馬佐平
美國耶魯大學教授
馬佐平，1945年11月生於甘肅省蘭州市，微納電子科學家，美國國家工程院院士、中國科學院外籍院士、台灣“中央研究院”院士，耶魯大學Raymond John Wean講座教授。
馬佐平於1968年從台灣大學電機系畢業后赴美國留學；1974年從美國耶魯大學博士畢業后，進入國際商業機器公司（IBM）系統產品部工作；1977年進入耶魯大學電機系工作，先後擔任副教授、教授；1991年至1995年擔任耶魯大學電機系主任；1999年至2016年擔任耶魯大學電機系微電子中心共同主任；2002年擔任耶魯大學Raymond John Wean講座教授；2003年當選為美國國家工程院院士；2005年至2014年擔任北京大學—耶魯大學微電子及納米技術聯合研究中心共同主任；2008年當選為中國科學院外籍院士；2012年當選為第29屆台灣“中央研究院”院士。
馬佐平的研究領域集中在半導體、積體電路和前緣記憶儲存科技，以及電晶體材料及器件物理方面。
1945年11月，馬佐平出生於中國甘肅省蘭州市，原籍浙江省東陽市。
1949年，四歲時隨父母到了台灣。
1968年，從台灣大學電機系畢業，此後赴美國留學。
馬佐平
1971年，從美國耶魯大學畢業，獲得碩士學位。
1974年，從美國耶魯大學畢業，獲得博士學位。
1974年—1975年，擔任國際商業機器公司（IBM）系統產品部高級副工程師。
1975年—1977年，擔任IBM系統產品部正工程師。
1977年—1985年，擔任耶魯大學電機系及應用物理系副教授。
1983年，擔任美國加州大學柏克萊分校訪問員。
1985年，晉陞為教授。
1988年—1991年，擔任耶魯大學電機系代理系主任。
1991年—1995年，擔任耶魯大學電機系主任。
1999年—2016年，擔任耶魯大學電機系微電子中心共同主任。
2000年—2007年，擔任耶魯大學電機系主任。
2002年7月，擔任耶魯大學Raymond John Wean講座教授。
2003年，當選為美國國家工程院院士。
2005年—2014年，擔任北京大學—耶魯大學微電子及納米技術聯合研究中心共同主任。
2008年，當選為中國科學院外籍院士。
2012年，當選為第29屆台灣“中央研究院”院士。
● 科研綜述
馬佐平於1970年始在做超薄（～4納米）柵氧化硅研究中指出隧穿電流對MOS特性的重要影響，發現了輻射效應或熱載子效應所產生的界面陷阱與在界面附近的應變分佈有直接的關聯，而據此提出一個“柵誘導的應變分佈”模式來解釋實驗的結果，推出在柵氧化硅內摻入極小量的諸如氟、氯或氮等雜質來促成應變的弛豫以降低輻射或熱載子效應的方法。發現了一個在經歷輻照MOS內的界面陷阱的轉型現象，並隨後對此做了系統的研究。他最先提出用氮化硅（Si3N4）做MOS柵介質以取代二氧化硅（SiO2）的概念並首先用實驗證明其可行性，推動了引入用更高介電常數的柵介質的理念，進而推展未來的MOS科技。Intel、IBM等公司宣布量產High-k Gate Dielectrics的晶元，正式實踐了馬佐平的早期理念。他的研究小組創先使用“非彈性電子隧道譜”（IETS）的方法來探測超薄高介電常數的介質內的微結構、微缺陷及雜質。
● 指導學生
根據2021年4月中國科學院網站顯示，馬佐平在耶魯大學培養了大批華裔微電子科技專家，其中40多位中國學生在他指導下獲得博士學位。
● 合作交流
根據2021年4月中國科學院網站顯示，馬佐平從1993年以來，幾乎每年都回國，多次到中國空間技術研究院、中國科學院、清華大學、北京大學、山東大學、天津大學、復旦大學、上海交通大學、廈門大學等科研機構和大學講學。
1994年至2000年間，馬佐平研究小組與中國科學院新疆物理所的輻射效應小組密切合作，促使中國科學院新疆物理所成為中國的半導體器件的輻射效應中心之一。2002年到2005年，與清華大學共同研發製造先進的快閃記憶體器件。2005年，馬佐平與北大微電子學研究院王陽元共同成立了北京大學—耶魯大學微電子及納米技術聯合研究中心，合作研討微電子及納米電子領域的最先進的科學課題。
● 教育成果獎勵
馬佐平兩次得BFGoodrich之全美國大學生髮明人指導教授獎（1993年，1998年） 。
| 時間 | 榮譽表彰 | 授予單位 |
|---|---|---|
| 1991 | 美國洋基創新獎（Yankee Ingenuity Award） | |
| 1994 | 電氣與電子工程師協會會士（IEEE Fellow） | 電氣與電子工程師協會（IEEE） |
| 1998 | Paul Rappaport獎 | 電氣與電子工程師協會電子器件社（IEEE Electron Device Society） |
| 2003年 | 美國國家工程院院士 | 美國國家工程院 |
| 2005年 | 安德魯。葛洛夫大獎（Andrew Grove） | 電氣與電子工程師協會（IEEE） |
| 2006年 | 大學研究大獎（首位華人） | 美國半導體工業協會（Semiconductor Industry Association） |
| 2008年 | 美國康乃迪克科技獎牌（Connecticut Medal of Technology） | |
| 2008年 | 中國科學院外籍院士 | 中華人民共和國國務院 |
| 2014年 | 台灣大學傑出校友獎 | 台灣大學 |
| 2016年 | 台灣交通大學榮譽博士學位 | 台灣交通大學 |
| 2018年 | 美國華人科技協會傑出成就獎 | 美國華人科技協會 |
在美國及國際主要學術刊物上發表近200篇學術論文：（以下是代表作）
"Mobility Measurement and Degradation Mechanisms of MOSFETs Made with Ultra-Thin High-k Dielectrics," IEEE Trans. Electron Devices, VED-51(1), 98-105 (2004).
"Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy Study of Ultra-thin HfO2 and HfAlO," Appl. Phys. Lett., 83(13), 2605 (2003).
"High Temperature (450 C) Reliable NMISFETs on P-type 6H-SiC," X. Wang, T.P. Ma, et al., paper 8.7, Technical Digest of International Electron Device Meeting, Washington DC., Dec. 5-8 (1999).
"Making Silicon Nitride Film a Viable Gate Dielectric," T.P. Ma, IEEE Trans. Electron Dev., 45, 680 (1998).
馬佐平獲世界電子與電機工程學會葛洛夫獎
2005年8月22日
華聲報訊：據美國《世界日報》報道，“世界電子與電機工程學會”(IEEE)日前宣布，將把今年度的安德魯·葛洛夫獎頒發給現任耶魯大學電機系及微電子中心華裔主任馬佐平教授，以表彰他在研發“互補性氧化金屬半導體”閘介極科技方面的卓越貢獻。
馬佐平8月17日對於獲得該獎表示相當興奮，但他也不忘將這份榮耀與共事研究的耶大電機系研究生分享。馬佐平指出，他的研究團隊共有10位學生，其中除了一名為白人學生外，其它皆為來自大陸或台灣的留學生，他表示這個獎是該團隊共同努力的成果。
馬佐平從1993年開始研究互補性氧化金屬半導體，這個安裝在計算機內存內的半導體，主要有三項功能――省電、快速處理和節省成本。他舉例說，一般計算機內的半導體，若希望能加快其處理速度，則需要消耗較多的電能，但他的研究成果則讓未來類似的半導體在高速運算的情形下使用較少的電能，這項科技還可運用在一般生活中，如手機、收音機等家電上，他指出，未來的手機或許可以更精密且耗電量更少。
具有悠久歷史的世界電子與電機工程學會是目前全世界最大的職業科技機構，現有會員約36萬人，來自全世界170個國家，包含了航天、計算機科技、生化等各方面人才，葛洛夫獎是特為紀念英特爾公司創辦人兼董事長葛洛夫而設立，每年只頒發一名給對計算機科技有卓越貢獻的研究者。
> Advanced Gate Dielectrics
> Flash Memory Devices
> MIS Devices Based on SiC, GaN, GaP, SiGe, and InAs
> Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy (IETS)
> Ferroelectric Thin Films for Memory Technology
| 時間 | 擔任職務 |
|---|---|
| 1998年 | 中國科學院新疆物理所名譽教授、天津大學名譽教授、台灣交通大學名譽教授、北京清華大學、北京大學名譽客座教授、復旦大學名譽顧問教授 |
| 2001年—2011年 | 旺宏電子股份有限公司顧問 |
| 2001年—2014年 | 台灣積體電路製造股份有限公司顧問 |
| 2003年—2006年 | 台灣工業研究院納米科技顧問委員會委員 |
| 福建省信息產業專家委員會委員 | |
| 福建省人民政府顧問 | |
| 蘇州工業園區微電子業首席顧問 | |
| 中華人民共和國信息產業部十五、十一五規劃顧問 |
馬佐平對金屬/氧化物/半導體（MOS）的科學認知及技術發展，尤其是在MOS柵介質（包括高介電常數的柵介質）的科技領域做出重要貢獻。（中國科學院評）
馬佐平在推動全球半導體科技進展和教育傑出人才方面做出了重要貢獻。（台灣交通大學評）
馬佐平以半導體物理科技專長享譽國際，在MOS閘極介質的科技領域內有領先性的研究成果，為半導體科技邁進全新時代帶來重要影響。其所培育的學生也成為半導體和電腦硬體領域的先驅。（台灣交通大學校長張懋中評）
