雙向可控硅

雙向可控硅為什麼稱為“TRIAC”?

三端：TRIode(取前三個字母)

交流半導體開關：ACsemiconductorswitch

(取前兩個字母)

以上兩組名片語合成“TRIAC”

中文譯意“三端雙向可控硅開關”。

由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統稱。

雙向：Bi-directional(取第一個字母)

控制：Controlled(取第一個字母)

整流器：Rectifier(取第一個字母)

再由這三組英文名詞的首個字母組合而成:“BCR”中文譯意：雙向可控硅。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。

雙向：Bi-directional(取第一個字母)

三端：Triode(取第一個字母)

由以上兩組單片語合成“BT”，也是對雙向可控硅產品的型號命名，典型的生產商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅。

代表型號如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；

Philips公司的產品型號前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅。

而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號並且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：

四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C、BTA12-600B、BTA16-600B、BTA41-600B等等；

四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B、BTB16-600B、BTB41-600B等等；

ST公司所有產品型號的後綴字母(型號最後一個字母)帶“W”的，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”、“CW”、“SW”、“TW”；代表型號如:BTB12-600BW、BTA26-700CW、BTA08-600SW等等。

至於型號後綴字母的觸發電流，各個廠家的代表含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA，C=15mA，F=25mA，G=50mA，R=200uA或5mA，

型號沒有後綴字母之觸發電流，通常為25-35mA；

PHILIPS公司的觸發電流代表字母沒有統一的定義，以產品的封裝不同而不同。

意法ST公司：TW=5mA，SW=10mA，CW=35mA，BW=50mA，C=25mA，B=50mA，H=15mA，T=15mA，注意：以上觸發電流均有一個上下起始誤差範圍，產品PDF文件中均有詳細說明

一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數值。

從外表上看，雙向可控硅和普通可控硅很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同，是把兩個可控硅反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。

雙向可控硅可被認為是一對反並聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2，一個門極G，門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈衝都能使管子觸發導通，因此有四種觸發方式。雙向可控硅應用為正常使用雙向可控硅，需定量掌握其主要參數，對雙向可控硅進行適當選用並採取相應措施以達到各參數的要求。 

·耐壓級別的選擇：通常把VDRM(斷態重複峰值電壓)和VRRM(反向重複峰值電壓)中較小的值標作該器件的額定電壓。選用時，額定電壓應為正常工作峰值電壓的2~3倍，作為允許的操作過電壓裕量。 

·電流的確定：由於雙向可控硅通常用在交流電路中，因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由於可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實際工作電流值的2~3倍。同時，可控硅承受斷態重複峰值電壓VDRM和反向重複峰值電壓VRRM時的峰值電流應小於器件規定的IDRM和IRRM。 

·通態(峰值)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規定倍數額定電流時的瞬態峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗，應儘可能選擇VTM小的可控硅。 

·維持電流：IH是維持可控硅保持通態所必需的最小主電流，它與結溫有關，結溫越高，則IH越小。 

·電壓上升率的抵制：dv/dt指的是在關斷狀態下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發的一個關鍵參數。此值超限將可能導致可控硅出現誤導通的現象。由於可控硅的製造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。

對負載小，或電流持續時間短(小於1秒鐘)的雙向可控硅，可在自由空間工作。但大部分情況下，需要安裝在散熱器或散熱的支架上，為了減小熱阻，可控硅與散熱器間要塗上導熱硅脂。 

雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種，夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。很多場合下，鉚接不是一種推薦的方法。 

夾子壓接：是推薦的方法，熱阻最小。夾子對器件的塑封施加壓力。這同樣適用於非絕緣封裝（sot82和sot78）和絕緣封裝（sot186f-pack和更新的sot186ax-pack）。注意，sot78就是to220ab。

螺栓固定：sot78組件帶有m3成套安裝零件，包括矩形墊圈，墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應該不對器件的塑料體施加任何力量。

安裝過程中，螺絲刀決不能對器件塑料體施加任何力量；和接頭片接觸的散熱器表面應處理，保證平坦，10mm上允許偏差0.02mm；安裝力矩（帶墊圈）應在0.55nm和0.8nm之間；應避免使用自攻絲螺釘，因為擠壓可能導致安裝孔周圍的隆起，影響器件和散熱器之間的熱接觸。安裝力矩無法控制，也是這種安裝方法的缺點；器件應首先機械固定，然後焊接引線。這可減少引線的不適當應力。

