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倪振華

東南大學物理系教授

倪振華，男，漢族，浙江省金華市人，1982年2月出生。2003年本科畢業於上海交通大學物理系，2007年獲新加坡國立大學（National University of Singapore）博士學位，2007年-2010年在新加坡南洋理工大學（Nanyang Technological University）物理系做博士后研究工作，2009年赴英國曼徹斯特大學（The University of Manchester）做訪問學者。 2010年加入東南大學物理系，現為東南大學物理系教授，博士生導師。 2014年獲國家優秀青年科學基金資助。2018年5月，入選“長江學者獎勵計劃”青年學者。

1人物經歷 2研究方向 3主要貢獻科研項目

研究成果代表性論文

人物經歷

2003年本科畢業於上海交通大學物理系，同時獲得了電子科學與技術的第二專業本科學位。

2007年於新加坡國立大學物理系獲得博士學位。

2007年-2010年在新加坡南洋理工大學物理系做博士后研究工作。

2009年獲得英國政府“British CouncilResearcher exchange programme“ Award（全球共81人獲）前往英國曼徹斯特大學物理及天文系Andre Geim教授（2010年諾貝爾物理學獎得主）研究組做訪問和合作研究。

倪振華[東南大學物理系教授]

2010年加入東南大學物理系，現為東南大學物理系教授，博士生導師。

2011年獲教育部“新世紀優秀人才支持計劃“”資助。

2012年獲江蘇省“六大人才高峰”支持計劃資助。

2014年獲國家自然科學基金“優秀青年科學基金”資助。

2015年受聘為東南大學青年特聘教授。

2018年入選“長江學者獎勵計劃”青年學者。

研究方向

凝聚態物理, 光電子學，二維材料

1.石墨烯等二維層狀材料及其複合體系的製備、表徵及應用

2. 二維材料的光電性能及器件，如光探測、發光、光伏器件等

3. 納米材料的光學性質研究，如拉曼、熒光光譜等

主要貢獻

科研項目

1. 國家自然科學基金優秀青年科學基金 2015.1-2017.12 （主持）

2. 國家自然科學基金面上項目 2014.1-2017.12 （主持）

3. 國家自然科學基金青年科學基金項目 2012.1-2014.12 （主持）

4. 國家自然科學基金科學部主任基金 2011.1-2011.12 （主持）

5. 江蘇省自然科學基金面上項目 2012.1-2014.12 （主持）

6. 江蘇省科技支撐計劃 2012.1-2014.12 （第二負責人）

7. 教育部新世紀優秀人才支持計劃2012.1-2014.12 （主持）

8. 江蘇省六大人才高峰支持計劃 2013.1-2015.12 （主持）

9. 教育部留學回國人員科研啟動基金 2012.1-2014.12 （主持）

10. 教育部博士點新教師基金 2012.1-2014.12（主持）

11. 東南大學重大引導項目-面上2011.1-2012.12 （主持）

12. 東南大學重大引導項目-校長定向 2012.1-2012.12 （主持）

研究成果

近年來，倪振華教授在Nature Photonics, Nature Communications, Nano Letters, ACS Nano, Advanced Functional Materials, Physical Review Letters, Nano Research, Small,Physical Review B等國際知名學術期刊發表SCI論文80餘篇，論文已被SCI他引4000餘次，H-index=31，授權專利8項。

目前，中國物理學會光散射專業委員會委員，Scientific Reports以及Frontiers in Condensed Matter Physics, Frontiers in Optics and Photonics等期刊編委，《中國光學》青年編委。

代表性論文

1. Liu YL, Nan HY, Wu X, Pan W, Wang WH, Bai J, Zhao WW, Sun LT, Wang XR,Ni ZH*Layer-by-Layer Thinning of MoS2 by Plasma.ACS Nano (Accepted 2013)

2. Zafar Z,Ni ZH* Wu X, Shi ZX, Nan HY, Bai J, Sun LTEvolution of Raman Spectra in Nitrogen Doped GrapheneCarbon(Accepted 2013)

3. Pan W, Xiao JL, Zhu JW, Yu CX, Zhang G,Ni ZH, Watanabe K, Taniguchi T, Shi Y, Wang XRBiaxial Compressive Strain Engineering in Graphene/Boron Nitride HeterostructuresScientific Reports 2,893 (2012)

4. Zhan D, Yan JX, Lai LF,Ni ZH, Liu L, Shen ZXEngineering the electronic structure of grapheneAdvanced Materials24, 4055-4069 (2012)

5. Xu YN, Zhan D, Liu L, Suo H,Ni ZH*, Nguyen TT, Zhao C, Shen ZX*Thermal dynamics of graphene edges investigated by polarized Raman spectroscopyACS Nano 5, 147-152 (2011).

