馬曉宇

現任光電子器件國家工程研究中心主任。1963年出生，1984年和1987年在吉林大學電子工程系獲理學學士和理學碩士學位。1987年至今就職於中國科學院半導體研究所，歷任助理研究員、副研究員、研究員。

在III-V族的光電子器件的MOCVD外延生長研究和器件工程化中取得了突出的成績和貢獻，在國內率先研製成功實用化1.3mm半導體量子阱激光器，DVD用650nm半導體激光器。在808nm、941nm、980nm、1450nm等波長大功率半導體激光器（列陣）及其組件方面的研究方面達到了從設計、工藝到檢驗的全部國產化，具有獨立自主的知識產權，發展了一系列自主技術及申請了相關專利。課題組實驗室具有大功率半導體激光器（列陣）及其組件的從材料外延生長、工藝加工、封裝耦合到特性檢驗完整的一條生產線，實現了大功率半導體激光器（列陣）及組件的研製生產一體化，所研製的系列產品性能指標屬國內領先水平，其中准連續器件將近目前國際產品水平，適應了我國固體激光器對泵浦光源的需求，在嫦娥一號探月工程等國家重點應用工程和項目中獲得了廣泛應用，具有較高的市場佔用率；其研究成果獲國家科技進步二等獎、三等獎，中國科學院科技進步一等獎，二等獎等多項獎勵。

大功率半導體激光器（列陣）及其組件、光纖激光器、固體激光器、存儲用激光器等。

1.探月工程項目：“CE-1月球探測器有效載荷激光高度計用激光二極體疊層列陣”；

2.863重點項目"全固體激光器及其應用技術---5KW全固態激光器的子課題： "高功率、高效率、長壽命半導體激光泵浦模塊研究"；

3.國家特殊應用項目等多項。

徠1.Guotong DU, Xiaoyu Ma, Zheng Zou, Xiaobo ZHANG, and Dingsan GAO (1989) "Terraced substrate inner stripe semiconductor lasers by one-step liquid-phase epitaxy" J；

2.PENG Huaide, MA Xiaoyu, MA Chaohua, ZHANG Shenglian, WANG Xiaojie and PANG Guisheng (1992) "1.3mm and 1.5mm InGaAsP/InP p-type InP substrate buried crescent (PBC) laser diodes with low threshold current and high efficiency" International J；

3.馬驍宇，王樹堂，熊飛克，郭 良，王仲明，曾 靖，王麗明，陳良惠（1996）"低壓MOCVD外延生長InGaAsP/InP應變數子阱材料與器件應用" 半導體學報 第17卷第5期第398頁（1996）；

4.MA Xiaoyu, WANG Shutang, XIONG Feike, GUO Liang, WANG Zhongming, ZENG Jing, WANG Liming, CHEN Lianghui (1996) "InGaAsP/InP stained-layers quantum materials and their applications by LP-MOCVD" Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors；

5.MA Xiaoyu, WANG Shutang, XIONG Feike, GUO Liang, WANG Zhongming, WANG Liming, ZHANG Xiaoyan, SUN Guoxi, XIA Caihong, ZHU Tian, YANG Yali, ZHANG Hongqin, HE Guangping, YAO Shuqin, BI Kekui, CHEN Lianghui （1996）"High-performance 1.3- and 1.55-m m InGaAP/InP strained-layer quantum well lasers grown by LP-MOCVD (Invited Paper)"；

6.Ma, Xiaoyu; Cao, Qing; Wang, Shutang; Guo, Liang; Wang, Liming; Yang, Yali; Zhang, Hongqin; Zhang, Xiaoyan; Chen, Lianghui （1998） Study of single mode 650 nm AlGaInP quantum well laser diodes for DVD (Invited Paper) Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering；

7.Yang, G.W.; Hwu, R. Jennifer; Xu, Z.T.; Ma, X.Y. （1999） High-performance 980-nm quantum-well lasers using a hybrid material system of an Al-free InGaAs-InGaAsP active region and AlGaAs cladding layers grown by metal-organic chemical vapor deposition IEEE Journal of Quantum Electronics；

8.Fang, Gaozhan; Xiao, Jianwei; Ma, Xiaoyu; Feng, Xiaoming; Wang, Xiaowei; Liu, Yuanyuan; Liu, Bin; Tan, Manqing; Lan, Yongsheng （2002） High power 808 nm AlGaAs/GaAs quantum well laser diodes with broad waveguide Chinese Journal of Semiconductors；

9.Wang, Xiaowei; Xiao, Jianwei; Ma, Xiaoyu; Wang, Zhongming; Fang, Gaozhan （2002） Fiber optic coupling of CW linear laser diode array Chinese Journal of Lasers B (English Edition)；

10.Wei, Xin; Ma, Xiaoyu; Wang, Guohong; Zhang, Guangze; Zhu, Xiaopeng; Chen, Lianghui （2002） Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloy using dimethylhydrazine as nitrogen precursor Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors；

11.Wei, X.; Wang, G.H.; Zhang, G.Z.; Zhu, X.P.; Ma, X.Y.; Chen, L.H.（2002） Metalorganic chemical vapor deposition of GaNAs alloys using different Ga precursors Journal of Crystal Growth；

12.馬驍宇等，大功率半導體激光器的發展與應用，化學工業出版社《中國材料工程大典》第12卷第11篇；

13.Advances in High Power Semiconductor Diode Lasers (Invited paper)。