雙向可控硅的規格、型號、外形以及電極引腳排列依生產廠家不同而有所不同，但其電極引腳多數是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時，電極引腳向下，面對標有字元的一面)。目前市場上最常見的幾種塑封外形結構雙向可控硅的外形及電極引腳排列如下圖1所示。

雙向可控硅的電路符號如圖2所示。雙向可控硅的外形結構和普通可控硅沒有多大區別，幾十安以下的，則通常採用圖1所示塑封外形結構。幾十安到一百餘安電流大小的則採用螺栓型；額定電流在200安以上的一般都是平板型的。

常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。

儘管從形式上可將雙向可控硅看成兩隻普通可控硅的組合，但實際上它是由7隻晶體管和多隻電阻構成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般採用塑料封裝，有的還帶散熱板。典型產品有BCMlAM(1A／600V)、BCM3AM(3A／600V)、2N6075(4A／600V)，MAC218-10(8A／800V)等。大功率雙向可控硅大多採用RD91型封裝。

雙向可控硅屬於NPNPN五層器件，三個電極分別是T1、T2、G。因該器件可以雙嚮導通，故除門極G以外的兩個電極統稱為主端子，用T1、T2。表示，不再劃分成陽極或陰極。其特點是，當G極和T2極相對於T1，的電壓均為正時，T2是陽極，T1是陰極。反之，當G極和T2極相對於T1的電壓均為負時，T1變成陽極，T2為陰極。雙向可控硅由於正、反向特性曲線具有對稱性，所以它可在任何一個方嚮導通。

從內部結構來看，雙向可控硅是一種N—P—N—P—N型五層結構的半導體器件，見圖3(a)。為了便於說明問題，我們不妨把圖3(a）看成是由左右兩部分組合而成的，如圖3(b)。這樣一來，原來的雙向可控硅就被分解成兩個P—N—P—N型結構的單向可控硅了。如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話，那麼右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地並聯在一起。我們把這種聯接叫做反向並聯。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向可控硅在電路中的作用是和兩隻普通可控硅反向並聯起來等效的。這也正是雙向可控硅為什麼會有雙向控制導通特性的根本原因。

實際上雙向可控硅並不能簡單地用兩種單向可控硅反向並聯獲得，它內部結構相當於7隻三極體連結而成，如圖所示。

雙向可控硅不象普通可控硅那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導通。對雙向可控硅來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個可控硅管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向可控硅無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發導通。不僅如此，雙向可控硅還有一個重要的特點，這就是：不管觸發信號的極性如何，也就是不管所加的觸發信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向可控硅都能被觸發導通。雙向可控硅的這個特點是普通可控硅所沒有的。

雙向可控硅的特性曲線

既然一個雙向可控硅是由兩隻普通可控硅反向並聯而成的，那麼，我們會很自然地想到，它的特性曲線就應該是由這兩隻普通可控硅的特性曲線組合而成。圖4示出了雙向可控硅的特性曲線。

由圖可見，雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。第一象限的曲線說明當加到主電極上的電壓使Tc對T1的極性為正時，我們稱為正向電壓，並用符號U21表示。當這個電壓逐漸增加到等於轉折電壓UBO時，圖3(b)左邊的可控硅就觸發導通，這時的通態電流為I21，方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到，觸發電流越大，轉折電壓就越低，這種情形和普通可控硅的觸發導通規律是一致的，當加到主電極上的電壓使Tl對T2的極性為正時，叫做反向電壓，並用符號U12表示。當這個電壓達到轉折電壓值時，圖3（b)右邊的可控硅便觸發導通，這時的電流為I12，其方向是從T1到T2。這時雙向可控硅的特性曲線，如圖4中第三象限所示。

在上述兩種情況中，除了加到主電極上的電壓和通態電流的方向相反外，它們的觸發導通規律卻是同的。如果這兩個並聯連接的管子特性完全相同的話，一，三象限的特性曲線就應該是對稱的。

四種觸發方式

由於在雙向可控硅的主電極上，無論加以正向電壓或是反向電壓，也不管觸發信號是正向還是反向，它都能被觸發導通，因此它有以下四種觸發方式：

(1)當主電極T2對Tl所加的電壓為正向電壓，控制積極G對第一電極Tl所加的也是正向觸發信號（圖5a）。雙向可控硅觸發導通后，電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線可知，這時雙向可控硅觸發導通規律是按第二象限的特性進行的，又因為觸發信號是正向的，所以把這種觸發叫做“第一象限的正向觸發”或稱為I+觸發方式。

