肖克萊

1950年後，賓夕法尼亞大學等3家高等學校授予他榮譽理學博士稱號。1936年起先後在貝爾電話實驗室、美國海軍反潛作戰研究小組任職，1945年起歷任貝爾電話實驗室固體物理研究所主任、晶體管物理學研究主任、肖克萊晶體管公司經理、克萊韋特晶體管公司肖克萊晶體管部顧問、加利福尼亞理工學院客座教 授、斯坦福大學工程科學與應用科學教授。肖克萊研究的領域包括固體能帶、鐵磁疇、金 屬塑性、晶粒邊界理論、有序 -無序合金、半導體理論應用和電磁理論等，獲專利90多項，發表論文逾百篇。1945年夏，肖克萊提出開展半導體基礎研究的建議，1945年下半年，貝爾電話實驗室成立了以肖克萊為組長，以肖克萊、J.巴丁、W.H.布喇頓為核心的固體物理學研究小組。1947年12月23日發明點接觸晶體管，1948年6月貝爾電話實驗室報道了這一發明，並申請專利。1949年肖克萊提出結型晶體管理論，1950年由貝爾電話實驗室M.斯帕克斯和G.L.皮爾遜制出結型晶體管。肖克萊、巴丁、布喇頓共同獲得1956年度諾貝爾物理學獎。肖克萊是美國藝術與科學學院和電氣與電子工程師協會高級會員，曾獲利布曼獎金、巴克利獎金、康斯托克獎金、霍利獎章。

1955年，他在加州芒廷維尤創立了“肖克萊實驗室股份有限公司”，聘用了很多年輕優秀的人才。但很快肖克萊個人的管理方法因其公司內部不合，八名主要員工（叛逆）於1957年集體跳槽成立了仙童半導體公司，後來開發了第一塊集成電路。而肖克萊實驗室則每況愈下，兩次被轉賣後於1968年永久關閉。但正是由於肖克萊在20世紀60年代對晶體管商業化的推動，促進了“矽谷”成為電子產業創新的溫床。

肖克萊於1963年開始任斯坦福大學教授。他在晚年認為各種族的遺傳水準有高有低，並支持鼓動智力低下者自願絕育，因而在科學界和媒體界引起了爭議。他於1989年因前列腺癌去世。