姜大川

2012/2- 2015.3 青島隆盛晶硅科技有限公司副總經理（產學研合作負責技術）。

2014/10 - 至今，大連理工大學，材料科學與工程學院，講師。

2015/3—至今 大工（青島）新能源材料技術研究院有限公司 總經理。

2012/6 - 2014/10，大連理工大學，化工學部，博士后。

2006.09—2012.06 大連理工大學 材料科學與工程學院 博士

2002.09—2006.06 大連理工大學 材料科學與工程學院 學士

電子束熔煉製備太陽能級多晶硅技術的研究

多晶硅定向提純技術的研究

碩博研究方向

太陽能級多晶硅冶金製造；

太陽能級多晶硅材料再生製造；

1.Dachuan Jiang, Shiqiang Ren, Shuang Shi, Wei Dong, Jieshan Qiu, Yi Tan, Jiayan Li: Phosphorus removal from silicon by vacuum refining and directional solidification, Journal of Electronic Materials, 48 (2) (2014) 314-319.

2.Jiayan Li, Lei Zhang, Yi Tan, Dachuan Jiang, Dengke Wang, Yaqiong Li: Research of boron removal from polysilicon using CaO-Al2O3-SiO2-CaF2 slags, Vacuum, 103 (2014) 33-37.

3.H. M. Noor ul Huda Khan Asghar, Yi Tan, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Shiqiang Qin, Jiao Liao, Shutao Wen, Wei Dong, Yao Liu: Removal of oxygen from silicon by electron beam melting, Applied Physics A, 115(3) (2014) 753-757.

4.Yi Tan, Shiqiang Ren, Shuang Shi, Shutao Wen, Dachuan Jiang, Wei Dong, Ming Ji, Shihai Sun: Removal of aluminum and calcium in multicrystalline silicon by vacuum induction melting and directional solidification, Vacuum, 99 (2014) 272-276.

5.Yi Tan, Shiqiang Qin, Shutao Wen, Jiayan Li, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Dayu Pang: New method of boron removal from silicon by electron beam injection, Materials Science in Semiconductor Processing, 18 (2014) 42-45.

6.Dachuan Jiang, Shuang Shi, Yi Tan, Dayu Pang, Wei Dong: Research on distribution of aluminum in electron beam melted silicon ingot, Vacuum, 96 (2013) 27-31.

7.Yi Tan, Shuang Shi, Xiaoliang Guo, Dachuan Jiang, Wei Dong, Shiqiang Ren: Effect of cooling rate on solidification of electron beam melted silicon ingots, Vacuum, 89 (2013) 12-16.

8.Yi Tan, Shutao Wen, Shuang Shi, Dachuan Jiang, Wei Dong, Xiaoliang Guo: Numerical simulation for parameter optimization of silicon purification by electron beam melting, Vacuum, 95 (2013) 18-24.

9.Shuang Shi, Wei Dong, Xu Peng, Dachuan Jiang, Yi Tan: Evaporation and removal mechanism of phosphorus from the surface of silicon melt during electron beam melting, Applied Surface Science, 266(3) (2013) 344-349.

10.Shutao Wen, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Dachuan Jiang, Jiao Liao, Zhi Zhu: Thermal contact resistance between the surfaces of silicon and copper crucible during electron beam melting, International Journal of Thermal Sciences, 74 (2013) 37-43.

11.Yi Tan, Xiaoliang Guo, Shuang Shi, Wei Dong, Dachuan Jiang: Study on the removal process of phosphorus from silicon by electron beam melting, Vacuum, 93 (2013) 65-70.

12.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Ruixun Zou: Removal of phosphorus in molten silicon by electron beam candle melting, Materials Letters, 78 (2012) 4-7.

13.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Wei Dong, Zheng Gu, Xiaoliang Guo: Evaporated metal aluminium and calcium removal from directionally solidified silicon for solar cell by electron beam candle melting, Vacuum, 86(10) (2012) 1417-1422.

14.Dachuan Jiang, Yi Tan, Shuang Shi, Qiang Xu, Wei Dong, Zheng Gu, Ruixun Zou: Research on a new method of Electron Beam Candle Melting Used for the Removal of P from Molten Si, Materials Research Innovations, 15(6) (2011) 406-409.

15.Xu Peng, Wei Dong, Yi Tan, Dachuan Jiang: Removal of Aluminum from Metallurgical Grade Silicon by an Electron Beam Melting, Vacuum, 86(4) (2011) 471-475.

16.Qiang Wang, Wei Dong, Yi Tan, Dachuan Jiang, Cong Zhang, Xu Peng: Impurities evaporation from metallurgical-grade silicon in electron beam melting process, RARE METALS, 30(3) (2011) 274-277.

