PNP型三極體

PNP型三極體發射極電位最高，集電極電位最低，UBE<0。

三極體按結構分，可分為NPN型三極體和PNP型三極體。

右圖PNP型三極體。

三極體導通時IE=（放大倍數+1)*IB和ICB沒有關係，ICB=0 ICB>0時，可能三極體就有問題，所以三極體在正常工作時，不管是工作在放大區還是飽和區ICB=0

當UEB>0.7V(硅)(鍺0.2V)，RC/RB<放大倍數時，三極體工作在飽和區，反之就工作在放大區。

PNP型三極體與NPN型三極體區別

2個PN結的方向不一致。

PNP是共陰極，即兩個PN結的N結相連做為基極，另兩個P結分別做集電極和發射極；電路圖裡標示為箭頭朝內的三極體。

NPN則相反

工作原理：

晶體三極體按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極體，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。

對於NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。

當b點電位高於e點電位零點幾伏時，發射結處於正偏狀態，而C點電位高於b點電位幾伏時，集電結處於反偏狀態，集電極電源Ec要高於基極電源Ebo。

在製造三極體時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大於基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由於發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）基極區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大於後者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流Ie。

由於基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行複合，被複合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo。根據電流連續性原理得：

Ie=Ib+Ic

這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關係，即：

β1=Ic/Ib

式中：β1--稱為直流放大倍數，

集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：

β= △Ic/△Ib

式中β--稱為交流電流放大倍數，由於低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。

同理，PNP三極體則主要是形成空穴電流，其餘原理基本相近。

三極體是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極體的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。