力晶半導體股份有限公司

提升際市競爭及達量產濟規模，司設初，晶即菱建技術、產銷售策略聯盟系。廠Elpida締結策略聯盟，雙方攜手合作共同研發最尖端DRAM技術。代工方面，力晶亦為三菱與日立LSI部門合併後的新公司瑞薩科技(RenesasTechnologyCorp.)的主要代工夥伴，邁向系統晶片(SystemLSI)產品領域。

晶半導股份限司。

八吋晶圓廠(廠)土典禮。

1996年04月8A廠正式啟用。

10月8A廠開始量產0.40微米16MbDRAM/SDRAM。

1997年12月獲頒ISO9002國際品保系統驗證證書。

1998年02月8A廠量產0.30微米64MbDRAM/SDRAM。

03月公司股票正式以科技類股於櫃買中心掛牌上櫃。

07月切入代工服務領域有成，第一家美國代工客戶產品試產成功。

12月獲頒ISO14001國際環境管理系統驗證證書。

1999年06月與世界先進及三菱電機簽訂策略聯盟合作備忘錄，共組聯盟關係。

11月發行第一次海外存托憑證，總金額達美金288,900,000元。

2000年07月舉行第一座十二吋晶圓廠(P1廠)動土典禮。

2001年05月發行第一次公司債(含海外公司債)，總額達美金200,000,000元。

09月榮獲經濟部工業局所舉辦的第十二屆「品質優良案例獎」。

2002年10月通過OHSAS18001職業安全衛生評估系列驗證。

11月第一座十二吋晶圓廠(FabP1)正式量產。

2003年01月謝再居博士接任總經理肩負營運重責。

08月力晶與日本Elpida公司正式簽訂0.10、0.09微米技術轉移合約。

10月第二座十二吋晶圓廠(P2廠)動土典禮。

2004年04月力晶十二吋晶圓廠代工業務正式投片。

09月力晶員工診所開幕。

2005年01月獲頒ISO/TS16949證書。

03月P2廠正式啟用。

05月力晶開始以十二吋晶圓廠生產高容量快閃記憶體。

2006年01月與旺宏達成協議購入晶圓廠房，並命名為12M廠。

02月與瑞薩(Renesas)達成AG-AND快閃記憶體技術授權協議。

12月與爾必達簽訂合作備忘錄，將設合資公司以新台幣4,500億元於台灣中部建置全球最大12吋晶圓DRAM廠區；雙方並決定共同開發50奈米DRAM製程技術。

2007年06月力晶研發測試中心動土典禮。

10月與爾必達合資之瑞晶電子公司第一座十二吋晶圓廠(R1廠)啟用。

2008年04月8A廠獨立為鉅晶電子公司。

4月與日商瑞薩、SHARP合資設立RenesasSP公司，共同拓展LCD驅動晶片市場。

4月第四/五座十二英寸晶圓廠(P4/P5廠)動土。

力晶八吋晶圓廠(8A廠)，自八十五年開始運轉量產，目前已達四萬片的滿載月產能規模。八十九年力晶興建第一座十二吋晶圓廠(12A廠)，滿載月產能可達四萬五千片，不僅是台灣第一座為製造先進記憶體而量身打造的十二吋晶圓廠，也是全球半導體業界前三座進入量產的十二吋DRAM廠。九十二年十月力晶興建第二座十二吋晶圓廠（12B廠），預計九十四年第三季進入量產，滿載月產能可達四萬片規模。

精進技術、服務客戶，成為穩定獲利的世界級半導體公司，是力晶的願景。目前，力晶以先進的科技和產能，提供標準型記憶體(DRAM)、消費性記憶體(C-RAM)、通訊用記憶體(M-RAM)、高容量快閃記憶體(Flash)、CMOS影像感測器及多元化代工服務。未來，力晶將強化國際合作策略，引進尖端科技，持續穩健投資，在快速變遷的高科技產業中不斷建立競爭優勢，成為與客戶共創雙贏的全方位記憶體供應商。