馬平

1999年畢業於東北大學並獲學士學位。2005年畢業於中國科學院福建物質結構研究所，獲物理化學博士學位。2005－2006年在中國科學院半導體研究所作博士后，主攻氮化物材料的外延生長。2006年博士后出站即留所工作。

從事III族氮化物材料外延生長及器件研製，分別在藍寶石襯底、SiC襯底及非極性襯底上開展高效大功率LED的發光機理及發光特性研究。採用微納米圖形襯底及垂直結構工藝，結合多種新型外延結構設計，實現高效大功率藍、綠光輸出，並順利實現產業化。作為主要研發人員主持並參與多項科研課題和相關生產任務。多次參加國內外學術會議，發表論文20餘篇，申請發明專利20餘項，授權多項。

1.　高效大功率藍、綠光LED外延生長及器件研製

2.　一維氮化物納米光電子器件

3.　新型襯底上氮化物光電子器件

1. 863項目“功率型白光LED產業化關鍵技術開發”（2008－2010）；

2.　國家發改委項目“100lm/W功率型LED產業化量產技術開發”（2009－2011）；

3.　國家自然科學基金項目“提高垂直結構LED外量子效率的新型微納技術研究”(2012-2014 )

1. P. Ma, Jingbo Li, et al, “ Enhancing electroluminescence intensity in Mg doped GaN annealed in oxygen”, Appl. Phys. Lett. 93, 2008, 120112

2. P. Ma, Jinmin Li et al, “ High efficiency InGaN light-emitting diodes with an improved quantum well capping configuration”, The 2 International Conference on Display and Solid state Lighting, January 30, 2008, p342

3. P. Ma, Tongbo Wei, et.al, “Growth of GaN thick film by HVPE on sapphire”, Chinese Journal of Semiconductors 28, 2007, 902

4. P. Ma, Yao Duan , Tongbo Wei, et.al, “Theoretical simulation of vertical HVPE reactor and GaN thick film growth”, The 14 National Conference on Compound semiconductor materials, Microwave and Photoelectric Devices, China, Nov. 2006

5. Wei Tongbo, Ma Ping, Duan Ruifei, Wang Junxi, Li Jinmin, Liu Zhe, Zeng Yiping “Cathodoluminescence and Raman research of V-shape inverted pyramid in HVPE grown GaN film”, Materials Letters, 2007, 61(18):3882-3885

6. Wei Tongbo, Ma ping, Duan Ruifei, Wang Junxi, Li Jinmin, Liu Zhe, Lin Guoqiang, Zeng Yiping，Structural and optical studies of GaN thick film grown by HVPE，Chinese Journal of Semiconductors，28， 2007, 19

7. Wei Tongbo, Ma Ping, Duan Ruifei, Wang Junxi, Li Jinmin, Zeng Yiping, Columnar structures and stress relaxation in thick GaN film grown on sapphire by HVPE, Chenese Physical Letters, 24, 2007, 822