歐文

性 別: 男

職 稱: 副研究員

學 歷: 研究生

所屬部門：

集成電路先導工藝研發中心

1. 中國科技大學半導體物理專業碩士畢業；

2. 浙江大學物理系本科畢業；

1. 2009年4月-至今：中國科學院微電子研究所十室副研究員，從事CMOS先進工藝技術和CMOS MEMS研究；

2. 2007年7月-2009年4月：渝德科技（重慶）有限公司C&C部門經理；

3. 2005年9月-2007年3月：華潤上華科技有限公司北京分公司工藝部經理；

4. 2004年5月－2005年7月：中國科學院微電子所硅工程中心研究員課題負責人;

5. 1998年7月－2004年5月：中國科學院微電子研究所第1研究室，課題負責人，副研究員/研究員;

6. 1997年7月－1998年7月：香港科技大學電子工程系，訪問學者

7. 1992年9月－1997年7月：中國科學院微電子所第3研究室，助理研究員

CMOS 新器件，新工藝研究，CMOS MEMS研究

“CF4預處理后熱生長薄柵氧漏電流及勢壘研究”，劉倜，歐文，半導體學報，2004，

“閃速存儲器的單管多位技術”,李多力，歐文，微電子學，Vol.34,No.3,2004年6月，pp241-245

“深硅槽的刻蝕研究”，全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集，2003年9月，北京，pp242-245

“光刻膠的刻蝕技術研究”，全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集，2003年9月，北京，pp264-267

“Flash 器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性”，半導體學報，Vol.24,No.5,2003年,pp516-519

1. 先進納米CMOS關鍵工藝技術先導研究；

2. 國家863計劃“MEMS與IC集成製造技術及應用”方向”MEMS紅外焦平面陣列及CMOS讀出電路集成”研究。

1.負責國家973項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”，圓滿完成（2000年－2005年）；

2.負責“超深亞微米關鍵技術－多層布線技術的研究”，圓滿完成任務（2001年－2005年）；

3.參加“九五”攻關項目“0.35um集成電路關鍵技術研究”和“0.1um級CMOS器件和性能研究”，圓滿完成任務，共同獲得北京市科技進步2等獎；

4.負責自主研製成功實驗型CMP設備；

5.參加“八五”國家重點科技項目《HBT和HEMT基礎技術研究》中“0.2-0.5um 微細加工及新結構異質結器件研究”，負責其中HBT新結構器件的研究；提出一種新的HBT器件結構和解決HBT器件中歐姆接觸問題；獲得優秀論文一篇；

6.參加中國科學院“八五”重大科研項目“新結構器件及微細加工研究”。