項目：

1.國家自然科學基金青年基金“多晶硅定向凝固反向誘導泉涌效應的研究”課題負責人

2.中國博士后科學基金“多晶硅定向提純反向誘導泉涌技術的研究”課題負責人

3.國家科技支撐計劃項目“冶金法製備太陽能級多晶硅關鍵技術研究及工業示範”課題參與人

4.國家自然科學基金聯合項目“冶金法製備太陽能級多晶硅中的真空精鍊研究”課題參與人

5.國家自然科學基金項目“電子束注入對多晶硅Si/SiO2界面處雜質硼遷移的影響研究”課題參與人

獎勵：

1.2013年12月 遼寧省科學技術發明獎二等獎 電子束製備太陽能級多晶硅材料的技術及應用

2.2012年11月 大連市科學技術發明獎一等獎 電子束製備太陽能級多晶硅材料的技術及應用

專利：

1.李鵬廷, 姜大川, 李佳艷, 任世強, 譚毅, 石爽. 一種底部補償硼元素的多晶硅鑄錠工藝, 申請號: CN201410123650.5

2.譚毅, 李鵬廷, 任世強, 石爽, 姜大川. 一種硼元素均勻分佈的多晶硅鑄錠工藝, 申請號: CN201410123795.5

3.姜大川, 任世強, 石爽, 譚毅, 邱介山. 高純中空硅材料、多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法及設備, 申請號: CN201310209897.4

4.姜大川, 任世強, 石爽, 李鵬廷, 譚毅. 一種多晶硅快速凝固方法, 申請號: CN201310533033.8

5.譚毅, 姜大川, 石爽, 任世強. 多晶硅鑄錠硅固液分離方法及設備, 申請號: CN201310210007.1

6.譚毅, 姜大川, 石爽, 溫書濤, 鄒瑞洵. 一種電子束熔煉用坩堝的輻射攔截裝置, 申請號: CN201310023866.X

7.譚毅, 任世強, 石爽, 姜大川, 李鵬廷. 一種多晶硅逆向凝固裝置及方法, 申請號: CN201310530845.7

8.李佳艷, 譚毅, 李亞瓊, 姜大川, 王登科, 張磊. 多晶硅介質熔煉時除硼的造渣劑及其使用方法, 申請號: CN201310337757.5

9.譚毅, 李佳艷, 王登科, 張磊, 姜大川, 李亞瓊. 一種多晶硅介質熔煉時除硼的造渣劑及其使用方法, 申請號: CN201310337756.0

10.譚毅, 石爽, 任世強, 姜大川. 多晶硅鑄錠硅真空固液分離方法及分離設備, 申請號: CN201310210006.7

11.譚毅, 李佳艷, 張磊, 李亞瓊, 王登科, 姜大川. 一種多晶硅介質熔煉用造渣劑及其使用方法, 申請號: CN201310337930.1

12.譚毅, 姜大川, 石爽, 廖嬌, 石小磊. 一種電子束熔煉製備鎢電極材料的方法, 申請號: CN201210576775.4

13.譚毅, 姜大川, 石爽, 郭校亮. 一種電子束誘導定向凝固除雜的方法, 申請號: CN201210289971.3

14.譚毅, 石爽, 游小剛, 姜大川, 石小磊. 一種稀土鎢電極材料的製備方法, 申請號: CN201210576414.X

15.譚毅, 劉應寬, 盛之林, 李佳艷, 石爽, 劉振遠, 董偉, 姜大川. 一種高純硅襯底下電子束熔煉提純多晶硅的方法及設備, 申請號: CN201110220767.1

16.譚毅, 姜大川, 董偉, 郭校亮, 顧正, 龐大宇, 石爽. 真空感應熔煉去除硅粉中磷及金屬雜質的方法及設備, 專利號: ZL201110033792.9

17.譚毅, 姜大川, 董偉, 顧正, 彭旭. 一種去除工業硅中硼的方法, 專利號: ZL201010242101.1

18.譚毅, 姜大川, 鄒瑞洵, 董偉. 採用電子束注入去除多晶硅中雜質硼的方法, 專利號: ZL201010242065.9

19.譚毅, 鄒瑞洵, 顧正, 董偉, 姜大川. 一種電子束梯度熔煉提純多晶硅的方法, 專利號: ZL201010247815.1

20.譚毅, 董偉, 姜大川, 李國斌. 局部蒸發去除多晶硅中硼的方法及裝置, 專利號: ZL200910220058.6

21.譚毅, 董偉, 李國斌, 姜大川. 連續熔煉去除多晶硅中磷和硼的方法及裝置, 專利號: ZL200910220059.0

22.譚毅, 姜大川, 李國斌, 許富民, 劉艷嬌, 胡祖麒. 一種化學冶金提純多晶硅的方法, 專利號: ZL200810011266.0

23.譚毅, 李國斌, 姜大川, 張聰. 一種去除多晶硅中雜質磷的方法及裝置, 專利號: ZL200810011949.6

24.譚毅, 李國斌, 姜大川, 許富民, 王強. 去除多晶硅中雜質磷和金屬雜質的方法及裝置, 專利號: ZL200810011631.8

1、 國家自然科學基金青年基金，51304033，晶硅定向凝固反向誘導泉涌效應的研究，2014/01-2016/12，25萬，主持。

2、 第53國博士后科學基金一等資助，2013M530124，多晶硅定向凝固反向誘導泉涌技術的研究，2013/52014/6， 8萬，主持。

3、 國家自然科學基金聯合基金項目，U1137601，冶金法製備太陽能級多晶硅中的真空精鍊研究，2012/01-2015/12，210萬，參加。

4、 國家科技支撐計劃項目，2011BAE03B01，冶金法製備太陽能級多晶硅關鍵技術研究及工業示範，2011/06-2014/05，總經費2856萬，參加。

獲得青島市青年科技獎、即墨拔尖人才，遼寧省科技發明二等獎（排名2）、機械工業科技二等獎（排名2）、山東省科技發明二等獎（排名2），青島市科技進步一等獎（排名2）、發表SCI文章10餘篇，獲批發明專利30餘項。