褚君浩

1945年3月，褚君浩出生在江蘇宜興一個書香家庭。

1953年，8歲的褚君浩隨父母從虹口區搬家到華東師範大學，在華東師範大學附小讀四年級。

1958年，褚君浩轉入上海徐匯中學念初三。

1962年高考時，褚君浩連續填報了復旦大學物理系、華東師範大學物理系和上海師範學院（上海師範大學前身）物理系三個志願，非物理系不上。那年，雖然物理考了滿分，但由於作文失誤，最終被第三志願的上海師範學院錄取。

1966年，褚君浩畢業於上海師範學院（現上海師範大學）物理系，被分到上海市梅隴中學當物理老師。

1978年，褚君浩考上中國科學院上海技術物理研究所研究生，先後獲得碩士學位（1981年）和博士學位（1984年）。

1981年，褚君浩獲得中國科學院上海技術物理研究所碩士學位。

1984年，褚君浩博士畢業后留所工作，同年12月起，擔任中國科學院技術物理研究所物理室副主任。

1984年12月起，褚君浩擔任中科院技術物理研究所物理室副主任。

1986年2月至1988年10月，褚君浩獲得德國洪堡基金，赴德國慕尼黑技術大學物理系從事半導體二維電子氣研究。

1993年7月起，褚君浩擔任中國科學院紅外物理國家重點實驗室主任。

2005年，褚君浩正式當選中國科學院院士。

• 科研綜述

褚君浩提出了HgCdTe的禁帶寬等關係式；被國際上稱為CXT公式，廣泛引用並認為與實驗結果最符合；建立了研究窄禁帶半導體MIS器件結構二維電子氣子能帶結構的理論模型；發現了HgCdTe的基本光電躍遷特性，確定了材料器件的光電判別依據；開展了鐵電薄膜材料物理和非冷紅外探測器研究，研究成功PZT和BST鐵電薄膜非製冷紅外探測器並實現了熱成像。

褚君浩主要研究固體物理、窄禁帶半導體物理。系統研究了窄禁帶半導體的基礎物理，在光學性質、電學性質、能帶結構、晶格振動、雜質缺陷、二維電子氣研究方面取得系統的研究成果，HgCdTe基礎物理部分研究成果具有國際領先水平。提出的禁帶寬度公式被國際上稱為CXT公式（褚、徐、湯）。

• 主要論著

截至2015年12月，褚君浩發表論文200餘篇，研究結果被中國國內外廣泛引用並被寫進美國、英國、荷蘭、前蘇聯等出版的科學手冊和專著中，被Landolt-Bornstein科技數據集特邀為“含Hg化合物部分”修訂負責人。

褚君浩.窄禁帶半導體物理學[M].科學出版社,2005.

Chu J H , Sher A . Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors, Springer, New York, 2008.

R B lachnik, J Chu, R R Galazka, J Geurts, J Gutowski, B Honerlage, D E Hofmann, J Kossut, R Levy, P Michler, U Neukirch, D Strauch, T Story, A Waag, Landol t-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/41B Semiconductors: II-VI and I-VII Compounds; Semimagnetic Compounds, Edited By U Rossler, Springer, 1999

J Chu,T Dietl, W Dobrowolski, J Gutowski, B K Meyer, K Sebald, T Story, T Voss, Landolt-Boernstein: Numrical Data and Functional Relationships in Science and Technology III/44B: New Data and Updates and Updates for II-VI Compounds, Springer, 2008:347

Junhao Chu,Pulin Liu,Yong Chang Editors,Proceedings of Fourth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol4086,World Scientific, 2000

Junhao Chu,Zongsheng Lai,Lianwei Wang,Shaohui Xu Editors,Proceedings of Fifth International Conference on Thin Film Physics and Applications,SPIE Vol5774,World Scientific,2004

Junhao Chu, Shiqiu Xu, and Dingyuau Tang, Energy Gap Versus Alloy Composition and Temperature in HgCdTe. Appl Phys Lett, 1983, 43(11):1064.

Chu Junhao, Xu shiqiu,Tang Dingyuan, The Energy Band Gap of Ternary Semiconductor HgCdTe, Kexe Tongbao,1983,8(6):851

Junhao Chu,Dingrong Qian,and Dingyuan Tang,Burstein Moss Effect in HgCdTe Physics Scripta,VolT14,1986,37

Junhao Chu,R Sizmann, R Wollrab, F Koch,J Ziegle, H Maier, The Study of Capacitance Spectroscopy of Resonant Defect States in HgCdTe, J Infrared & Millim Waves, 1989, 8(5):395.

Chu Junhao, Mi Zhengyu, Study on Two Dimensional Electron Gas for P-HgCdTe MIS Heterostructures, J Infrared, Millim Waves, 1989, 8(6):54-63.

Junhao Chu,RSizmann,FKoch,Dispersion Relation and Landau Levels of Inversion Layer Subband on P-HgCdTe,Science in China,1990,A 33(10):1192

Junhao Chu, Zhengyu Mi, Subband Structure Models of N-inversion Layer in Narrow Gap Semiconductors, J Infrared & Millim Waves, 1990, 9(3):209.

