羅向東

男， 34歲，1998年畢業於北京科技大學金屬物理專業，獲得學士學位；2003年畢業於中國科學院半導體研究所超晶格國家重點實驗室，獲得博士學位。在攻讀博士期間，曾分別於2001年2月至5月和2002年3月至5月訪問香港科技大學。2003年9月至12月訪問瑞典Linkoping大學磁共振國際研究中心。2004年3月開始進入南通大學（原工學院）工作。2004年博士論文獲得“中國科學院優秀博士論文”的榮譽。2005年6月至2006年6月受香港科技大學王建農教授邀請再次訪問香港科技大學。2007年獲得江蘇省教育廳出國留學基金資助。現為南通大學江蘇省專用集成電路設計重點實驗室專任教師，微電子材料和工藝教研室主任，發表了20篇以上SCI學術論文。在南通大學工作期間，2004年獲得江蘇省科技廳青年科技創新人才項目（BK2004403）資助，2005年獲得江蘇省人事廳“六大人才高峰項目”資助。2006年獲得國家自然科學基金委的國家自然科學基金（50602044）資助。2008年受到南通大學“創新人才”項目資助。2008年還獲得江蘇省高校重大基礎研究計劃項目（08KJA510002）和南通市應用科技計劃項目（K2008024）的資助。

主要研究方向為半導體材料、器件和工藝。

發表論文

[1]. X. D. Luo, J. S. Huang, Z. Y.Xu, C. L. Yang, J. Liu, W. K. Ge, Y. Zhang, A. Mascarenhas, H. P. Xin, and C. W. Tu, Alloy States in DiluteGaAs1-xNx Alloy (x<1%), Appl. Phys. Lett., 82, 1697 (2003).

[2]. X. D. Luo, C. Y. Hu, Z. Y.Xu, H. L. Luo, Y. Q. Wang, J. N. Wang, and W. K. Ge, Selectively ExcitedPhotoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs Single Quantum Wells. Appl. Phys. Lett.,81, 3795 (2002).

[3]. X. D. Luo, Z. Y. Xu,B. Q. Sun, W. K. Ge, Z. Pan, L. H. Li, and Y. W. Lin, PhotoluminescenceProperties of GaN0.015As0.985/GaAs Single Quantum Wells under Short PulseExcitation. Appl. Phys. Lett., 79, 958 (2001)