硅鉬棒

硅鉬棒阻性電熱元件是一種以二硅化鉬為基礎製成的耐高溫、抗氧化的電阻發熱元件。在高溫氧化性氣氛下使用時，表面生成一層光亮緻密的石英（SiO2）玻璃膜，能夠保護硅鉬棒內層不再氧化，因此硅鉬棒元件具有獨特的高溫抗氧化性。

在氧化氣氛下、最高使用溫度為1800℃，硅鉬棒電熱元件的電阻隨著溫度升高而迅速增加，當溫度不變時電阻值穩定。在正常情況下元件電阻不隨使用時間的長短而發生變化，因此，新舊硅鉬棒電熱元件可以混合使用。

根據加熱設備裝置的結構、工作氣氛和溫度，對電熱元件的表面負荷進行正確地選擇，是硅鉬棒電熱元件的使用壽命的關鍵。

密度：5.6～5.8g/cm3

抗彎強度：20MPa(20℃)

維氏硬度(HV)：570kg/mm2

氣孔率：0.5～2.0%

吸水率：0.5%

熱伸長率：4%

輻射係數：0.7～0.8(800～2000℃)

硅鉬棒電熱元件產品廣泛應用於冶金、鍊鋼、玻璃、陶瓷、耐火材料、晶體、電子元器件、半導體材料的研究、生產製造等領域，特別是對於高性能精密陶瓷、高等級人工晶體、精密結構金屬陶瓷、玻璃纖維、光導纖維及高級合金鋼的生產。

硅碳棒為非金屬電熱元件，是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，經2200℃高溫再結晶製成的，正常使用溫度可達1450℃，合理使用條件下，連續使用超過2000小時，在空氣中使用，不需要任何保護氣氛。適用於各種電爐電窯。

硅鉬棒具有高抗氧化性，在高溫氣氛下，原件的表面生成一層緻密的石英SIO2保護層以防止MOSI2繼續氧化。當元件溫度大於1700度、熔點1710度的SIO2保護層熔融，由於表面張力的作用，SIO2熔聚成滴，而失去保護作用。元件在氧化氣氛下在繼續使用時，SIO2保護層重新生成。

硅碳棒用途：由於硅碳棒使用溫度高，具有耐高溫、抗氧化，耐腐蝕、升溫快、壽命長、高溫變形小、安裝維修方便等特點。有良好的化學穩定性。

若與自動化供電系統配套，既可得到精確的恆定溫度，又可根據生產工藝的實際需要按曲線自動調溫。現已廣泛應用於國防、機械、冶金、輕化、陶瓷、半導體、分析化驗、科學研究等領域，成為各種電爐電窯的電加熱元件。隧道窯、輥道窯、玻璃窯爐、真空爐、馬弗爐、冶鍊爐以及各類加熱設備，使用硅碳棒加熱既方便，又安全可靠。被廣泛用於電子、磁性材料、粉末冶金、陶瓷、玻璃、冶金和機械等工業的多種高溫電爐，電窯。及其電加熱設備上．

硅鉬棒中的硅是一種化學元素，它的化學符號是Si，舊稱矽。原子序數14，相對原子質量28.09，有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體，屬於元素周期表上IVA族的類金屬元素。硅也是極為常見的一種元素，然而它極少以單質的形式在自然界出現，而是以複雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在於岩石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲量排在第八位。在地殼中，它是第二豐富的元素，構成地殼總質量的25.7%，僅次於第一位的氧（49.4%）。

硅鉬棒中的硅名稱的由來，來自拉丁文的silex,silicis，意思為燧石（火石）。民國初期，學者原將此元素譯為“硅”而令其讀為“xi（圭旁確可讀xi音，如畦字）”（又，“硅”字本為“砉”字之異體，讀huo）。然而在當時的時空下，由於拼音方案尚未推廣普及，一般大眾多誤讀為gui。由於化學元素譯詞除中國原有命名者，多用音譯，化學學會注意到此問題，於是又創“矽”字避免誤讀。台灣沿用“矽”字至今。

1787年，拉瓦錫首次發現硅存在於岩石中。然而在1800年，戴維將其錯認為一種化合物。1811年，蓋-呂薩克和Thénard可能已經通過將單質鉀和四氟化硅混合加熱的方法製備了不純的無定形硅。1823年，硅首次作為一種元素被貝采利烏斯發現，並於一年後提煉出了無定形硅，其方法與蓋-呂薩克使用的方法大致相同。他隨後還用反覆清洗的方法將單質硅提純。

1600℃電爐加熱元件為硅鉬棒，硅鉬棒的注意事項

1.硅鉬棒加熱元件，不應該在400℃至700℃溫度範圍內使用，因此在此不利條件下，元件將會發生低溫氧化致使元件毀壞。

2.硅鉬棒加熱元件適宜在空氣、中性氣氛中使用，還原性氣氛如氫氣等會破壞保護層，氯和硫的蒸汽對元件有直接的損害。

硅鉬棒在高溫時(1500度以上)有些軟化，低溫時又硬又脆，為了避免溫變時產生應力，有利於元件的熱脹冷縮，最好採用自由垂直的弔掛安裝方法。吊裝元件的拆換也較方便，不必等爐子冷下來，而可以熱換。

弔掛硅鉬棒時必須注意下列事項:

1)爐襯材料應用剛玉磚，其Fe2O3的質量分數應小於1%，因為它與保護膜相互作用形成易熔的硅酸鹽，從而加速元件的破壞。

2)冷端部泄漏的熾熱爐氣，不僅增加爐子的熱損失，甚至會燒壞導電帶夾頭和引線夾子，因此，最好採用石棉夾頭。

3)因硅鉬棒是脆性材料，抗彎強度低，不能承受碰擊，在安裝過程中應採取防護措施，以防折斷。連接導電帶時，必須先將石棉夾頭(或瓷夾頭)安裝好，夾緊時用力不能過大。

4)將硅鉬棒裝進塞磚，為了避免因裝卸移動而產生的機械應力，塞磚要用泡沫剛玉磚製成的單獨磚塊。

5)將裝有硅鉬棒的塞磚插入爐頂準備好的空檔中，塞磚要突出於爐頂的外面，這樣便於拆卸。

6)將導電帶同早已準備好的連接支架相連接，但應避免導電帶緊張和不自然的扭曲機械應力。

7)為了避免石棉夾頭因熱脹冷縮而可能使硅鉬棒下垂變形，可用水玻璃拌合的耐火泥漿塗在連接處，以便固定牢靠。

8)吊裝時發熱部的錐體交界處與爐牆相距約25mm-3omm，冷端部應露出爐頂外面75mm，其發熱部的下端到爐底應不小於50mm。

9)硅鉬棒在爐內的間隔應不小於元件本身的中心間距。

10)吊裝時必須注意兩個冷端部和接線部分的重力平衡，否則會造成發熱部產生彎曲變形。