單晶爐
直拉法生長無錯位單晶的設備
副室:主要是副室筒以及上下法蘭組成。
爐筒:包括取光孔。
下爐筒:包括抽真空管道。
底座機架:全鑄鐵機架和底座。
坩堝下傳動裝置:主要由磁流體、電機、坩堝支撐軸、減速機、軟波紋管、立柱、上下傳動支撐架、導軌、等部件組成。
購買技術主要要求
1、單晶爐裝料量(單台機產能多少)。
2、能拉多長、幾寸的硅棒。
3、拉制晶棒的成品率是多少。
4、拉出硅棒品質(少子壽命、電阻率、碳氧含量、位錯密度)。
5、設備製造工藝控制保證。
6、自動化控制程度。
7、設備主要關鍵部件的配置等。
單晶爐型號定義
單晶爐型號有兩種命名方式,一種為投料量,一種為爐室直徑。比如85爐,是指主爐筒的直徑大小,120、150等型號是由裝料量來決定的。
單晶爐主要需要控制的方面
一、晶體直徑(尺寸)
二、溫度(功率控制)
三、原料(硅料)
四、泄漏率,氬氣質量等
單晶爐熱場的設計與模擬
單晶直徑在生長過程中可受到溫度,提拉速度與轉速,坩堝跟蹤速度與轉速,保護氣體的流速等因素的影響。其中溫度主要決定能否成晶,而速度將直接影響到晶體的內在質量,而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢測才能獲知。溫度分佈合適的熱場,不僅單晶生長順利,而且品質較高;如果熱場的溫度分佈不是很合理,生長單晶的過程中容易產生各種缺陷,影響質量,情況嚴重的出現變晶現象生長不出來單晶。因此在投資單晶生長企業的前期,一定要根據生長設備,配置出最合理的熱場,從而保證生產出來的單晶的品質。在晶體生長分析與設計中,實驗與數值模擬是相輔相成的,其過程可以分為兩個部分:
(1)在第一階段,利用引上法晶體生長實驗來進行數值模擬參數的調整。
(2)在第二階段,利用數值模擬是用來確定最佳的晶體生長工藝參數。