抑制性突觸后電位

（1）突觸前膜釋放遞質是Cl-內流引發的；

（2）遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的；

（3）IPSP是局部電位，而不是動作電位；

（4）IPSP是突觸后膜離子通透性變化所致，與突觸前膜無關。

突觸后膜在遞質作用下發生超極化，使該突觸后神經元的興奮下降，這種電位變化稱為抑制性突觸后電位（IPSP）。其產生機製為抑制性遞質作用於突觸后膜，使盾膜上的配體門控CI通道開放，引起CI內流，突觸后膜發生超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸后膜K通道的開放或Na、Ca通道的關閉有關。