(2)如果主電極T2仍加正向電壓，而把觸發信號改為反向信號(圖5b)，這時雙向可控硅觸發導通后，通態電流的方向仍然是從T2到T1。我們把這種觸發叫做“第一象限的負觸發”或稱為I-觸發方式。

(3)兩個主電極加上反向電壓U12(圖5c)，輸入正向觸發信號，雙向可控硅導通后，通態電流從T1流向T2。雙向可控硅按第三象限特性曲線工作，因此把這種觸發叫做Ⅲ+觸發方式。

(4)兩個主電極仍然加反向電壓U12，輸入的是反向觸發信號(圖5d)，雙向可控硅導通后，通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發方式。

雙向可控硅雖然有以上四種觸發方式，但由於負信號觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠，因此在實際使用時，負觸發方式應用較多。

雙向二極體是一種小功率五層二端元件，它的正反向伏安特性曲線和雙向可控硅一樣，但它沒有控制極，當兩個極之間所加的電壓達到轉折電壓時，雙向二極體便導通。圖8(a)就是利用雙向二極體2CTS組成的觸發電路。當電源電壓處於正半周時，電源電壓通過Rl向C1充電，電容C1上的電壓極性是上正下負。當這個電壓增高達到雙向二圾管的轉折電壓時，雙向二極體突然轉折導通，使雙向可控硅的控制極G和主電極T1之間得到一個正向觸發脈衝，可控硅導通。這時就相當於I+觸發方式。在電源電壓過零的瞬間，雙向可控硅自動阻斷；當電源電壓處於負半周時，電源電壓對電容C1反向充電，C1上電壓的極性為下正上負，當這個電壓值充到等於雙向二極體的轉折電壓時，雙向二極體突然反嚮導通，使雙向可控硅得到一個反向觸發信號，於是雙向可控硅導通。這時就相當於Ⅲ-觸發方式。在這個電路中，調節R1韻阻值，可以改變R1C1的時間常數，因而改變了觸發脈衝出現的時刻，也就是改變了雙向可控硅的導通角，達到了調節燈光的目的。電路中各處電壓的波形見圖8（b），其中UL是電燈兩端的電壓。

雙向晶閘管可廣泛用於工業、交通、家用電器等領域，圖5是由雙向晶閘管構成的接近開關電路。R為門極限流電阻，JAG為乾式舌簧管。平時JAG斷開，雙向晶閘管TRIAC也關斷。僅當小磁鐵移近時JAG吸合，使雙向晶閘管導通，將負載電源接通。由於通過干簧管的電流很小，時間僅幾微秒，所以開關的壽命很長。

現在可控硅應用市場相當廣闊，可控硅應用在自動控制領域，機電領域，工業電器及家電等方面都有可控硅的身影。許先生告訴記者，他目前的幾個大單中還有用於捲髮產品的單，可見可控硅在人們的生活中都有廣泛的應用。更重要的是，可控硅應用相當穩定，比方說用於家電產品中的電子開關，可以說是鮮少變化的。無論其他的元件怎麼變化，可控硅的變化是不大的，這相對來說，等於擴大的可控硅的應用市場，減少了投資的風險。隨著消費類電子產品的熱銷，更為可控硅提供了銷售空間。推出兩款可優化消費電子產品性能的新型標準三端雙向可控硅開關元件，這兩種三端雙向可控硅開關採用先進的平面硅結構設計，具有很高的可靠性，加上在導通狀態下的損耗最多僅為1.5V，因而可達致高效率。這兩種產品的目標應用領域包括：洗衣機、吸塵器、調光器、遙控開關和交流電機控制設備。

過零觸髮型交流固態繼電器(AC-SSR)的內部電路。主要包括輸入電路、光電耦合器、過零觸發電路、開關電路(包括雙向晶閘管)、保護電路(RC吸收網路)。當加上輸入信號VI(一般為高電平)、並且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。固態繼電器具有驅動功率小、無觸點、噪音低、抗干擾能力強，吸合、釋放時間短、壽命長，能與TTL\CMOS電路兼容，可取代傳統的電磁繼電器。

