iCoupler
iCoupler
iCoupler®是ADI(Analog Devices, Inc.)公司一項專利技術,我們也稱為“磁隔離”技術,基於iCoupler磁隔離技術的數字隔離器,我們稱之為“磁耦”。
iCoupler磁隔離晶元
首先,iCoupler變壓器是空心變壓器,沒有磁芯。為了實現緊密互耦,將兩個15匝、直徑500um的線圈直接堆疊,空隙僅為20um。這使得耦合係數大於0.8。
其次,iCoupler變壓器具有非常高的帶寬。頂部與底部線圈的自激頻率分別是1 GHz與400 MHz,線圈之間的電容小於0.3 pF。高帶寬與小電容意味著iCoupler磁隔離技術能夠提供極高速的數字隔離。
第三,iCoupler變壓器線圈具有低電感、高阻抗,每個線圈的電感大約是110 nH,頂部金線圈阻抗是25Ω,底部鋁線圈阻抗是50Ω。這樣的L/R比值使得低頻信號無法直接通過(如果輸入信號的脈寬大於L/R比或是只有幾納秒,變壓器很容易電流飽和)。
為了擺脫這些線圈的低頻限制,iCoupler磁隔離技術採用創新的編碼電路通過變壓器傳輸僅1~2 ns寬的脈衝,而不管輸入信號的頻率。解碼電路由這些1~2 ns寬的脈衝重新恢復出輸出信號。這種編碼/解碼方法允許iCoupler磁隔離產品傳輸直流和高頻信號。
最後,由於採用金材料製作底部線圈與頂部線圈,並通過增加線圈繞線的直徑降低阻抗,因此可以優化變壓器,使得能跨越隔離阻障傳輸能量。這樣做不會影響信號隔離度。ADuM540x採用isoPower技術,在一個封裝內集成隔離的數據通道與電源。
利用iCoupler磁隔離平面變壓器的獨特特徵以及一些創新的電路設計,iCoupler磁隔離產品可以在不影響性能的前提下,在一個封裝內集成許多不同的特性與功能。
採用聚醯亞胺隔離層
iCoupler磁隔離器件使用的聚醯亞胺塗層厚度為20um,介電擊穿強度超過400V/um;這使得iCoupler隔離器能夠在超過8kV的瞬間交流電壓條件下使用。由於澱積的聚醯亞胺薄膜沒有空隙且不會受到電暈放電的影響,因此iCoupler隔離期還表現出良好的抗老化行為,可以在連續的交流電壓與直流電壓下工作。
除了良好的高壓性能,聚醯亞胺還具有出眾的靜電放電(ESD)性能,能夠應對超過15kV的EOS與ESD事件。在能量有限的ESD事件期間,聚醯亞胺聚合物吸收一些電荷形成穩定自由基,中斷雪崩過程,並釋放一些電荷。其他電介質材料,如氧化物,通常不具有這麼高的靜電放電容限特性,一旦ESD級別超過介質強度,可能就進入雪崩狀態,即使ESD能量較低。
iCoupler隔離器採用的聚醯亞胺還具有高的熱穩定性,失重溫度超過500°C,玻璃化轉變溫度大約是260°C。聚醯亞胺還具有高機械穩定性,拉伸強度超過120MPa,彈性延伸率超過30%。儘管延伸率高,聚醯亞胺卻不容易變形,因為其楊氏模量大約是3.3Gpa。
最後,聚醯亞胺層的介電常數是3.3,與小直徑Au變壓器線圈配合良好,從而使隔離層之間的電容最小。大多數iCoupler隔離器輸入與輸出之間的電容小於2.5 pF。
ADI公司已進行了廣泛的高壓(HV)壽命可靠性測試,在高達400Vrms的工作電壓下,iCoupler磁隔離產品的HV壽命至少為65年。這一壽命數據是基於最壞情況下的雙極交流波形條件得到的。在單極交流或直流波形條件下,其HV壽命甚至更長。
對於封裝而言,安全性標準對最小間距有一定的要求。爬電距離的定義為隔離柵兩側的導體之間沿著絕緣表面的最短距離,而電氣間隙定義為導體之間沿空間的最短距離。iCoupler磁隔離產品所採用封裝都已獲得CSA,VDE,TUV和UL認證,其爬電距離和電氣間隙至少為4mm,有的超過8mm。這些間距能夠滿足在不同隔離強度下的安全要求。