AC4B

AC4B

AC4B是壓鑄型鑄件用鋁合金,近於中國國標的YL112,美標380.0。該合金具有優良的室溫力學性能,高溫強度尚佳,鑄造性能優良。主要適用於製造形狀結構複雜、要求高力學性能的薄壁鑄件。

AC4B鋁合金


AC4B成分:
Si:7.0-10.0,Cu:2.0-4.0,Mg1.00max,Zn1.00max,Fe0.5max,Mn0.035max,Ni0.02max

元素銅Cu


元素原子量:63.546
元素類型:金屬元素
元素在太陽中的含量:(ppm)
0.7
晶體結構:晶胞為面心立方晶胞,每個晶胞含有4個金屬原子。
原子體積:(立方厘米/摩爾)
7.1
元素在海水中的含量:(ppm)
太平洋表面 0.00008
氧化態:
主要(Main) Cu+2
其他(Other) Cu-1, Cu0, Cu+1, Cu+3, Cu+4
a = 361.49 pm
b = 361.49 pm
c = 361.49 pm
α = 90°
β = 90°
γ = 90°
地殼中含量:(ppm)
50
質子數:29
中子數:35
原子序數:29
所屬周期:3
所屬族數:IB
電子層分佈:2-8-18-1
莫氏硬度:3
聲音在其中的傳播速率:(m/S)
3810
一般狀況下的密度:8.9×10^3kg/m^3
在古代就發現有銅存在。
元素符號: Cu 英文名: Copper 中文名:銅
相對原子質量: 63.55 常見化合價: +1,+2 電負性: 1.9
外圍電子排布: 3d10 4s1 核外電子排布: 2,8,18,1
同位素及放射線: Cu-61[3.4h] Cu-62[9.7m] *Cu-63 Cu-64[12.7h] Cu-65 Cu-67[2.6d]
電子親合和能: 118.3 KJ·mol-1
第一電離能: 745 KJ·mol-1 第二電離能: 1958 KJ·mol-1 第三電離能: 3555 KJ·mol-1
單質密度: 8.96 g/cm3 單質熔點: 1083.0 ℃ 單質沸點: 2567.0 ℃
原子半徑: 1.57 埃 離子半徑: 0.73(+2) 埃 共價半徑: 1.17 埃
常見化合物: CuO Cu2O Cu2S CuCl2 Cu(OH)2 CuSO4 CuFeS2 [Cu(NH3)2]OH CuF2 CuBr2
發現人:遠古就被發現 時間: 0 地點:未知
名稱由來:
元素符號來自拉丁文“cuprum”(以銅礦著稱的塞普勒斯島)。
元素描述:
柔韌有延展性的紅棕色金屬。
元素來源:
自然界很少存在銅單質。銅元素通常只見於硫化物黃銅礦(CuFeS2)、coveline(CuS)、輝銅礦,或者氧化物赤銅礦中。
元素用途:
主要用作導體,也用於製造水管。銅合金可用作首飾和錢幣的材料。

元素Si


英文名: Silicon 中文名:硅 元素周期表第14號元素
體積彈性模量:GPa
100
元素在宇宙中的含量:(ppm)
700
相對原子質量: 28.0855 常見化合價: +2,+4 電負性: 1.9
外圍電子排布: 3s2 3p2 核外電子排布: 2,8,4
同位素及放射線: *Si-28 Si-29 Si-30 Si-31[2.62h] Si-32[100y]
原子式量:
28.085
原子化焓:kJ /mol @25℃
439.3
熱容:J /(mol· K)
19.789
導電性:10^6/(cm ·Ω )
2.52×10^(-12)
導熱係數:W/(m·K)
149
熔化熱:(千焦/摩爾)
50.550
汽化熱:(千焦/摩爾)
384.220
電子親合和能: 178 KJ·mol-1
第一電離能: 787 KJ·mol-1 第二電離能: 1577 KJ·mol-1 第三電離能: 3232 KJ·mol-1
單質密度: 2.329 g/cm3 單質熔點: 1410 ℃ 單質沸點: 2355 ℃
原子半徑: 1.46 埃 離子半徑: 0.42(+4) 埃 共價半徑: 1.11 埃
常見化合物: SiO2 SiC SiF4 H2SiO3 H2SiF6 Na2SiO3 SiCl4 SiH4 Mg2Si
發現人:貝采里烏斯 時間: 1823 地點:瑞典
名稱由來:
拉丁文:latin silicis(=flint),silex, silicus(燧石)。
元素描述:
無定形硅是褐色的粉末,晶體硅有著灰黑色金屬般的外觀。在宇宙中含量第七,在地球中含量第二。
元素來源:
硅構成了粘土、花崗岩石英(SiO2)和沙的主要成分。硅的工業生產主要依靠2200攝氏度左右時沙(SiO2)和碳之間的反應。
元素用途:
二氧化硅(SiO2)用於制玻璃,純凈的二氧化硅(SiO2)是現代光學及光線製品的基本原料。碳化硅(SiC)是已知最硬的物質之一,可用來進行拋光。另外單晶硅是製造半導體的材料。