Wannier激子

Wannier激子（Wannierexciton）半導體吸收具有帶隙能量的光子時產生的電子空穴對，在低溫下沒有足夠的動能使它們分開，相互靠近的電子、空穴由於庫侖互作用而形成的一個束縛態，很像氫原子中的質子與電子那樣。Wannier激子的能量為

En=-13.6μ/ε2n2，n為量子數，ε為介電常數，μ是電子和空穴的摺合有效質量，它的能級在導帶底以下幾個毫電子伏範圍，因而在半導體的基本吸收邊的長波側可看到幾個清晰的激子吸收峰，對應於處在量子數n較低的一些激子狀態。