Junhao Chu,SCShen,RSizmann,FKoch,JZiegler,HMaier,Subband Electron Cyclotron Resonance and Spin Resonance P-HgCdTe MIS Heterostructures,Surface Science,1991,241:204～210.

Junhao Chu, Xuechu Shen, R Sizmann, F Koch, Magneto Optical Resonance of Subband Electron for HgCdTe, J Infrared Millim Waves, 1991, 10(1):50

Junhao Chu, Zhengyu Mi and Dingyuag Tang, Intrinsic Absorption and Related Quantities in HgCdTe, Infrared Physics,1991,32:195

J H Chu, Z Y Mi, R Sizman, and F Koch, Subband Structure in the Electric Cuantum Limit in HgCdTe, Phys Rev, 1991, B44:1717.

Junhao Chu, Zhengyu Mi and Dingyuan Tang, Band to Band Optical Absorption in Narrow-gapHgCdTe Semiconductors, J Appl Phys, 1992, 71(8):3955

Junhao Chu, Z Y Mi, R Sizmann, F Koch, R Wollrab, J Ziegler, H Maier, Influence of Resonant Defect States on Subband Structure in HgCdTe J Vac Sci Tech,1992, B10(4):1569.

Junhao Chu and S C Shen, The Study of Far-infrared Phonon Spectra on HgCdTe Semicond, Sci& Tech, 1993, 8:S86-S89.

Junhao Chu, B Li, K Liu, and D Y Tang, Empirical Rule of Intrinsic Absorption-spectroscopy in HgCdTe, J Appl Phys, 1994,1234.

Junhao Chu, Dingyuan Tang, Recent Progress on HgCdTe at the National Laboratory for Infrared Physics in China, J Electronic Materials,1996, 25(8):1176

Junhao Chu,Yongsheng Gui,Biao Li ,Dingyuan Tang,Determination of Cut-off Wavelength and Composition Distribution in Hg1- xCdxTe, J Electron Mater, 1998, 27(6):718.

• 科研獲獎

1987年，獲國家自然科學獎四等獎。

1992年，獲中國科學院自然科學一等獎。

1993年，獲國家自然科學獎三等獎。

1995年，獲中國科學院自然科學二等獎。

1999年，獲中國科學院自然科學二等獎。

2005年，“碲鎘汞薄膜的光電躍遷及紅外焦平面材料器件研究”獲國家自然科學獎二等獎。

• 教學思想

在做好科研的同時，褚君浩也非常重視教育。他認為為人師首先要了解對方，其次教育要達到互動，因為不同的人有不同的接受方式，所以要講究方法和效率。對學生，他主張除了傳授知識外，要充分發揮學生的主觀能動性，啟發為主，指導為輔。此外，他對學生的研究態度有嚴格的要求，其核心是踏實和嚴謹。

• 指導學生

截至2016年，褚君浩已培養50多名博士，其中獲得全國百篇優秀博士論文獎2名，中國科學院院長特別獎2名、優秀獎2名。

2004年，被評為國家973計劃先進個人和國家重點實驗室計劃先進個人金牛獎。

2013年，獲得上海首屆科普教育創新獎的“科普傑出人物獎”。

2014年，被授予第十屆“十佳全國優秀科技工作者”稱號；12月，入選“第六屆全國優秀科技工作者”提名名單，也是上海地區唯一一位提名人選。

2017年5月，獲得全國創新爭先獎章；9月，被評為2017感動上海年度人物。

褚君浩的父親褚紹唐先生是中國著名地理教育家、歷史地理學家。受父親影響，褚君浩從小喜歡看家裡訂閱的《科學畫報》、《科學大眾》等科普雜誌和科學家傳記，時不時做些小發明，製作簡便的吸塵器、將兩塊凸透鏡做成望遠鏡等。

褚君浩院士除了在自己的研究領域卓有成就，還熱心科普工作，被譽為“心繫科普的院士”。（上海技術物理研究所評）

褚君浩喜歡將研究工作比做挖井——選好地點，然後就踏踏實實勤勤懇懇地去探究，直到挖出水來，他被讚譽為“挖井院士”。（九三學社評）

褚君浩的人生展現了一個科學家追求卓越、服務社會的境界，他以科研為圓心，以科普和參政議政為兩個半徑，形成了一個不斷向外擴展的同心圓。而這個圓立足於中國，放眼於世界，將一個一流科學家服務於國家和人類社會的精神世界的多面相展露無遺。（上海教育新聞網評）

1993-2003年，褚君浩擔任紅外物理國家重點實驗室主任。他還擔任上海市紅外與遙感學會理事長，中國物理學會光物理專業委員會副主任，上海技術物理研究所－華東師範大學成像信息聯合實驗室共主任。2009年，褚君浩擔任上海市政府參事。

褚君浩兼任《紅外與毫米波學報》主編，上海市科協副主席。曾擔任上海市紅外與遙感學會理事長、上海市科普作家協會理事長、國際光學工程學會（SPIE）理事、第十、十一屆全國人大代表。