電位門通道
電位門通道
電位門通道(voltage gated channel)是對細胞內或細胞外特異離子濃度發生變化時,或對其他刺激引起膜電位變化時,致使其構象變化,“門”打開。K+電位門通道由四個α亞單位(I-IV)構成,每個亞單位均有6個(S1-S6)跨膜α螺旋節段,N和C端均位於胞質面。連接S5-S6段的髮夾樣β摺疊 (P區或H5區),構成通道的內襯,大小可允許K+通過。
目錄
K+通道具有三種狀態:開啟、關閉和失活。目前認為S4段是電壓感受器, S4高度保守,屬於疏水片段,但每隔兩個疏水殘基即有一個帶正電荷的精氨酸或賴氨酸殘基。S4段上的正電荷可能是門控電荷,當膜去極化時(膜外為負,膜內為正),引起帶正電荷的氨基酸殘基轉向細胞外側面,通道蛋白構象改變,“門”打開,大量K+外流,此時相當於K+的自由擴散。K+電位門它和Ach配體門一樣只是瞬間(約幾毫秒)開放,然後失活。此時N端的球形結構,堵塞在通道中央,通道失活,稍後球體釋放,“門”處於關閉狀態。