6. Zhan D, Liu L, Xu YN,Ni ZH, Yan JX, Zhao C, Shen ZXLow temperature edge dynamics of AB-stacked bilayer graphene: Naturally favored closed zigzag edgesScientific Reports 1,12 (2011)

7. Bao QL, Zhang H, Wang B,Ni ZH, Lim YX, Wnag Y, Tang DY, Loh KPBroadband Graphene PolarizerNature Photonics 5,411-415 (2011)

8. Bao QL, Zhang H,Ni ZH, Wang Y, Polavarapu L, Loh KP, Shen ZX, Xu QH, Tang DYMonolayer Graphene as Saturable Absorber in Mode-locked LaserNano Research4(3),297-307 (2011)

9. Zhan D,Ni ZH, Chen W, Sun L, Luo ZQ, Lai LF, Wee ATS, Yu T, Shen ZXElectronic structure of graphite oxide and thermally reduced graphite oxideCarbon 49,1362-1366(2011)

10.Ni ZH, Ponomarenko LA, Nair RR, Yang R, Anissimova S, Grigorieva IV, Schedin F, Shen ZX, Hill EH, Novoselov KS, Geim AKOn resonant scatterers as a factor limiting carrier mobility in grapheneNano Letters 10, 3868-3872 (2010)

11. Zhan D, Sun L,Ni ZH*, Liu L, Fan XF, Wang YY, Yu T, Lam YM, Huang W, Shen ZX*FeCl3 based Few-Layer Graphene Intercalation Compounds: Single Linear Dispersion Electronic Structure and Strong Charge Transfer DopingAdvanced Functional Materials 20, 3504 (2010)

12. Wang YY,Ni ZH, Liu L, Liu YH, Cong CX, Yu T, Wang XJ, Shen DZ, Shen ZXStacking dependent optical conductivity of bilayer grapheneACS Nano 4, 4074 (2010)

13. Hao YF, Wang YY, Wang L,Ni ZH, Wang ZQ, Wang R, Koo CK, Shen ZX, Thong JTLProbing layer number and stacking order of few-layer graphene by Raman spectroscopySmall 6, 195-200 (2010)

14.Ni ZH, Yu T, Luo ZQ, Wang YY, Liu L, Miao JM, Wang W, Shen ZXProbing charged impurities in suspended graphene using Raman spectroscopyACS Nano 3, 569 (MAR 2009)

15. Bao QL, Zhang H, Wang Y,Ni ZH, Yan YL, Shen ZX, Loh KP, Tang DYAtomic layer graphene as saturable absorber for ultrafast pulsed lasersAdvanced Functional Materials19, 3077 (2009)

16. Luo ZQ, Yu T, Kim KJ,Ni ZH, You YM, Lim SH, Shen ZX, Wang SZ, Lin JY,Thickness-Dependent Reversible Hydrogenation of Graphene LayersACS Nano 3: 1781 (July 2009)

17. Dong XC, Shi YM, Zhao Y, Chen DM, Ye J, Yao YG, Gao F,Ni ZH, Yu T, Shen ZX, Huang YX, Chen P, Li LJSymmetry Breaking in Graphene Monolayers by Molecular DecorationPhysical Review Letters102, 135501 (Apr 2009)

18.Ni ZH, Yu T, Lu YH, Wang YY, Feng YP, Shen ZXUniaxial strain on graphene: Raman spectroscopy study and bandgap openingACS Nano 2, 2301 (Nov 2008)

19.Ni ZH, Wang YY, Yu T, Shen ZXRaman spectroscopy and imaging of grapheneNano Research (Invited Review) 1,273 (Aug 2008)

20.Ni ZH, Wang HM, Ma Y, Kasim J,Wu YH,Shen ZXTunable stress and controlled thickness modification in graphene by annealingACS Nano2, 1033 (May 2008)

21.Ni ZH, Wang HM, Kasim J, Fan HM, Yu T, Wu YH,Feng YP, Shen ZXGraphene thickness determination using reflection and contrast spectroscopyNano Letters 07(09)

倪振華