納米碳化硅

SiC納米材料具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導率，小的介電常數和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為製作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件的電子和光電子器件的理想材料。SiC 納米線表現出的室溫光致發光性，使其成為製造藍光發光二極體和激光二極體的理想材料。近年來的研究表明：微米級SiC晶須已被應用於增強陶瓷基、金屬基和聚合物基複合材料，這些複合材料均表現出良好的機械性能，可以想象用強度硬度更高及長徑比更大的SiC 一維納米材料作為複合材料的增強相，將會使其性能得到進一步增強。SiC一維納米材料具有閾值場強低，電流密度大，高溫穩定性好等優異特點可望作為電場發射材料，利用這一特性可製成第三代新型電子光源，並將在圖像顯示技術方面發揮巨大作用。隨著研究的深入，研究者還發現一維SiC納米結構在儲氫、光催化和感測等領域都有廣泛的應用前景。

，比表面積大，高表面活性，松裝密度低，具有極好的力學，熱學，電學和化學性能，即具有高硬度，高耐磨性和良好的自潤滑，高熱傳導率，低熱膨脹係數及高溫強度大等特點◆ 性能特點

1、納米碳化硅粉體具有純度高、粒徑分佈範圍小、高比表面積等特點；

2、本產品具有化學性能穩定、導熱係數高、熱膨脹係數小、耐磨性能好等特點；3、顯微硬度為2840～3320kg/mm2, 其硬度介於剛玉和金剛石之間, 機械強度高於剛玉；

4、納米碳化硅具有優良的導熱性能，還是一種半導體，高溫時能抗氧化。

1製造結構器件：如冶金，化工，機械，航天及能源等行業中使用的滑動軸承，液體燃料噴嘴，坩堝，大功率高頻率模具，半導體元器件等。

2.金屬及其它材料表面處理：刀具，模具，耐熱塗層，散熱表面塗層，防腐塗層及吸波塗層等。

3.複合材料：製備金屬基，陶瓷基，高分子基複合材料。