光掩膜

光掩膜除了應用於晶元製造外，還廣泛的應用與像LCD，PCB等方面。常見的光掩膜的種類有四種，鉻版(chrome)、干版，凸版、液體凸版。主要分兩個組成部分，基板和不透光材料。基板通常是高純度，低反射率，低熱膨脹係數的石英玻璃。鉻版的不透光層是通過濺射的方法鍍在玻璃下方厚約0.1um的鉻層。鉻的硬度比玻璃略小，雖不易受損但有可能被玻璃所傷害。應用於晶元製造的光掩膜為高敏感度的鉻版。干版塗附的乳膠，硬度小且易吸附灰塵，不過干版還有包膜和超微顆粒干版，其中後者可以應用於晶元製造。(順便提一下，通常講的菲林即film，底片或膠片的意思，感光為微小晶體顆粒)。

在刻畫時，採用步進機刻畫(stepper)，其中有電子束和激光之分，激光束直接在塗有鉻層的4-9“玻璃板上刻畫，邊緣起點5mm，與電子束相比，其弧形更逼真，線寬與間距更小。光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有稱為中間掩膜，reticle作為單位譯為光柵)，用步進機重複將比例縮小到master maks上，應用到實際曝光中的為工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask複製過來。

1，數據轉換：將如GDSII版圖格式分層，運算，格式轉換為設備所知的數據形式。(這一部分會產一些具體的描述)

2，圖形產生：通過電子束或激光進行圖形曝光。

3，光阻顯影：曝光多餘圖形，以便進行蝕刻。

4，鉻層刻蝕：對鉻層進行刻蝕，保留圖形。

5，去除光阻：去除多餘光刻膠。

6，尺寸測量：測量關鍵尺寸和檢測圖形定位。

7，初始清洗：清洗並檢測作為準備。

8，缺陷檢測：檢測針孔或殘餘未蝕刻盡的圖形

9，缺陷補償：對缺陷進行修補。

10，再次清洗：清洗為加蒙版作準備

11，加附蒙版：蒙版(pellicle)加在主體之上，這防止灰塵的吸附及傷害。

12，最後檢查：對光掩膜作最後檢測工作，以確保光罩的正確。

光掩膜的基本檢查大體有：基板，名稱，版別，圖形，排列，膜層關係，傷痕，圖形邊緣，微小尺寸，絕對尺寸，缺欠檢查等。

對於數據處理主要來自於工藝上的要求，在圖形處理上有：

1，直接對應：光掩膜直接對應到版圖的一層，如金屬層。

2，邏輯運算：光刻圖形可能由1層或多層版圖層邏輯運算而來。比如定義pplus與nplus互補，如果只有pplus，nplus將由pplus進行邏輯非的運算得來。在實際處理中以反轉的形式實現。不過值得注意的是，在進行某些邏輯運算時，圖層的順序十分重要。與反轉運算結合進，運算的先後順序也很重要。

3，圖形漲縮：即進行size操作，比如gate處的注入層，從gate size放大而來。

完整的光掩膜圖形中，除了對應電路的圖形外，還包括一些輔助圖形或測試圖形，常見的有：游標，光刻對準圖形，曝光量控制圖形，測試鍵圖形，光學對準目標圖形，划片槽圖形，和其他名稱，版別等LOGO。