歐文

中國科學院微電子研究所研究員

歐文,畢業於浙江大學物理系,中國科技大學半導體物理專業碩士。主要負責負責項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”

個人資料


性 別: 男
職 稱: 副研究員
學 歷: 研究生
所屬部門:
集成電路先導工藝研發中心

個人簡歷


學習經歷

1. 中國科技大學半導體物理專業碩士畢業;
2. 浙江大學物理系本科畢業;

工作經歷

1. 2009年4月-至今:中國科學院微電子研究所十室副研究員,從事CMOS先進工藝技術和CMOS MEMS研究;
2. 2007年7月-2009年4月:渝德科技(重慶)有限公司C&C部門經理;
3. 2005年9月-2007年3月:華潤上華科技有限公司北京分公司工藝部經理;
4. 2004年5月-2005年7月:中國科學院微電子所硅工程中心研究員課題負責人;
5. 1998年7月-2004年5月:中國科學院微電子研究所第1研究室,課題負責人,副研究員/研究員;
6. 1997年7月-1998年7月:香港科技大學電子工程系,訪問學者
7. 1992年9月-1997年7月:中國科學院微電子所第3研究室,助理研究員

研究方向


CMOS 新器件,新工藝研究,CMOS MEMS研究

代表論著


“CF4預處理后熱生長薄柵氧漏電流及勢壘研究”,劉倜,歐文,半導體學報,2004,
“閃速存儲器的單管多位技術”,李多力,歐文,微電子學,Vol.34,No.3,2004年6月,pp241-245
“深硅槽的刻蝕研究”,全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集,2003年9月,北京,pp242-245
“光刻膠的刻蝕技術研究”,全國第十二屆電子束、離子束、光子束學術會議論文集,2003年9月,北京,pp264-267
“Flash 器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性”,半導體學報,Vol.24,No.5,2003年,pp516-519

承擔科研項目


在研主要項目

1. 先進納米CMOS關鍵工藝技術先導研究;
2. 國家863計劃“MEMS與IC集成製造技術及應用”方向”MEMS紅外焦平面陣列及CMOS讀出電路集成”研究。

完成主要項目

1.負責國家973項目“非揮發性存儲器與邏輯電路兼容關鍵工藝技術研究”,圓滿完成(2000年-2005年);
2.負責“超深亞微米關鍵技術-多層布線技術的研究”,圓滿完成任務(2001年-2005年);
3.參加“九五”攻關項目“0.35um集成電路關鍵技術研究”和“0.1um級CMOS器件和性能研究”,圓滿完成任務,共同獲得北京市科技進步2等獎;
4.負責自主研製成功實驗型CMP設備;
5.參加“八五”國家重點科技項目《HBT和HEMT基礎技術研究》中“0.2-0.5um 微細加工及新結構異質結器件研究”,負責其中HBT新結構器件的研究;提出一種新的HBT器件結構和解決HBT器件中歐姆接觸問題;獲得優秀論文一篇;
6.參加中國科學院“八五”重大科研項目“新結構器件及微細加工研究”。