雙向可控硅可廣泛用於工業、交通、家用電器等領域，實現交流調壓、電機調速、交流開關、路燈自動開啟與關閉、溫度控制、檯燈調光、舞台調光等多種功能，它還被用於固態繼電器(SSR)和固態接觸器電路中。

在實際應用或是診斷電路故障時，常需要判別雙向可控硅各電極的極性及其性能的好壞。下面介紹業餘條件下的簡易判別方法。

極性的判別：將萬用電錶量程開關置於“Rx1”(或Rx10”)擋，用黑表筆固定接一電極，用紅表筆分別去測另兩個電極，當測得的兩個阻值都是無窮大時，那麼黑表筆所接電極就是T2。若測得的阻值不全為無窮大，則應將黑表筆換接另一個電極再測。判別了電極T2后，用兩隻表筆測T1和G兩極，再調換表筆測一次，比較兩次測得的結果，測得阻值較小時，黑表筆所接電極就是T1，紅表筆所接電極就是控制極G。

好壞的判別：在已知各電極極性的條件下，將萬用電錶置“Rx1”擋，黑表筆接G，紅表筆接Tl，測得阻值為幾十歐姆(因功率不同，其阻值略有偏差)，紅表筆改接T2，阻值應無窮大；然後再將黑表筆接T1，紅表筆接G，測得結果應為幾十歐，再將黑表筆改接T2，阻值也應無窮大。用兩隻表筆測T1、T2兩極之間的電阻，再調換表筆測一次，兩次測得的阻值均應無窮大。測量結果若滿足上述要求，一般可以判定該器件是好的。如果G與T1之間的電阻等於零，或G與T2、T1與T2之間的電阻都很小，就表明器件內部巳擊穿或短路，如果G與T1之間的電阻為無窮大，則表明器件內部斷路。

在使用雙向可控硅時，除了普通可控硅所應注意的問題以外，還需要注意以下幾點。

１、雙向可控硅通常有耐壓、額定導通電流、觸發電流、漏電流和電壓降等參數，其中前兩項在應用中最為重要。例如用其控制燈泡，由於燈泡未亮時燈絲電阻很小，點亮瞬間，衝擊電流是正常工作時電流的10—20倍，一旦選用管子參數時未留有足夠的余量，就有可能使管子受大電流衝擊而損壞。

２、普通可控硅在參數表或合格證中給出的額定電流是平均值，而雙向可控硅給出的額定電流是有效值。因此在利用雙向可控硅代替兩個並聯反接的普通可控硅時，必須經過換算后再去挑選合格的元件。換算的公式是IT=0．45IKs。式中：IT—普通可控硅額定電流(安)；IKS—雙向可控硅額定電流(安)。例如，一個額定電流為500安的雙向可控硅在作為雙向開關使用時，相當於兩個多少額定電流值的普通可控硅？由換算公式．可得，

IT=0.45x500(安)=225(安)

從普通可控硅參數系列中可以查到，近似的數值為200安。所以額定電流為500安的雙向可控硅在作交流雙向開關使用時，可以代替兩隻額定電流為200安的普通可控硅。

３、實際使用中，在選擇雙向可控硅的觸發電路時，一方面應盡量選用較容易觸發的反向觸發信號，另一方面應使觸發信號的電壓和電流儘可能的高些和大一些。通常應該使觸發電流比手冊中查出的Ic值大一倍左右。

４、選擇雙向可控硅時，應選額定電流值大於負載電流有效值的雙向可控硅。對於電容性負載還應注意過電流保護。

５、對於電感性負載，應注意電壓的上升率要小於手冊中給出的du值，否則將會出現失控現象。為解決這個問題，可以在主電極上並聯RC吸收電路，電阻R的值可選在100歐左右，電容C的容量可選用0.1左右的為好。

６、注意散熱問題。雙向可控硅與普通晶體管一樣，受溫度影響很大，溫度過高將容易產生誤動作，甚至燒毀器件。安裝時應加裝足夠大的散熱器；在實際應用中要注意的問題。

７、當維修電器需要購買新的雙向可控硅來代換已經損壞的時，事先應根據所帶負載的功率核實原管子的耐壓和額定導通電流，同時判准新器件電極極性是否與原來的一致。

交流調壓多採用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點，對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會幹擾電網和自干擾等缺點，下面談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。

