RRAM

解釋1

RRAM是一種“根據施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同，使材料的電阻在高阻態和低阻態間發生相應變化，從而開啟或阻斷電流流動通道，並利用這種性質儲存各種信息的內存”。

解釋2

RRAM，又稱憶阻器（英語：memristor /ˈmɛmrɨstər/），又名記憶電阻（英語：memory resistors），是一種被動電子元件。憶阻器被認為是電路的第四種基本元件，僅次於電阻器、電容器及電感元件。

憶阻器可以在關掉電源后，仍能“記憶”通過的電荷。兩組的憶阻器更能產生與晶體管相同的功能，但更為細小。最初於1971年，柏克萊加州大學的蔡少棠預測憶阻器的出現，之後從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結構的薄膜中發現了電場作用下的電阻變化，並應用到了下一代非揮發性存儲器-阻抗存儲器(RRAM)中。2008年4月，惠普公司公布了基於TiO2的RRAM器件，並首先將RRAM和憶阻器聯繫起來。

解釋1關聯的最新動向

三星電子成功開發出備受業界矚目的阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory)“可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫內存技術”。

利用三星電子開發成功的RRAM技術製成的內存產品，和現有內存相比，擦寫速度提高了100萬倍，可反覆擦寫1兆次，保證了產品優異的耐久性。不僅如此，還可以大幅降低電流量，因此在業界產生了極大的反響。而且，該產品將原來分別需要一個晶體管和寄存器(Register)的1T1R(1 Transistor 1 Register) RRAM結構變成不需要額外晶體管的結構，因此可以提供進一步擴展內存容量的可能性。