鋁碳化硅材料

研較早，論描述較完善，品率電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體晶元集成度沿摩爾定律提高導致晶元發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的"輕薄微小"的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、軍用射頻系統晶元等封裝分析作用極為凸現，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。封裝金屬基複合材料的增強體有數種，SiC是其中應用最為廣泛的一種，這是因為它具有優良的熱性能，用作顆粒磨料技術成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強體材料具有各向同性，最有利於實現凈成形。AlSiC特性主要取決於SiC的體積分數（含量）及分佈和粒度大小，以及Al合金成份。依據兩相比例或複合材料的熱處理狀態，可對材料熱物理與力學性能進行設計，從而滿足晶元封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分數尤為重要，實際應用時，AlSiC與晶元或陶瓷基體直接接觸，要求CTE儘可能匹配，為此SiC體積百分數vol通常為50%-75%。此外，AlSiC可將多種電子封裝材料並存集成，用作封裝整體化，發展其他功能及用途。研製成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌入SiC預製件中，通過金屬Al熔滲製作並存集成的封裝基片。在AlSiC並存集成過程中，可在最需要的部位設置這些昂貴的快速散熱材料，降低成本，擴大生產規模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統正在接受測試和評估。另外，還可並存集成48號合金、Kovar和不鏽鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環、基片等，在熔滲之前插入SiC預成型件內，在AlSiC複合成形過程中，經濟地完成並存集成，方便光電器件封裝的激光連接。採用噴射沉積技術，製備了內部組織均勻、性能優良、Si含量高達70wt%（重量百分率）的高硅鋁合金SiAl封裝材料，高硅鋁合金的CTE與Si、GaAs相匹配，也可用於射頻、微波電路的封裝及航空航天電子系統中，發展為一種輕質金屬封裝材料。