真空鍍

真空鍍

真空鍍主要包括真空蒸鍍、濺射鍍和離子鍍幾種類型,它們都是採用在真空條件下,通過蒸餾或濺射等方式在塑件表面沉積各種金屬和非金屬薄膜,通過這樣的方式可以得到非常薄的表面鍍層,同時具有速度快附著力好的突出優點,但是價格也較高,可以進行操作的金屬類型較少,一般用來作較高檔產品的功能性鍍層。

簡介


真空蒸鍍:在高真空下,通過金屬細絲的蒸發和凝結,使金屬薄層附著在塑膠表面。真空蒸鍍過程中金屬(最常用的鋁)的熔融,蒸發僅需幾秒鐘,整個周期一般不超過15s,鍍層厚度為0.8-1.2uM。
設計真空蒸鍍塑料製品應避免大的平坦表面,銳角和銳邊。凹凸圖案、紋理或拱形表面效果最佳。真空蒸鍍很難獲得光學平面樣製品表面。
真空鍍層附著力比水鍍好很多,但價格稍微貴一些。
A9手機的面殼鍍銅后鍍LOU,共10μ,鍍LOU層0.18μ。真空電鍍相對於水電鍍來講,表面硬度較低,但污染較小。真空鍍不導電。

應用


目前水電鍍在重工業上應用較多(汽車等),而真空電鍍則廣泛應用於家用電器、化妝品包裝。
如果真空電鍍的硬度能達到水電鍍的等級,那麼水電鍍將要消失了。
目前很多手機上的金屬外觀件,都採用PVD真空離子鍍,不僅能夠提供漂亮的顏色而且耐磨性很好。不過比較貴,成本較高。
濺射鍍:磁控濺射鍍膜設備:
磁控濺射鍍膜設備是一種多功能、高效率的鍍膜設備。可根據用戶要求配置旋轉磁控靶、中頻孿生濺射靶、非平衡磁控濺射靶、直流脈衝疊加式偏壓電源等,
組態靈活、用途廣泛,主要用於金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷等)的工件鍍鋁、銅、鉻、鈦金、銀及不鏽鋼等金屬膜或非金屬膜及滲金屬DLC膜,所鍍膜層均勻、緻密、附著力強等特點,可廣泛用於家用電器、鐘錶、工藝美術品、玩具、車燈反光罩以及儀器儀錶等表面裝飾性鍍膜及工模具的功能塗層。
a旋轉磁控濺射鍍膜機;旋轉磁控濺射鍍膜技術,是國內外最先進的磁控濺射鍍膜技術,靶材利用率達到70~80%
以上,基體鍍膜均勻,色澤一致。
b平面磁控濺射鍍膜機;
c中頻磁控濺射鍍膜機;
d射頻磁控濺射鍍膜機。
可以在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)的工件鍍金屬鋁、銅、鈦金、鋯、銀、不鏽鋼及金屬反應物(氧化
物、氮化物、炭化物)、半導體金屬及反應物。所鍍膜層均勻、緻密、附著力好等特點。
一、單室/雙室/多室磁控濺射鍍膜機
該鍍膜機主要用於各種燈飾、家電、鍾表、玩具以及美術工藝等行業,在金屬或非金屬(塑料、玻璃、陶瓷)等
製品鍍制鋁、銅、鉻、鈦、鋯、不鏽鋼等系列裝飾性膜層。
技術指標:
真空室尺寸:可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室
極限壓力:8×10-4Pa
恢復真空度時間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min(根據用戶要求定)
工作真空度:10~1.0× 10-1Pa
工藝氣體進入裝置:質量流量控制器(可選配自動壓強控制儀)
轉動工件架形式:公 / 自轉工件架
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/混合濺射源
可以選配:基片烘烤裝置;反濺射清洗
二、單室/雙室/多室磁控反應濺射鍍膜機
該鍍膜機主要用於太陽能吸熱管所需要的鍍膜塗層(如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti);高級轎車後視鏡鍍膜
(藍玻);裝飾仿金、七彩鍍膜;透明導電膜(ITO膜);保護膜。
真空室尺寸:可以根據用戶的要求設計成單室或雙室或多室
極限壓力:8×10-4Pa
恢復真空度時間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根據用戶要求定)
工作真空度:10~1.0× 10-1Pa
工藝氣體進入裝置:質量流量控制器(可選配自動壓強控制儀)
工作氣路:2路或3路
轉動工件架形式:公 / 自轉工件架
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/混合濺射源
三、多功能鍍膜機
設備基本配置:
真空室
工件轉動系統
真空抽氣系統
工作氣體供氣系統
濺射系統:
平面濺射/柱狀濺射/中頻濺射/射頻濺射系統
動系統
控制系統
冷卻系統
技術指標:
真空室尺寸:φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根據用戶的要求設計成箱式
極限壓力:8×10-4Pa
恢復真空度時間:空載 從大氣至 5 × 10-2Pa ≤ 15min(根據用戶要求定)
工作真空度:10~1.0× 10-1Pa
工藝氣體進入裝置:質量流量控制器(可選配自動壓強控制儀)
工作氣路:2路或4路
轉動工件架形式:公 / 自轉工件架
濺射源:矩形平面濺射源(1~4個)/柱狀濺射源(1個)/中頻濺射源/射頻濺射源/混合濺射源
用途:本設備應用磁控濺射原理,在真空環境下,在玻璃、陶瓷等非金屬;半導體;金屬基體上製備各種金屬膜、合
金膜、反應化合物膜、介質膜等等。
四、實驗系列磁控濺射鍍膜機
技術指標:
真空室:φ450×400
極限壓力:5×10-5Pa
工作壓力:1~1.0× 10-2Pa
真空系統主泵:渦輪分子泵
陰極靶數量:2~5個
工作氣體控制:質量流量控制器,自動壓強控制儀
工作氣路:2路或4路
靶電源:直流磁控濺射源(10000W),
中頻電源(10000W),
射頻電源(2000W)。
工件轉動:行星式公自轉
工件負偏壓:/
性能特點:磁控靶數量多,靶材種類變化大,各種參數變化範圍大,所鍍制膜層有金屬、合金、化合物,可鍍制單
層或多層膜。
五、中頻磁控濺射鍍膜機
中頻磁控濺射鍍膜技術是磁控技術另一新里程碑,是鍍制化合物(氧化物、氮化物、碳化物)系膜的理想設備,
徹底克服了靶打弧和中毒現象,並具濺射速率快、沈積速率高等優點,適合鍍制銦錫合金(ITO)、氧化鋁(AL2O3)
、二氧化硅(SiO2)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋯(ZrO2)、氮化硅(Si3N4)等,配置多個靶及膜厚儀,可鍍制多種多
層膜或合金膜層。
六、射頻磁控濺射鍍膜機
具有濺射速率高,能鍍任何材料(導體、半導體和介質材料)。在低氣壓下等離子體放電,膜層緻密,針孔少。
主要技術參數
真空室尺寸:F500´450(mm)
極限真空度:優於4´10- 4 Pa (3´10- 6Torr)
濺 射 靶: F 100mm磁控濺射源三隻濺
射功率:直流5千瓦,射頻2千瓦