李成

李成，男，廈門大學教授，理學博士。1997年開始長期從事硅基新型光電子材料的外延生長和器件的研製，師從我國著名光電子學家王啟明院士。

2004年4月加盟廈門大學物理系，目前主要從事UHV/CVD外延生長硅基SiGe、Ge量子結構材料及其電子和光電子器件的研製。在國內外雜誌如Applied Physics Letters，IEEE photonic technology letters和國際會議上發表論文四十多篇，其中被SCI收錄二十篇，被引用80餘次。

國家自然科學基金面上項目：SOI基高速、窄譜帶長波長Ge光電探測器的研究，（2007.1-2009.12）

福建省工業科技重點項目：SOI基垂直腔Ge光電探測器的研製，（2006.7-2009.7）

教育部留學回國人員基金項目：1.3um SiGe/Si多量子阱光晶體管的研製，（2005.9-2008.7）

福建省青年科技人才創新項目SiGe異質結晶體管(HBT)及其集成化工藝技術研究（2004.7－2007.7）

利用UHV/CVD和MBE系統在國際上首次完成了SiGe/Si多量子阱長波長共振腔型光電探測器的研製，其結果被美國光電子雜誌Laser Focus World和WDM　Solution在新聞欄目中兩次撰文跟蹤報道，並被收入S. C. Jain教授所著“Silicon-Germanium　Strained Layers and Heterostructures ” by Academy press　（236－239頁）2003年出版和L. Pavesi所著Optical interconnection: The Silicon Approach, by springer(134-135頁)2006年出版專著中。發明了製作硅基高反射率SOR襯底的方法並獲專利，將其應用於Si基共振腔光電探測器中，得到適於WDM通信用窄帶光電響應譜。

2002年1月至2004年3月任日本國立筑波大學應用物理系文部科學教官助手，參加日本筑波學際領域聯盟研究中心資助的項目：環境半導體硅化鐵為有源區的硅基發光二極體及其集成化技術，研製出室溫低電流密度下發光的硅基光源，達到國際最好水平。1995-1997年西安微電子技術研究所從事超大規模集成電路的設計和分析，參與完成并行處理器晶元的設計（5萬門規模）。