NMOS

N型金屬氧化物半導體

NMOS(英文全稱為:N-Mental-Oxide-Semiconductor),意思為N型金屬氧化物半導體,擁有這種結構的晶體管稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路,由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路,由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路,由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路,即CMOS電路。

主要結構


NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金屬氧化物半導體)。
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底(提供大量可以動空穴)上,製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量為電流流動提供自由電子的電子源),並用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極D和源極S。然後在半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極(通常是多晶硅),作為柵極G。在襯底上也引出一個電極B,這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。
它的柵極與其它電極間是絕緣的。

工作原理


控制作用

① vGS=0 的情況
從圖1(a)可以看出,增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時,即使加上漏——源電壓vDS,而且不論vDS的極性如何,總有一個PN結處於反偏狀態,漏——源極間沒有導電溝道,所以這時漏極電流iD≈0。
② vGS>0 的情況
若vGS>0,則柵極和襯底之間的SiO2絕緣層中便產生一個電場。電場方向垂直於半導體表面的由柵極指向襯底的電場。這個電場能排斥空穴而吸引電子。
排斥空穴:使柵極附近的P型襯底中的空穴被排斥,剩下不能移動的受主離子(負離子),形成耗盡層。吸引電子:將 P型襯底中的電子(少子)被吸引到襯底表面。
NMOS
NMOS

導電溝道的形成

當vGS數值較小,吸引電子的能力不強時,漏——源極之間仍無導電溝道出現,如圖1(b)所示。vGS增加時,吸引到P襯底表面層的電子就增多,當vGS達到某一數值時,這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層,且與兩個N+區相連通,在漏——源極間形成N型導電溝道,其導電類型與P襯底相反,故又稱為反型層,如圖1(c)所示。vGS越大,作用於半導體表面的電場就越強,吸引到P襯底表面的電子就越多,導電溝道越厚,溝道電阻越小。
開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓,用VT表示。
上面討論的N溝道MOS管在vGS

vDS對iD的影響

雙電機驅動原理示意圖
雙電機驅動原理示意圖
如圖(a)所示,當vGS>VT且為一確定值時,漏——源電壓vDS對導電溝道及電流iD的影響與結型場效應管相似。
漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓最大,這裡溝道最厚,而漏極一端電壓最小,其值為VGD=vGS-vDS,因而這裡溝道最薄。但當vDS較小(vDS
隨著vDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)時,溝道在漏極一端出現預夾斷,如圖2(b)所示。再繼續增大vDS,夾斷點將向源極方向移動,如圖2(c)所示。由於vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區,故iD幾乎不隨vDS增大而增加,管子進入飽和區,iD幾乎僅由vGS決定。

反向保護電路


反向保護電路中用到PMOS,不用使用二極體是壓降更小耗散無用功更少。別看有一個寄生正向二極體,但它完全沒有用處。在電路正常通電時,GATE接在遠低於D端的0電位上,此PMOS是完全導通的。反接電源時GATE的電位又遠高於S端,PMOS完全截止。