晶元封裝測試

晶元封裝測試

晶元封裝測試,球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。半導休的生產首先是晶元的生產,如二極體三極體集成電路,都是先晶元的生產。然後為了加裝引極,保護脆弱晶元的機械強度而進行的包封,這個工藝過程叫封裝。最後為了剔除不合格品而按標準進行的各種測量和篩選,這個工藝過程叫測試。

主要分類


1、BGA(ballgridarray)
球形觸點陳列,表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陳列方式製作出球形凸點用以代替引腳,在印刷基板的正面裝配LSI晶元,然後用模壓樹脂或灌封方法進行密封。也稱為凸點陳列載體(PAC)。引腳可超過200,是多引腳LSI用的一種封裝。
封裝本體也可做得比QFP(四側引腳扁平封裝)小。例如,引腳中心距為1.5mm的360引腳BGA僅為31mm見方;而引腳中心距為0.5mm的304引腳QFP為40mm見方。而且BGA不用擔心QFP那樣的引腳變形問題。
該封裝是美國Motorola公司開發的,首先在攜帶型電話等設備中被採用,今後在美國有可能在個人計算機中普及。最初,BGA的引腳(凸點)中心距為 1.5mm,引腳數為225。現在也有一些LSI廠家正在開發500引腳的BGA。BGA的問題是迴流焊后的外觀檢查。現在尚不清楚是否有效的外觀檢查方法。有的認為,由於焊接的中心距較大,連接可以看作是穩定的,只能通過功能檢查來處理。
美國Motorola公司把用模壓樹脂密封的封裝稱為OMPAC,而把灌封方法密封的封裝稱為GPAC(見OMPAC和GPAC)。
2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)
帶緩衝墊的四側引腳扁平封裝。QFP封裝之一,在封裝本體的四個角設置突起(緩衝墊)以防止在運送過程中引腳發生彎曲變形。美國半導體廠家主要在微處理器和ASIC等電路中採用
此封裝。引腳中心距0.635mm,引腳數從84到196左右(見QFP)。
3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)
表面貼裝型PGA的別稱(見表面貼裝型PGA)。
4、C-(ceramic)
表示陶瓷封裝的記號。例如,CDIP表示的是陶瓷DIP。是在實際中經常使用的記號。
5、Cerdip
用玻璃密封的陶瓷雙列直插式封裝,用於ECLRAM,DSP(數字信號處理器)等電路。帶有玻璃窗口的Cerdip用於紫外線擦除型EPROM以及內部帶有EPROM的微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從8到42。在日本,此封裝表示為DIP-G(G即玻璃密封的意思)。
6、Cerquad
表面貼裝型封裝之一,即用下密封的陶瓷QFP,用於封裝DSP等的邏輯LSI電路。帶有窗口的Cerquad用於封裝EPROM電路。散熱性比塑料QFP 好,在自然空冷條件下可容許1.5~2W的功率。但封裝成本比塑料QFP高3~5倍。引腳中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多種規格。引腳數從32到368。
7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)
帶引腳的陶瓷晶元載體,表面貼裝型封裝之一,引腳從封裝的四個側面引出,呈丁字形。
帶有窗口的用於封裝紫外線擦除型EPROM以及帶有EPROM的微機電路等。此封裝也稱為QFJ、QFJ-G(見QFJ)。
8、COB(chiponboard)
板上晶元封裝,是裸晶元貼裝技術之一,半導體晶元交接貼裝在印刷線路板上,晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,晶元與基板的電氣連接用引線縫合方法實現,並用樹脂覆蓋以確保可靠性。雖然COB是最簡單的裸晶元貼裝技術,但它的封裝密度遠不如TAB和倒片焊技術。
9、DFP(dualflatpackage)
雙側引腳扁平封裝。是SOP的別稱(見SOP)。以前曾有此稱法,現在已基本上不用。
10、DIC(dualin-lineceramicpackage)
陶瓷DIP(含玻璃密封)的別稱(見DIP).
11、DIL(dualin-line)
DIP的別稱(見DIP)。歐洲半導體廠家多用此名稱。
12、DIP(dualin-linepackage)
雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應用範圍包括標準邏輯IC,存貯器 LSI,微機電路等。引腳中心距2.54mm,引腳數從6到64。封裝寬度通常為15.2mm。有的把寬度為7.52mm和10.16mm的封裝分別稱為 skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數情況下並不加區分,只簡單地統稱為DIP。另外,用低熔點玻璃密封的陶瓷DIP也稱為 cerdip(見cerdip)。
13、DSO(dualsmallout-lint)
雙側引腳小外形封裝。SOP的別稱(見SOP)。部分半導體廠家採用此名稱。
14、DICP(dualtapecarrierpackage)
雙側引腳帶載封裝。TCP(帶載封裝)之一。引腳製作在絕緣帶上並從封裝兩側引出。由於利
