光衰

光致衰退效應也稱S-W效應。a-Si∶H薄膜經較長時間的強光照射或電流通過，在其內部將產生缺陷而使薄膜的使用性能下降，稱為Steabler-Wronski效應。

光致衰退效應起因

對S-W效應的起因，至今仍有不少爭議，造成衰退的微觀機制也尚無定論，成為迄今國內外非晶硅材料研究的熱門課題。總的看法認為，S-W效應起因於光照導致在帶隙中產生了新的懸掛鍵缺陷態(深能級)，這種缺陷態會影響a-Si∶H薄膜材料的費米能級EF的位置，從而使電子的分佈情況發生變化，進而一方面引起光學性能的變化，另一方面對電子的複合過程產生影響。這些缺陷態成為電子和空穴的額外複合中心，使得電子的俘獲截面增大、壽命下降。

在a-Si∶H薄膜材料中，能夠穩定存在的是Si-H鍵和與晶體硅類似的Si-Si鍵，這些鍵的鍵能較大，不容易被打斷。由於a-Si∶H材料結構上的無序，使得一些Si-Si鍵的鍵長和鍵角發生變化而使Si-Si鍵處於應變狀態。高應變Si-Si鍵的化學勢與H相當，可以被外界能量打斷，形成Si-H鍵或重新組成更強的Si-Si鍵。如果斷裂的應變Si-Si鍵沒有重構，則a-Si∶H薄膜的懸掛鍵密度增加。為了更好地理解S-W效應產生的機理並控制a-Si∶H薄膜中的懸掛鍵，以期尋找穩定化處理方法和工藝，20多年來，國內外科學工作者進行了不懈的努力，提出了大量的物理模型，主要有弱鍵斷裂(SJT)模型、“H玻璃”模型、H碰撞模型、Si-H-Si橋鍵形成模型、“defect pool”模型等，但至今仍沒有形成統一的觀點。

LED光衰是指LED經過一段時間的點亮后，其光強會比原來的光強要低，而低了的部分就是LED的光衰. 一般LED封裝廠家做測試是在實驗室的條件下(25℃的常溫下)，以20MA的直流電連續點亮LED1000小時來對比其點亮前後的光強.

光衰計算方法

N小時的光衰=1-（N小時的光通量/0小時的光通量）

LED光衰影響因素

針對LED的光衰主要有以下二大因素：

1.LED產品本身品質問題

• 採用的LED晶元體質不好，亮度衰減較快。

• 生產工藝存在缺陷，LED晶元散熱不能良好的從PIN腳導出，導致LED晶元溫度過高使晶元衰減加劇。

2. 使用條件問題

• LED為恆流驅動，有部分LED採用電壓驅動使LED衰減過快。

• 驅動電流大於額定驅動條件。

其實導致LED產品光衰的原因很多，最關鍵的還是熱的問題，儘管很多廠商在次級產品不特別注重散熱的問題，但這些次級LED產品長期使用下，光衰程度會比有注重散熱的LED產品要高。LED晶元本身的熱阻、銀膠的影響、基板的散熱效果，以及膠體和金線方面也都與光衰有關係。

普通白熾燈光衰影響因素

泡殼越大、光衰越小，即與鎢的蒸發量沉積擋住光輸出成正比。而充氣燈泡由於部分地阻止鎢絲蒸發所以光衰要小。

如果是白熾燈用相同燈絲，做在不同大小泡殼里，相對來說同一時間點的光衰的確大泡殼的比小泡殼的小。另外，同樣是充氣泡大玻殼的燈泡內部空間大，氣體對流到玻殼有比較大散熱面積，相對小玻殼燈的溫度低很多，則燈絲的溫度也相對低，發光效率低，鎢絲的蒸發率也低，所以光衰要小。但同樣的燈絲在大玻殼的光效比小玻殼的燈絲低很多。所以在燈絲設計的時候是分開設計的，在現實生產中的可比意義不大。