餘輝效應
入射光引起的半導體發光現象
餘輝效應也稱:光電效應。
熒光產生原理
光致發光現象不會再金屬中產生。因為金屬中,價帶中沒有充滿電子,低能級的電子只會激發到同一價帶的高能級。在同一價帶內,電子從高能級躍遷回到低能級,所釋放的能量太小,產生光子的波太長,遠遠超過可見光的波長。在某些陶瓷和半導體中,價帶和導帶之間的禁帶寬度不大不小,所以被激發的電子從導帶躍過禁帶回到價帶是釋放的光子波長剛好在可見光波段。這樣的材料被稱為:熒光材料。
如果熒光材料中包含一些微量雜質,且這些雜質的能級位於禁帶內,相當於陷阱能級,
從價帶被激發的電子進入導帶后,又會掉入這些陷阱能級。因為這些被陷阱能級所捕獲的激發電子必須首先脫離陷阱能級進入導帶后才能躍遷回到價帶,所以它們被射入光子激發后,需要延遲一段時間才會發光,出現了所謂的餘輝現象。
餘輝產生原理
光致發光的過程主要有三步:
1、吸收一個光子;2、把激光能轉移到熒光中心;3、由熒光中心發射輻射。