立方氮化硼半導體材料的最新研究進展。

徠第一章　緒論

1.1　半導體材料發展簡史

1.2　半導體材料功能結構的演進

1.2.1　半導體三維結構材料

1.2.2　半導體低維結構材料

1.3　半導體材料生長動力學模式

1.3.1　半導體材料生長方法概述

1.3.2　塊狀半導體晶體生長動力學

1.3.3　半導體異質結構材料外延生長動力學

1.3.4　半導體納米材料的氣-液-固(VLS)反應生長動力學

1.4　碳基材料——石墨烯與碳納米管

1.4.1　石墨烯

1.4.2　碳納米管

參考文獻

第二章　現代半導體材料製備和表徵技術

王占國，半導體材料及材料物理學家。1938年12月29日生於河南鎮平縣。1962年畢業於南開大學物理系，同年到中國科學院半導體研究所工作至今。現任中國科學院半導體研究所研究員，中國電子學會常務理事、半導體和集成技術分會主任，中國材料研究學會榮譽理事，國家“973計劃”材料領域諮詢專家組組長，以及多個國際會議顧問委員會委員等。主要從事半導體材料和材料物理以及半導體低維結構生長、性質和量子器件研製等方面研究，先後獲國家自然科學二等獎、國家科技進步三等獎，中國科學院自然科學一等獎和科技進步一、二和三等獎以及何梁何利科技進步獎等多項，與合作者一起發表SC 。