非揮發性記憶體
非揮發性記憶體
非揮發性記憶體是當斷電或電流被關掉后，儲存在記憶體裡面的資料不會消失的記憶體。按記憶體內的資料在使用電腦時是否能被隨時改寫，分為ROM（Read Only Memory）和Flash（快閃記憶體）兩類。
非揮發性記憶體
記憶體分為揮發性記憶體(Volatile Memories；VM)和非揮發性記憶體(Non-Volatile Memories；NVM)。揮發性記憶體代表為DRAM和SRAM等，如今全球生產供應商包括三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等。
非揮發性記憶體的特性是在關電的情況下，資料仍是存在，因此非常適合用來做資料儲存，例如應用在快閃記憶卡、隨身碟、MP3播放器、固態硬碟(SSD)等，最具代表性的則是NAND Flash晶片，其他還有NOR Flash、ROM、PROM、EPROM、EEPROM等，全球主要供應商包括三星、東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)、海力士、美光、英特爾(Intel)等。
再者，未來“整合型記憶體”的候選名單，包括FeRAM(鐵電隨機存取記憶體)、PCRAM(相變RAM)、RRAM(電阻式 RAM)、STT-MRAM(自旋電子力矩翻轉RAM)等，將針對其材料和結構，找出符合高速、高密度和非揮發性特性的新一代記憶體產品，並且有能力將其導入商業化，如同現今的NAND Flash晶片一樣，被大量的應用在科技和生活領域。
由於應用需求的推動，非揮發性記憶體技術發展非常迅速。由於應用需求的推動，非揮發性記憶體技術發展非常迅速。過去，許多應用只需儲存少量啟動程式碼即可，而今的應用卻需要儲存數GB的音樂和視訊數據，也因此為非揮發性記憶體的發展帶來革命性的變化。非揮發性記憶體起源於簡單的光罩唯讀記憶體( ROM )，隨後演變成PROM，再後來成為EPROM。而1988年英特爾公布了快速隨機存取的NOR快閃記憶體。而1988年英特爾公布了快速隨機存取的NOR快閃記憶體。儘管EPROM技術已經有了10多年的歷史，成熟度也大為完善，NOR快閃記憶體還是迅速佔領了EPROM的記憶體介上市場。而NAND快閃記憶體比NOR技術更早，已經有20多年歷史了。最初，NAND快閃記憶體的年度發貨量增幅緩慢，後期則成為市場上炙手可熱的產品，其在市場上取得的成功主要歸功於它獨特的特點。
從讀取和寫入的角度來看，揮發性記憶體通常都是非常快速的，而非揮發性性記憶體的寫入一般較為緩慢；非揮發性記憶體還在寫入上存在著固有的局限性，在一定次數的寫入作業后，記憶體會達到自己的承受極限而出現故障。而理想的記憶體應當具備非揮發性以及與SRAM類似的存取速度，同時沒有讀取/寫入限制，以及只消耗非常少的功率，這正是推動最新一代非揮發性記憶體快速發展的因素。
沒有任何一款新記憶體能夠在所有領域都取得優勢，但這些記憶體均在記憶體特性的某些重要方面取得了關鍵性的進步。 nvsram 、 FRAM等產品正朝此方向努力。
