SIP

SIP封裝並無一定型態，就晶元的排列方式而言，SIP可為多晶元模 塊(Multi-chipModule；MCM)的平面式2D封裝，也可再利用3D封裝的結構，以有效縮減封裝面積；而其內部接合技術可以是單純的打線接合(WireBonding)，亦可使用覆晶接合(FlipChip)，但也可二者混用。除了2D與3D的封裝結構外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SIP的涵蓋範圍。此技術主要是將不同組件內藏於多功能基板中，亦可視為是SIP的概念，達到功能整合的目的。不同的晶元排列方式，與不同的內部接合技術搭配，使SIP的封裝型態產生多樣化的組合，並可依照客戶或產品的需求加以客制化或彈性生產。

構成SIP技術的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括PCB，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。後者包括傳統封裝工藝(Wirebond和FlipChip)和SMT設備。無源器件是SIP的一個重要組成部分，其中一些可以與載體集成為一體(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、數值高的電感、電容等)通過SMT組裝在載體上。SIP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術狀況看，SIP本身沒有特殊的工藝或材料。這並不是說具備傳統先進封裝技術就掌握了SIP技術。由於SIP的產業模式不再是單一的代工，模塊劃分和電路設計是另外的重要因素。模塊劃分是指從電子設備中分離出一塊功能，既便於後續的整機集成又便於SIP封裝。電路設計要考慮模塊內部的細節、模塊與外部的關係、信號的完整性(延遲、分佈、雜訊等)。隨著模塊複雜度的增加和工作頻率(時鐘頻率或載波頻率)的提高，系統設計的難度會不斷增加，導致產品開發的多次反覆和費用的上升，除設計經驗外，系統性能的數值模擬必須參與設計過程。

與在印刷電路板上進行系統集成相比，SIP能最大限度地優化系統性能、避免重複封裝、縮短開發周期、降低成本、提高集成度。對比SoC，SIP具有靈活度高、集成度高、設計周期短、開發成本低、容易進入等特點。SIP將打破目前集成電路的產業格局，改變封裝僅僅是一個后道加工廠的狀況。未來集成電路產業中會出現一批結合設計能力與封裝工藝的實體，掌握有自己品牌的產品和利潤。目前全世界封裝的產值只佔集成電路總值的10%，當SIP技術被封裝企業掌握后，產業格局就要開始調整，封裝業的產值將會出現一個跳躍式的提高。

SIP封裝可將其它如被動組件，以及天線等系統所需的組件整合於單一構裝中，使其更具完整的系統功能。由應用產品的觀點來看，SIP更適用於低成本、小面積、高頻高速，以及生產周期短的電子產品上，尤其如功率放大器(PA)、全球定位系統、藍芽模塊(Bluetooth)、影像感測模塊、記憶卡等可攜式產品市場。但在許多體系中，封閉式的電路板限制了SIP的高度和應用。以長遠的發展規劃而言，SoC的發展將能有效改善未來電子產品的效能要求，而其所適用之封裝型態，也將以能提供更好效能之覆晶技術為發展主軸；相較於SoC的發展，SIP則將更適用於成本敏感性高的通訊用及消費性產品市場。

SIP技術可以應用到信息產業的各個領域，但目前研究和應用最具特色的是在無線通信中的物理層電路。商用射頻晶元很難以用硅平面工藝實現，使得SoC技術能實現的集成度相對較低，性能難以滿足要求。同時由於物理層電路工作頻率高，各種匹配與濾波網路含有大量無源器件，SIP的技術優勢就在這些方面充分顯示出來。目前SIP技術尚屬初級階段，雖有大量產品採用了SIP技術，其封裝的技術含量不高，系統的構成與在PCB上的系統集成相似，無非是採用了未經封裝的晶元通過COB技術與無源器件組合在一起，系統內的多數無源器件並沒有集成到載體內，而是採用SMT分立器件。

在SIP這一名詞普及之前就已經出現了多種單一封裝體內集成的產品，歷史原因造成了這些產品至今還沒有貼上SIP的標籤。最早出現的模塊是手機中的功率放大器，這類模塊中可集成多頻功放、功率控制、及收發轉換開關等功能。另外三維多晶元的存儲模塊，邏輯電路與存儲電路的集成也處於這種情況。

集成度較高的是Bluetooth和802.11(b/g/a)。Philips公司的BGB202 BluetoothSIP模塊除了天線之外，包含了基帶處理器和所有的物理層電路，其中一部分濾波電路就是用薄膜工藝實現的(但不是在SIP的載體中，而是以一個分立的無源晶元形式出現的)。整個模塊的外圍尺寸是7mm×8mm×1.4mm。外部單元只需要天線和時鐘。Philips還有一款面向3G通信的手機電視解決方案也採用了SIP技術，9mmx9mm的模塊內包含了高頻頭、通道解調和解碼。

UWB是SIP的另一個理想應用。Freescale Semiconductor已經開始提供DS-UWB晶元組。