用的是TAB(自動帶載焊接)技術,封裝外形非常薄。常用於液晶顯示驅動LSI,但多數為定製品。另外,0.5mm厚的存儲器LSI簿形封裝正處於開發階段。在日本,按照EIAJ(日本電子機械工業)會標準規定,將DICP命名為DTP。
15、DIP(dualtapecarrierpackage)
同上。
日本電子機械工業會標準對DTCP的命名(見DTCP)。
16、FP(flatpackage)
扁平封裝。表面貼裝型封裝之一。QFP或SOP(見QFP和SOP)的別稱。部分半導體廠家採用此名稱。
17、flip-chip
倒焊晶元。裸晶元封裝技術之一,在LSI晶元的電極區製作好金屬凸點,然後把金屬凸點與印刷基板上的電極區進行壓焊連接。封裝的佔有面積基本上與晶元尺寸相同。是所有封裝技術中體積最小、最薄的一種。但如果基板的熱膨脹係數與LSI晶元不同,就會在接合處產生反應,從而影響連接的可靠性。因此必須用樹脂來加固LSI晶元,並使用熱膨脹係數基本相同的基板材料
18、FQFP(finepitchquadflatpackage)
小引腳中心距QFP。通常指引腳中心距小於0.65mm的QFP(見QFP)。部分導導體廠家採用此名稱。
19、CPAC(globetoppadarraycarrier)
美國Motorola公司對BGA的別稱(見BGA)。
20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)
帶保護環的四側引腳扁平封裝。塑料QFP之一,引腳用樹脂保護環掩蔽,以防止彎曲變形。
在把LSI組裝在印刷基板上之前,從保護環處切斷引腳並使其成為海鷗翼狀(L形狀)。這種封裝在美國Motorola公司已批量生產。引腳中心距0.5mm,引腳數最多為208左右。
21、H-(withheatsink)
表示帶散熱器的標記。例如,HSOP表示帶散熱器的SOP。
22、pingridarray(surfacemounttype)
表面貼裝型PGA。通常PGA為插裝型封裝,引腳長約3.4mm。表面貼裝型PGA在封裝的底面有陳列狀的引腳,其長度從1.5mm到2.0mm。貼裝採用與印刷基板碰焊的方法,因而也稱為碰焊PGA。因為引腳中心距只有1.27mm,比插裝型PGA小一半,所以封裝本體可製作得不怎麼大,而引腳數比插裝型多(250~52,是大規模邏輯LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環氧樹脂印刷基數。以多層陶瓷基材製作封裝已經實用化。
23、JLCC(J-leadedchipcarrier)
J形引腳晶元載體。指帶窗口CLCC和帶窗口的陶瓷QFJ的別稱(見CLCC和QFJ)。部分半導體廠家採用的名稱。
24、LCC(Leadlesschipcarrier)
無引腳晶元載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻IC用封裝,也稱為陶瓷QFN或QFN-C(見QFN)。
25、LGA(landgridarray)
觸點陳列封裝。即在底面製作有陣列狀態坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現已實用的有227觸點(1.27mm中心距)和447觸點(2.54mm中心距)的陶瓷LGA,應用於高速邏輯
LSI電路。LGA與QFP相比,能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外,由於引線的阻抗小,對於高速LSI是很適用的。但由於插座製作複雜,成本高,現在基本上不怎麼使用。預計今後對其需求會有所增加。
26、LOC(leadonchip)
晶元上引線封裝。LSI封裝技術之一,引線框架的前端處於晶元上方的一種結構,晶元的中心附近製作有凸焊點,用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在晶元側面附近的結構相比,在相同大小的封裝中容納的晶元達1mm左右寬度。
27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)
薄型QFP。指封裝本體厚度為1.4mm的QFP,是日本電子機械工業會根據制定的新QFP外形規格所用的名稱。
28、L-QUAD
陶瓷QFP之一。封裝基板氮化鋁,基導熱率比氧化鋁高7~8倍,具有較好的散熱性。封裝的框架用氧化鋁,晶元用灌封法密封,從而抑制了成本。是為邏輯 LSI開發的一種封裝,在自然空冷條件下可容許W3的功率。現已開發出了208引腳(0.5mm中心距)和160引腳(0.65mm中心距)的LSI邏輯用封裝,並於1993年10月開始投入批量生產。
29、MCM(multi-chipmodule)
多晶元組件。將多塊半導體裸晶元組裝在一塊布線基板上的一種封裝。根據基板材料可分為MCM-L,MCM-C和MCM-D三大類。
MCM-L是使用通常的玻璃環氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎麼高,成本較低。
MCM-C是用厚膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或玻璃陶瓷)作為基板的組件,與使
用多層陶瓷基板的厚膜混合IC類似。兩者無明顯差別。布線密度高於MCM-L。
MCM-D是用薄膜技術形成多層布線,以陶瓷(氧化鋁或氮化鋁)或Si、Al作為基板的組件。
布線密謀在三種組件中是最高的,但成本也高。