1：靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱

雙向可控硅

作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈衝或負向觸發脈衝均可使控制極導通，四種條件下雙向可控硅均可被觸發導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的最小門極電流IGT是有區別的，其中(a)觸發靈敏度最高，(b)觸發靈敏度最低，為了保證觸發同時又要盡量限制門極電流，應選擇(c)或(d)的觸發方式。

2：可控硅過載的保護

可控硅元件優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件(1)外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；(2)可控硅的通態平均電流從安全形度考慮一般按最大電流的1.5～2倍來取；(3)為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大於其額值，除此以外，還必須採取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多採用前者，過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由於，過電壓的尖峰高，作用時間短，常採用電阻和電容吸收電路加以抑制。

3：控制大電感負載時的干擾電網和自干擾的避免

可控硅元件控制大電感負載時會有干擾電網和自干擾的現象，其原因是當可控硅元件控制一個連接電感性負載的電路斷開或閉合時，其線圈中的電流通路被切斷，其變化率極大，因此在電感上產生一個高電壓，這個電壓通過電源的內阻加在開關觸點的兩端，然後感應電壓一次次放電直到感應電壓低於放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產生極大的脈衝束。這些脈衝束疊加在供電電壓上，並且把干擾傳給供電線或以輻射形式傳向周圍空間，這種脈衝具有很高的幅度，很寬的頻率，因而具有感性負載的開關點是一個很強的雜訊源。

3.1：為防止或減小雜訊，對於移相控制式交流調壓一般的處理方法有電感電容濾波電路，阻容阻尼電路和雙向二極體阻尼電路及其它電路。

3.2：電感電容濾波電路，由電感電容構成諧振迴路，其低通截止頻率為f=1/2π

雙向可控硅

Ic，一般取數十千赫低頻率。

3.3：雙向二極體阻尼電路。由於二極體是反向串聯的，所以它對輸入信號極性不敏感。當負載被電源激勵時，抑制電路對負載無影響。當電感負載線圈中電流被切斷時，則在抑制電路中有瞬態電流流過，因此就避免了感應電壓通過開關接點放電，也就減小了雜訊，但是要求二極體的反向電壓應比可能出現的任何瞬態電壓高。另一個是額定電流值要符合電路要求。

3.4：電阻電容阻尼電路，利用電容電壓不能突變的特性吸收可控硅換向時產生的尖峰狀過電壓，把它限制在允許範圍內。串接電阻是在可控硅阻斷時防止電容和電感振蕩，起阻尼作用，另外阻容電路還具有加速可控硅導通的作用。

3.5：另外一種防止或減小雜訊的方法是利用通斷比控制交流調壓方式，其原理是採用過零觸發電路，在電源電壓過零時就控制雙向可控硅導通和截止，即控制角為零，這樣在負載上得到一個完整的正弦波，但其缺點是適用於時間常數比通斷周期大的系統，如恆溫器。

晶閘管元件的主要弱點是承受過電流和過電壓的能力很差，即使短時間的過流和過電壓，也可能導致晶閘管的損壞，所以必須對它採用適當的保護措施。

1.過電流保護

晶閘管出現過電流的主要原因是過載、短路和誤觸發。過電流保護有以下幾種：

快速容斷器快速容斷器中的溶絲是銀質的，只要選用適當，在同樣的過電流倍數下，它可以在晶閘管損壞前先溶斷，從而保護了晶閘管。

過電流繼電器當電流超過過電流繼電器的整定值時，過電流繼電器就會動作，切斷保護電路。但由於繼電器動作到切斷電路需要一定時間，所以只能用作晶閘管的過載保護。

過載截止保護利用過電流的信號將晶閘管的觸發信號后移，或使晶閘管得導通角減小，或乾脆停止觸發保護晶閘管。

2.過電壓保護

過電壓可能導致晶閘管的擊穿，其主要原因是由於電路中電感元件的通斷、熔斷器熔斷或晶閘管在導通與截止間的轉換。對過壓保護可採用兩種措施

阻容保護阻容保護是電阻和電容串聯后，接在晶閘管電路中的一種過電壓保護方式，其實質是利用電容器兩端電壓不能突變和電容器的電場儲能以及電阻使耗能元件的特性，把過電壓的能量變成電場能量儲存在電場中，並利用電阻把這部分能量消耗掉。